主要观点:
　　中微公司作为国内刻蚀设备和MOCVD设备头部企业，2022年营收增长52.50%，继续保持近两年营收的加速增长，我们认为公司仍有充足的市场空间和技术实力持续增长。
　　半导体设备国产化率持续提升，核心设备需求将继续增长
　　根据芯谋研究数据显示，2022年国产半导体设备销售额约43亿美元左右，国产化率首次突破10%，达到12%。预计2023年国产半导体设备销售额将达到62亿美元，国产化率约16%。我们认为中微公司刻蚀设备和MOCVD设备作为半导体生产中的核心设备，将充分受益于设备国产化的进程。
　　刻蚀设备国内领先，存储等技术迭代刺激需求放量
　　根据公司年报，刻蚀设备在前道设备中增速和价值量都位居头位，公司CCP设备2022年生产交付量增速超五成。相关文献显示，刻蚀设备在3D存储、先进制程、先进封装中都有非常重要的作用，尤其在3D存储领域，随着层数增加，刻蚀设备需求量不断提升，根据International business strategies数据显示，3D存储将快速取代2D存储。我们认为随着存储市场规模增长和3D存储技术的升级迭代，对刻蚀设备将会产生叠加的需求刺激。
　　MOCVD设备不断升级拓展，薄膜沉积设备快速突破。
　　根据公司年报，中微累计付运MOCVD设备超500腔，过去六年年复合增速超35%，在氮化镓基MOCVD设备上国际领先。MOCVD设备在五大应用领域升级拓展，所对应的市场如MLED、第三代半导体等均在快速增长，我们认为MOCVD设备同样会迎来持续的需求增长。
　　薄膜沉积设备18个月快速突破研发交付，我们认为作为高价值量的薄膜沉积市场将成为中微公司又一业绩增长点。
　　投资建议:
　　我们认为中微公司未来增长有两个核心驱动力，一是设备国产化的趋势下，国产设备市场需求在增长，中微公司作为国产设备的头部企业，提供半导体前道制作的核心产品，有望将重点受益；二是中微公司的核心产品对应着3D存储、先进封装、第三代半导体等增长更块的领域，市场需求端传导的增量也是未来增长的强大助力，公司也在积极布局用于存储等应用的技术升级。公司所对应市场空间依然十分充足，有望保持增长态势。
　　1.刻蚀设备
　　根据公司年报，2022年公司刻蚀设备销售量同比增长达51.03%，刻蚀设备在3D存储和先进制程、先进封装中需求量增大，我们认为在技术发展的趋势下未来有明确的需求增量。根据中微公司的信息，目前其刻蚀设备在国内先进的存储、逻辑产线中占比仍有较大提升空间。刻蚀设备在半导体前道设备中价值量和增速处于头位，我们认为中微公司刻蚀设备因需求增速快、市场空间大、设备重要性高三大支撑，在未来仍将保持强劲的增长态势。
　　2.MOCVD设备
　　根据公司年报，氮化镓基MOCVD设备国际领先，中微公司MOCVD基于五大应用领域不同升级与拓展相应产品。MOCVD对应的MLED与化合物半导体外延等市场投资增长快，公司在这些领域均有布局，我们认为作为中微公司另一核心产品，MOCVD同样会借助下游应用需求的快速增长和设备国产化率的提升，实现保持长期的增长势头。
　　3.薄膜沉积设备
　　根据公司年报，薄膜沉积设备与刻蚀设备占据半导体前道设备价值量和增速的前两位。公司仅用18个月快速研发突破WCVD设备，我们认为薄膜沉积设备广阔的市场空间和中微公司在客户的口碑，薄膜沉积设备有望成为中微公司未来重要的业绩增长点。
　　考虑到公司持续的高速增长与充足的市场空间，我们上调公司2023年营收56.82亿元的预测至61.62亿元，上调2023年EPS1.51元的预测至2.29元。预计公司2024年-2025年分别实现收入为80.10亿元和100.13亿元，分别实现归母净利润为18.20亿元和22.05亿元，对应EPS分别为2.95元和3.58元，对应2023年4月10日收盘价175.08元/股，2023年-2025年PE分别为77倍、59倍、49倍，维持公司“买入”评级。
　　风险提示
　　国际贸易摩擦加剧；下游需求不及预期；公司技术研发不及预期；行业竞争加剧；半导体行业周期性波动风险。
　　

研究报告全文：仅供机构投资者使用证券研究报告公司深度研究报告TableDate2023年04月11日营收加速增长前路依然宽广TableTitleTableTitle2中微公司688012评级及分析师信息TableRank主要观点TableSummary评级买入上次评级买入中微公司作为国内刻蚀设备和MOCVD设备头部企业2022年营收目标价格增长5250继续保持近两年营收的加速增长我们认为公司仍最新收盘价17508有充足的市场空间和技术实力持续增长股票代码TableBasedata688012半导体设备国产化率持续提升核心设备需求将继52周最高价最低价181977670续增长总市值亿108034根据芯谋研究数据显示2022年国产半导体设备销售额约43亿自由流通市值亿108034美元左右国产化率首次突破10达到12预计2023年国产自由流通股数百万61705半导体设备销售额将达到62亿美元国产化率约16我们认为中微公司刻蚀设备和MOCVD设备作为半导体生产中的核心设备TablePic100将充分受益于设备国产化的进程50刻蚀设备国内领先存储等技术迭代刺激需求放量0根据公司年报刻蚀设备在前道设备中增速和价值量都位居头位公司CCP设备2022年生产交付量增速超五成相关文献显-50示刻蚀设备在3D存储先进制程先进封装中都有非常重要的作用尤其在3D存储领域随着层数增加刻蚀设备需求量不断提升根据Internationalbusinessstrategies数据显中微公司沪深300示3D存储将快速取代2D存储我们认为随着存储市场规模增长和3D存储技术的升级迭代对刻蚀设备将会产生叠加的需求TableAuthor证券分析师刘奕司刺激邮箱liuys1hx168comcnSACNOS1120521070001联系电话MOCVD设备不断升级拓展薄膜沉积设备快速突破根据公司年报中微累计付运MOCVD设备超500腔过去六年年证券分析师王秀钢复合增速超35在氮化镓基MOCVD设备上国际领先MOCVD设邮箱wangxg1hx168comcnSACNOS1120519020001备在五大应用领域升级拓展所对应的市场如MLED第三代半导联系电话体等均在快速增长我们认为MOCVD设备同样会迎来持续的需求增长华西电子中小盘联合覆盖薄膜沉积设备18个月快速突破研发交付我们认为作为高价值量的薄膜沉积市场将成为中微公司又一业绩增长点投资建议我们认为中微公司未来增长有两个核心驱动力一是设备国产化的趋势下国产设备市场需求在增长中微公司作为国产设备的头部企业提供半导体前道制作的核心产品有望将重点受益二是中微公司的核心产品对应着3D存储先进封装第三代半导体等增长更块的领域市场需求端传导的增量也是未来增长的强大助力公司也在积极布局用于存储等应用的技术升级公司所对应市场空间依然十分充足有望保持增长态势请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明962618721201902281659证券研究报告公司深度研究报告1刻蚀设备根据公司年报2022年公司刻蚀设备销售量同比增长达5103刻蚀设备在3D存储和先进制程先进封装中需求量增大我们认为在技术发展的趋势下未来有明确的需求增量根据中微公司的信息目前其刻蚀设备在国内先进的存储逻辑产线中占比仍有较大提升空间刻蚀设备在半导体前道设备中价值量和增速处于头位我们认为中微公司刻蚀设备因需求增速快市场空间大设备重要性高三大支撑在未来仍将保持强劲的增长态势2MOCVD设备根据公司年报氮化镓基MOCVD设备国际领先中微公司MOCVD基于五大应用领域不同升级与拓展相应产品MOCVD对应的MLED与化合物半导体外延等市场投资增长快公司在这些领域均有布局我们认为作为中微公司另一核心产品MOCVD同样会借助下游应用需求的快速增长和设备国产化率的提升实现保持长期的增长势头3薄膜沉积设备根据公司年报薄膜沉积设备与刻蚀设备占据半导体前道设备价值量和增速的前两位公司仅用18个月快速研发突破WCVD设备我们认为薄膜沉积设备广阔的市场空间和中微公司在客户的口碑薄膜沉积设备有望成为中微公司未来重要的业绩增长点考虑到公司持续的高速增长与充足的市场空间我们上调公司2023年营收5682亿元的预测至6162亿元上调2023年EPS151元的预测至229元预计公司2024年-2025年分别实现收入为8010亿元和10013亿元分别实现归母净利润为1820亿元和2205亿元对应EPS分别为295元和358元对应2023年4月10日收盘价17508元股2023年-2025年PE分别为77倍59倍49倍维持公司买入评级风险提示国际贸易摩擦加剧下游需求不及预期公司技术研发不及预期行业竞争加剧半导体行业周期性波动风险盈利预测与估值财务摘要Tableprofit2021A2022A2023E2024E2025E营业收入百万元310847406162801010013YoY367525300300250归母净利润百万元10111170140918202205YoY1055157205292211毛利率434457465465460每股收益元176190229295358ROE73768397105市盈率99489215765559274893资料来源WIND华西证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明2证券研究报告公司深度研究报告正文目录1中微公司在设备国产化趋势下高速发展511激励政策惠及全员打造强大团队竞争力712持续高水平的研发投入提前布局产业发展92刻蚀之光照亮广阔前景MOCVD薄膜沉积设备助力腾飞1121刻蚀设备国内领先存储市场需求广泛1522MOCVD设备增长迅速5大应用领域持续突破2723薄膜沉积设备快速研发成功已进入客户验证323投资建议334风险提示34图表目录图1中微公司发展历程5图2近两年中微公司产品装机数加速增长5图3公司近两年营收增速不断上升万元6图4公司规模净利保持持续增长万元6图52022年研发支出增长约286图62022年研发人员增长约436图7研发人员研究生学历约占467图8公司40岁以下研发人员约占八成7图9中微公司主要涵盖晶圆制造中刻蚀与薄膜环节11图10中微公司主要涵盖晶圆制造中刻蚀与薄膜环节12图11中国大陆地区已占全球设备市场约20的份额13图12半导体设备国产化率持续快速提升13图13中微公司产品涵盖近4000亿市场14图14刻蚀设备市场发展迅猛16图15一体化大马士革刻蚀工艺17图16中微公司积极布局存储市场应用来进行设备研发18图17中微公司ICP单双反应台双轮前行19图18中微公司PrimoNanova系列产品出货接近300台20图19刻蚀设备价值量为晶圆制造设备中头位21图203DNAND存储层数刻蚀设备需求越大22图213DNAND存储市场快速增长23年有望接近500亿美元23图22存储市场未来仍将保持增长24图23晶体管的尺寸主要是由光刻和刻蚀两道制程共同定义24图24先进制程产能的提升将持续拉动刻蚀设备需求25图25中微公司营收有广阔成长空间26图26中微近期目标在国内最先进存储研发线市占率达到65以上26图27中微近期目标在国内最先进逻辑器件生产线市占率达到60以上27图28中微过去六年MOCVD设备年复合增速超3527图29中微公司PrismoMOCVD产品系列及发展路线29图30化合物外延设备主要市场中微公司已覆盖或研发中百万美元30图31氮化镓功率器件市场规模飞速增长31请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明3图32碳化硅市场规模发展对外延生产设备将有更多需求美元31证券研究报告公司深度研究报告图33中微公司WCVD设备成功导入客户端进行生产线核准32表1全员持股的激励政策是中微打造技术团队的优势8表2中微公司持续大量投入研发升级提升产品竞争力亿元10表3中微公司刻蚀设备15表4中微公司MOCVD设备28表5公司收入结构34表6可比公司估值表错误未定义书签请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明4证券研究报告公司深度研究报告1中微公司在设备国产化趋势下高速发展中微半导体设备上海股份有限公司证券简称中微公司是一家以中国为基地面向全球的微观加工高端设备公司为集成电路和泛半导体行业提供极具竞争力的高端设备和高品质的服务图1中微公司发展历程资料来源公司官网华西证券研究所过去十年中微公司快速增长根据中微公司2022年年报公司从2012年到2022年十年的平均年营业收入一直保持了高于35的增长率公司2021年营业收入为3108亿元同比增长36722022年虽然国内外产业形势异常严峻公司上下齐心克服了重重困难与客户和供应厂商密切合作积极应对复杂国际环境的考验公司2022年仍实现营业收入4740亿元较上年同期增长5250再创历史新高公司2022年新签订单金额约632亿元较2021年增加约219亿元同比增加约530订单销售比达到133图2近两年中微公司产品装机数加速增长资料来源公司年报华西证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明5证券研究报告公司深度研究报告中微公司持续保持营收的高速增长近两年营收增速不断提升2022年营收增速超50我们认为基于公司产品未来广阔的市场营收有望保持高速增长态势根据公司年报公司2022年营业收入为4740亿元同比增加约5250主要系公司主打产品等离子体刻蚀设备是除光刻机外最关键工艺难度最高的半导体前道加工设备公司的等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可市场占有率不断提高在国际最先进的5纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上均实现了多次批量销售公司的另一类主打产品MOCVD设备在新一代Mini-LED产业化中在蓝绿光LED生产线上取得了绝对领先的地位另外公司的各种新产品开发比如用于更先进微观器件制程的薄膜设备和刻蚀设备也取得了可喜的进展图3公司近两年营收增速不断上升万元图4公司规模净利保持持续增长万元资料来源WIND华西证券研究所资料来源WIND华西证券研究所研发高投入研发团队持续扩充积累技术优势公司的核心竞争力主要体现在与产品有关的技术优势及产品服务解决方案上公司持续进行较高水平的研发投入以保持公司的核心竞争力2022年研发投入总额929亿元较上年增加2761主要系研发材料投入的增加以及研发人员增加下职工薪酬的增长图52022年研发支出增长约28图62022年研发人员增长约43资料来源WIND华西证券研究所资料来源WIND华西证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明6证券研究报告公司深度研究报告11激励政策惠及全员打造强大团队竞争力突出的创始人及技术团队保证公司在高端半导体设备研发和运营的竞争优势中微公司的创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验是国内具有国际化优势的半导体设备研发和运营团队之一中微公司的创始人董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过30年的行业经验是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一图7研发人员研究生学历约占46图8公司40岁以下研发人员约占八成资料来源公司年报华西证券研究所资料来源公司年报华西证券研究所中微公司以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家形成了成熟的研发和工程技术团队截至报告期末公司共有研发人员592名占员工总数的4293涵盖了等离子体物理射频及微波学结构化学微观分子动力学光谱及能谱学真空机械传输等相关学科的专业人员凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研发投入公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备及MOCVD设备并实现了大规模产业化积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术专利储备请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明7证券研究报告公司深度研究报告表1全员持股的激励政策是中微打造技术团队的优势激励计划2023年限制性股票激励计划2022年限制性股票激励计划日期2023年3月31日2022年3月30日获受限制性占授予股占激励计划获受限制性占授予股占激励计划持有人股票数量票增值权公告日股本持有人股票数量票增值权公告日股本万份总数比例总额比例万份总数比例总额比例尹志尧1107201002尹志尧10112253002杜志游797145001杜志游713178001朱新萍617112001朱新萍547137001倪图强617112001倪图强412103001对象及分配方案陈伟文445081001陈伟文394099001刘晓宇445081001刘晓宇298075001陶珩445081001杨伟26065000丛海328060001李天笑26065000核心技术人员549791000009麦仕义094024000其他1379人4950219000080其他1095人3601089003058合计1390人55010000089合计1104人40010000065行权价格50元股5年50元股5年有效期第一个归属期2022业绩考核目标X20公司层面归属第一个归属期对应考核年度2023该考核年度使用的营业收比例10015X20公司层面归属比例80X15公司入2023年营业收入业绩考核目标X对标企业算术平均增层面归属比例0长率公司层面归属比例100对标企业算术平均增长率08X第二个归属期2023业绩考核目标X45公司层面归属对标企业算术平均增长率公司层面归属比例80X对标企比例10035X45公司层面归属比例80X35公司业算术平均增长率08公司层面归属比例0期权行权特层面归属比例0第二个归属期对应考核年度2024该考核年度使用的营业收别条件第三个归属期2024业绩考核目标X70公司层面归属入2023年2024年两年营业收入累计值业绩考核目标X比例10050X70公司层面归属比例80X50公司对标企业算术平均增长率公司层面归属比例100对标企业算术层面归属比例0平均增长率08X对标企业算术平均增长率公司层面归属第四个归属期2025业绩考核目标X100公司层面归属比例80X对标企业算术平均增长率08公司层面归属比例比例10075X100公司层面归属比例80X75公0司层面归属比例0激励计划2020年限制性股票激励计划2020年限制性股票激励计划日期2020年7月2日2020年7月2日获受限制性占授予股占激励计划获受限制性占授予股占激励计划持有人股票数量票增值权公告日股本持有人股票数量票增值权公告日股本万份总数比例总额比例万份总数比例总额比例尹志尧15082758003杨伟46058001杜志游10992010002李天笑36045001对象及分配方案朱新萍8881624002麦仕义18023000倪图强71280001其他697人6608250123陈伟文71280001预留部分1301625024刘晓宇5731048001合计700人80010000150合计6人546810000010行权价格150元股5年有效期第一个归属期2020业绩考核目标X255公司层面归属比例100200X255公司层面归属比例80X200公司层面归属比例0第二个归属期2021业绩考核目标X460公司层面归属比例100370X460公司层面归属比例80X370公司期权行权特层面归属比例0别条件第三个归属期2022业绩考核目标X700公司层面归属比例100560X700公司层面归属比例80X560公司层面归属比例0第四个归属期2023业绩考核目标X980公司层面归属比例100800X980公司层面归属比例80X800公司层面归属比例0资料来源公司年报WIND华西证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明8证券研究报告公司深度研究报告12持续高水平的研发投入提前布局产业发展根据公司年报信息公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验这一优势保证了公司产品和服务的不断进步公司拥有多项自主知识产权和核心技术截至2022年12月31日公司已申请2259项专利其中发明专利1938项已获授权专利1266项其中发明专利1097项在逻辑集成电路制造环节公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于5纳米5纳米以下器件中若干关键步骤的加工同时公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化在3DNAND芯片制造环节公司的等离子体刻蚀设备已应用于64层和128层的量产同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺公司也根据逻辑器件客户的需求正在开发更先进刻蚀应用的设备公司的MOCVD设备PrismoA7PrismoUniMax能分别实现单腔34片4英寸和41片4英寸外延片加工能力公司的PrismoA7与PrismoUniMax设备技术实力突出已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作实现了产业深度融合公司开发的12英寸低压薄膜沉积设备可以用于先进逻辑电路接触孔填充工艺以及64层和128层3DNAND的多个工艺的制程要求同时公司还致力于更先进逻辑电路的接触孔填充设备和更多层数的存储器件接触孔和金属互联填充设备的开发和工艺验证请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明9证券研究报告公司深度研究报告表2中微公司持续大量投入研发升级提升产品竞争力亿元预计2022累计进展或总投年投技术项目名称投入阶段性拟达到目标具体应用前景资规入金水平金额成果模额用于存储器设计开发超低频和超大功率的射频等离子追赶刻蚀的CCP应用拓系统及对应的静电吸盘多区控温性能的国际360952063DNAND128层刻蚀设备展阶段上电极温度可调节的边缘环系统等满先进128P足超高深宽比的刻蚀需求水平先进逻辑电国际开发阶实现等离子体密度分布的可调节满足均路的CCP刻238064173先进7纳米以下逻辑电路刻蚀段匀性减少金属污染和颗粒物的要求蚀设备水平用于Mini-LED大规模国际Mini-LED背光显示屏大屏开发阶研发MOCVD设备满足Mini-LED生产对生产的高输131038129先进幕电视平板电脑显示笔段于外延设备的要求出量MOCVD水平记本电脑显示等设备用于国际Micro-LED研究阶研发MOCVD设备满足Micro-LED生产手表ARVR电视等用显示17304097先进应用的新型段对于外延设备的要求屏水平MOCVD设备用于硅基国际GaN功率器开发阶研发用于8硅基氮化镓功率器件大规模氮化镓功率元件电力电子15602061先进件生产的段生产的MOCVD设备及外延生长工艺领域水平MOCVD设备用于5-3纳研制成功5纳米的刻蚀设备并完成在先进国际米逻辑芯片研究阶逻辑芯片生产厂家的评估并实现销售149014061先进逻辑芯片制造制造的ICP段完成3纳米刻蚀机Alpha原型机的设计水平刻蚀机制造测试及初步的工艺开发和评估本项目针对7-5纳米节点FinFET结构的逻辑芯片制造中对电感式耦合ICP刻蚀工艺的要求在14纳米ICP刻蚀机基础国际7-5nmICP开发阶上将在腔体结构设计硅片周围及极边235163233先进先进逻辑和DRAM芯片制造刻蚀机项目段缘温度控制射频和匹配系统零部件新水平材料开发和表面处理等方面进行技术升级开发研制出7-5纳米ICP刻蚀机样机并制造工程机在客户端验证用于存储器面向300mm3DNANDFlash工艺大生产线国际开发阶芯片制造的192063111需求开发用于TSC-ET关键工艺刻蚀设先进存储芯片段ICP刻蚀机备水平所有先进的逻辑存储射锗硅选择性国际研究阶研发12外延设备满足逻辑存储等电频传感器等集成电路覆外延设备研4503905先进段路关键工艺要求盖手机电脑汽车等广泛发及产业化水平领域半导体大规模生产中逻辑器接触孔用件钨金属接触孔存储器的开发LPCVD设备用于逻辑金属接触孔和国际WCVD设备研究阶金属接触孔沟槽高深宽2460507存储器互联工艺满足大规模半导体生产先进的研发及产段比接触孔以及金属栅的钨原厂商对WCVD设备的需求水平业化子层填充以及其他器件钨金属互联应用SIC材料外国际研究阶研发碳化硅外延设备满足碳化硅功率器电动汽车高速铁路新能延生长设备07016018先进段件外延生产要求源电力基础设施等研发水平合计246011209资料来源公司年报华西证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明10证券研究报告公司深度研究报告2刻蚀之光照亮广阔前景MOCVD薄膜沉积设备助力腾飞半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石而集成电路和泛半导体微观器件又是数码时代的基础半导体设备微观加工的能力是数码产业发展最卡脖子的关键没有能加工微米和纳米尺度的光刻机等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备就不可能制造出集成电路和微观器件随着微观器件越做越小半导体设备的极端重要性更加凸显出来一个国家要成为数码时代的强国至关重要的是要成为半导体微观加工设备的强国半导体设备市场主要由欧美日本等国家的企业所占据近年来我国半导体设备行业整体水平不断提高中微公司作为其中的代表在刻蚀设备与MOCVD设备上不断提升获得市场越来越多的认可图9中微公司主要涵盖晶圆制造中刻蚀与薄膜环节资料来源半导体晶圆制造中批加工设备调度研究华西证券研究所晶圆制造主要可以分为六个独立的功能单元主要可分为扩散功能单元DIF光刻功能单元PHOTO刻蚀功能单元ETCH薄膜功能单元包括化学气相沉积区CVD物理气相沉积区PVD和金属淀积区离子注入功能单元IMP和抛光功能单元CMP无图形的晶圆就像一块平整的大工地经过不断的整地由抛光离子注入功能单元执行灌浆混沙填土上钢架由薄膜扩散功能单元执行再经过砌墙挖坑打洞筑沟由光刻蚀刻功能单元执行等多重入地往复进入各个功能单元一层一层堆栈而上制作成拥有复杂结构和完善功能的集成电路的晶圆请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明11证券研究报告公司深度研究报告图10中微公司主要涵盖晶圆制造中刻蚀与薄膜环节资料来源半导体晶圆制造中批加工设备调度研究华西证券研究所中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺在政府的大力推动和业界的努力下虽然在半导体设备的门类性能和大规模量产能力等方面国产设备和国外设备相比还有一定的差距但发展迅速并已初具规模中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升目前占比超过20请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明12证券研究报告公司深度研究报告图11中国大陆地区已占全球设备市场约20的份额资料来源公司年报华西证券研究所半导体设备国产化率持续快速提升根据芯谋研究的数据显示2022年国产半导体设备销售额约43亿美元左右国产化率首次突破10达到12预计2023年国产半导体设备销售额将达到62亿美元国产化率约16图12半导体设备国产化率持续快速提升资料来源公司年报华西证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明13证券研究报告公司深度研究报告中微公司在国产化浪潮中表现亮眼产品涵盖近4000亿市场根据公司年报在刻蚀设备方面全球刻蚀设备市场呈现垄断格局泛林半导体东京电子应用材料占据主要市场份额公司刻蚀设备已应用于全球先进的7纳米和5纳米集成电路加工制造生产线在国际最先进的5纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上公司的CCP刻蚀设备均实现了多次批量销售已有超过200台反应台在生产线合格运转公司在主要客户的市场占有率稳步提升在MOCVD设备领域公司用于氮化镓基LED外延生产的MOCVD设备已在行业领先客户生产线上大规模投入量产自2017年起已经成为氮化镓基LED市场份额最大的MOCVD设备供应商并持续保持在行业内的领先地位公司持续打造领先设备公司市场形象积极参与有影响力的市场活动不断强化公司技术和品牌优势研发团队和客户紧密合作进行更多的关键制程的工艺开发和验证进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会图13中微公司产品涵盖近4000亿市场资料来源公司年报华西证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明14证券研究报告公司深度研究报告21刻蚀设备国内领先存储市场需求广泛公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线表3中微公司刻蚀设备产品图示产品特点竞争优势Primo双反应台腔体设计具有更高的产出效率双反应台独立高生产效率低生产成本CoO设备射频系统和刻蚀终端控制系统拥有自主知识产权的射占地面积小一体整合的除胶能力及表D-RIE频匹配系统拥有自主知识产权的等离子体隔离技术面电荷减除能力PrimoiDEA系统双反应台腔体设计具有更高的产出效率双低频功率切双低频率分步骤切换系统以适用于更换系统用于制程分步骤优化脉冲射频系统选项多广的制程范围特别是TrenchVia区气体分配调节系统静电吸盘双区冷却装置低金属All-in-one制程优异的工艺可调性Primo污染工艺组件选项每一步骤可独立进行控温的四区动和稳定性以满足先进工艺标准高生AD-RIE态静电吸盘PrimoAD-RIE-e拥有自主知识产权产效率低生产成本CoO扩展机型涂层技术的抗腐蚀反应腔PrimoAD-RIE-cr一体PrimoAD-RIE-ePrimoAD-RIE-cr和整合的除胶能力及表面电荷减除能力PrimoiDEA系PrimoiDEA可应用于不同特殊制程统具有独立气体输运系统的单反应台腔体设计多区气体高电介质材料刻蚀速率多手段刻蚀均Primo调节以及双区静电吸盘温度控制高抽气率大容量分匀度调节双级同步脉冲射频系统先SSCAD-子泵双级同步脉冲射频系统低频和高频可冷却进气体抽运系统以进一步扩大工艺窗RIE聚焦环工艺组件提升晶圆边缘性能高上下电极面积口中高深宽比结构刻蚀的低成本解决比以应用于高深宽比结构刻蚀方案双反应台刻蚀与除胶整合一体机显著Primo远程等离子体源高效率除胶高效离子隔滤以避免减小占地面积使用PrimoiDEA系统设IDEA对器件造成等离子体诱发损伤计以代替单独的刻蚀和除胶系统节省成本20以上具有独立气体输运系统的单反应台腔体设计多区气体高电介质材料刻蚀速率多手段刻蚀均调节以及双区ESC温度控制高功率以及高温静电吸匀度调节高粒子轰击能量以扩大高Primo盘气体脉冲双级同步脉冲射频系统甚高功率的低深宽比刻蚀工艺窗口气体脉冲系统HD-RIE频射频脉冲以提供高离子轰击能量稳定的上电极温度提供更灵活的工艺控制方案应对特殊控制系统可冷却聚焦环以防止硅片边缘刻蚀停止高工艺的高温高功率静电吸盘选项上下电极面积比以应用于中高深宽比刻蚀具有适合不同应用的工艺调整性高生电感式耦合高密度等离子体源的双反应台刻蚀腔高功产力的主机使每台系统的产能显著提Primo率射频等离子体源并具有连续或脉冲的射频偏压具升同一反应腔内融合了Bosch以及恒TSV有快速气体转换的内置气箱晶圆边缘保护环制程终稳态制程的工艺性能可从200mm升级端光学控制系统可调节的双发射天线到300mm低电容耦合3D线圈设计高抽速大容量涡轮泵精密的离子浓度和离子能量独立可控高排气量腔体温控系统先进的高致密性耐等离子体侵蚀涂层Primo和更宽的工艺窗口优秀的刻蚀均匀性工艺多区细分的高动态范围温控静电吸盘阻抗可调聚nanova优异的高深宽比刻蚀性能高生产效率焦环设计切换式双频偏压系统可选的集成除胶反应低生产成本CoO腔可选的DurgaESC双反应台腔体设计低电容耦合3D线圈设计高抽速大离子浓度和离子能量独立可控高排气量Primo容量涡轮泵双通道进气精密的腔体温控和RF窗口温和更宽的工艺窗口优秀的刻蚀均匀性Twin控系统先进的高致密性耐等离子体侵蚀涂层工艺多优异的高深宽比刻蚀性能高生产效率Star区动态温控静电吸盘13兆赫或400千赫脉冲偏压系低生产成本CoO统可选的集成除胶反应腔资料来源公司官网华西证券研究所请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明15证券研究报告公司深度研究报告在逻辑集成电路制造环节公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际国内知名客户65纳米到5纳米及下一代更先进的芯片生产线上同时公司根据先进集成电路厂商的需求持续开发5纳米及更先进刻蚀设备用于若干关键步骤的加工并已获得行业领先客户的批量订单公司目前正在配合客户需求开发新一代刻蚀设备能够涵盖客户更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备在3DNAND芯片制造环节公司的等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代设备以满足极高深宽比的刻蚀设备和工艺此外公司的电感性等离子刻蚀设备自推出以来不断地核准更多的刻蚀应用迅速的扩大了市场并收到领先客户的批量订单已在超过20个客户包括逻辑DRAM和3DNAND等各类芯片生产线上进行超过100多个ICP刻蚀工艺的量产并持续扩展到更多刻蚀应用的验证发展势头强劲同样应用ICP技术的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备在先进系统封装25维封装和微机电系统芯片生产线等刻蚀市场继续获得批量重复订单根据公司年报信息2022年刻蚀设备销售量同比增长5103生产量同比增长4306我们认为在高速增长的刻蚀设备市场中公司对应更高的增速体现了市场对公司产品的认可图14刻蚀设备市场发展迅猛资料来源公司公开年报业绩会华西证券研究所211CCP设备持续升级22年增速超五成CCP设备2022年生产交付量增速超五成根据公司年报公司CCP刻蚀设备产品不断完善丰富产品的性能继续保持竞争优势PrimoAD-RIEPrimoSSCAD-RIEPrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线公司持续丰富公司产品线不断提升市场占有率为客户提供全方位的刻蚀解决方案公司2022年共生产付运475个CCP刻蚀反应腔同比增长5940在先进逻辑器件方面公司的双反应台刻蚀机不断完善设备性能在国际最先进的5纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上均实现了多次批量销售在存储器件方面公请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明16证券研究报告公司深度研究报告司的刻蚀设备不仅在3DNAND的生产线被广泛应用还成功的通过了多个动态存储器的工艺验证并取得了重复订单公司在现有产品的基础上分别针对逻辑器件的一体化大马士革刻蚀工艺和存储器件的极高深宽比刻蚀技术进行技术攻关并取得良好进展在28纳米及以下的逻辑器件生产工艺中一体化大马士革刻蚀工艺需要一次完成通孔和沟槽的刻蚀是技术要求最高市场占有率最大的刻蚀工艺之一公司针对该刻蚀工艺开发了可调节电极间距的刻蚀机在刻蚀过程中反应腔的极板间距可动态调节以同时满足通孔和沟槽刻蚀的不同工艺要求图15一体化大马士革刻蚀工艺资料来源公司年报华西证券研究所积极布局存储市场进行设备研发在存储器件中极高深宽比刻蚀是最为困难和关键的工艺是在多种膜结构上刻蚀出极高深宽比401的深孔深槽公司自主开发了极高深比刻蚀机该设备用400KHz取代2MHz作为偏压射频源以获得更高的离子入射能量和准直性使得深孔及深槽刻蚀关键尺寸的大小符合规格请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明17证券研究报告公司深度研究报告图16中微公司积极布局存储市场应用来进行设备研发资料来源公司年报华西证券研究所212ICP存储领域应用广泛中微不断推出新品中微公司不断提升ICP设备性能并积极丰富产品种类根据公司年报信息公司ICP刻蚀设备产品部门持续攻克技术难点开展技术创新在原有的单台机ICP刻蚀设备Primonanova家族的NanovSE的基础上推出了用于高深宽比结构刻蚀的NanovaVE和用于高均匀性刻蚀的NanovaUE两种ICP设备增强了刻蚀设备性能和工艺覆盖度丰富了ICP产品种类1NanovaVE设备配备了双偏压射频发生器和独有的晶圆边缘阻抗动态调节功能在高深宽比结构的刻蚀中能有效地增加离子的能量提高刻蚀形貌的垂直度消除晶圆边缘的倾斜度并提高刻蚀速度和单位时间的产能2NanovaUE设备配备了多区域温控静电吸盘和多脉冲射频发生器多区域静电吸盘可对晶圆的局部温度进行微调从而实现局部关键尺寸CriticalDimensionCD的调节极大地提高晶圆内CD的均匀性脉冲射频发生器能形成脉冲波形调节电子温度和方向提高待刻蚀材料和掩膜的刻蚀选择比上述NanovaVE和NanovaUE设备的推出拓展了公司单台机ICP刻蚀设备Primonanova家族的适用工艺制程在全面满足55nm40nm和28纳米逻辑芯片制造中的ICP刻蚀工艺的基础上拓展了在DRAM3DNAND存储芯片和特色器件等芯片制造中的可刻蚀应用范围与此同时公司在原有的双台机ICP刻蚀设备PrimoTwin-Star的基础上通过研发晶圆边缘保护功能和低频偏压系统推出了Twin-StarSE产品Twin-StarSE的推出不仅拓展了公司双台机ICP刻蚀设备在功率器件Micro-LEDMetaLens等特色器件的刻蚀市场也让客户在不同芯片种类的各种刻蚀应用上有了高产出高性价比的双台机ICP设备可供选择至此公司ICP刻蚀设备形成了完整的单台和双台刻蚀设备的布局满足客户对高刻蚀性能高产能和高性价比的不同侧重需求请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明18证券研究报告公司深度研究报告图17中微公司ICP单双反应台双轮前行资料来源公司年报华西证券研究所公司的ICP刻蚀设备在超过20个客户的逻辑DRAM和3DNAND等器件的生产线上进行超过100多个ICP刻蚀工艺的量产并持续扩展到更多刻蚀应用的验证截止2022年底PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数已达到297台且在客户端完成验证的应用数量也在持续增加PrimoTwin-Star则在海内外多个客户的产线上实现量产并取得重复订单请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明19证券研究报告公司深度研究报告图18中微公司PrimoNanova系列产品出货接近300台资料来源公司年报华西证券研究所213存储市场继续激发刻蚀设备需求以价值量来看刻蚀设备为晶圆制造设备中头位其中95以上为CCP和ICP贡献根据公司年报信息集成电路设备包括晶圆制造设备封装设备和测试设备等晶圆制造设备的市场规模约占集成电路设备整体市场规模的约80晶圆制造设备可以分为刻蚀薄膜沉积光刻检测离子掺杂等品类其中刻蚀设备薄膜沉积光刻设备设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备根据Gartner统计2022年全球刻蚀设备薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量约2222和17请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明20