投资案件
　　存储芯片周期下行过半，2023Q2探底，普遍预期2023H2将复苏。本轮存储周期下调由22Q2需求下调触发。2022H2，Mobile、PC和服务器客户调整库存，放缓存储采购，价格大幅下滑。2022Q4存储市场规模已经跌回2019Q1、Q2周期底部水平。2023Q1跌势继续但幅度收窄，存储原厂售价已跌穿成本价。
　　 23Q2供需双方处于激烈博弈阶段，虽然需求不足以支撑强劲复苏，但价格有望于23Q2提前止跌。供给端减产：2022Q4起，存储原厂收敛产能，降低供需比。23Q1美光、三星加强库存管控，计提存货减值至大幅亏损。4月，三星拒绝低价出售DRAM，价格止跌在望。需求端见底复苏：23Q1是全年需求最淡的季度，Q2起服务器及PC的备货需求已环比上升。供需关系平衡后，存储芯片价格有望在2023Q2提前止跌。
　　大容量存储芯片下游驱动力从Mobile向AI/HPC切换。DRAM迈入1β节点，技术升级速度将放缓。NAND量产进入200L+时代，迈向1000L。HBM3带宽较DDR5高出10倍以上，AI服务器引爆HBM新型存储需求，2025年市场规模有望快速增至25亿美元。SK海力士HBM技术领先，市场份额约60-70%，三星迎头赶上。台积电CoWoS工艺单个封装内可异质集成12颗HBM。
　　存储行业有望加速国产化替代。3月31日，国家网信办宣布对美光公司在华销售的产品实施网络安全审查。根据集邦咨询，22Q4美光约占全球DRAM 23%份额，NANDFlash占12%份额。存储市场有望迎国产化机遇。存储芯片：聚辰股份（DDR内存模组SPD，汽车级EEPROM芯片）、兆易创新（Nor Flash及MCU领军，与合肥长鑫合作DRAM）、北京君正（车规存储龙头）、东芯股份（中小容量存储）。存储模组：佰维存储、江波龙。封装基板：兴森科技、深南电路。封测：深科技、通富微电、长电科技。内存接口芯片：澜起科技。
　　风险提示：Server需求复苏不及预期；大厂减产不及预期；国产公司技术进展不及预期。