研究报告全文：证券研究报告公司深度专用设备微导纳米688147报告日期2023年02月16日中国设备龙头半导体光伏两翼齐飞ALD微导纳米深度报告投资要点投资评级增持首次中国ALD设备龙头技术引领半导体光伏设备领域公司以原子层薄膜沉积技术为核心下游覆盖半导体光伏柔性电子三大领分析师邱世梁域公司是国内首家成功将High-k原子层沉积设备应用于28nm集成电路制造前执业证书号S1230520050001道量产线的国产设备公司已在逻辑芯片先进存储化合物半导体等多个细分qiushiliangstockecomcn应用领域获得订单公司首创将ALD技术应用于光伏领域技术覆盖PERC分析师王华君TOPConxBC钙钛矿等电池路线TOPCon整线工艺订单放量在即执业证书号S1230520080005年公司营收由亿元增长至亿元高达wanghuajunstockecomcn2018-2021042428CAGR117半导体设备预计2024年我国ALD设备市场规模超百亿元国产替代需求广阔研究助理王一帆ALD设备是芯片微缩的核心动力之一SEMI预计2020年-2025年全球ALD设wangyifan01stockecomcn备市场规模年复合增长率达263据此测算2024年我国ALD设备市场规模达百亿元全球ALD设备被国外厂商垄断国产ALD设备市占率低且美国半导基本数据体管制下卡脖子环节得到关注公司作为国内半导体技术领军者享有更多ALD收盘价3542设备验证机会国产替代需求广阔半导体ALD设备市占率有望加速突破总市值百万元1609681光伏设备新型电池路线布局全面技术迭代下受益确定性高总股本百万股45446公司电池新技术布局全面TOPConxBC钙钛矿均有出货HJT积极技术布局TOPCon领域公司ALD设备市占率60整线设备加速导入大客户放股票走势图量可期xBC领域22年上半年招标中公司ALD设备市占率超75客户覆盖微导纳米上证指数隆基爱旭等xBC主要玩家钙钛矿领域公司设备已出货欧洲目前N型电48池技术步入量产阶段TOPCon率先规模放量预计2022-2025年迎TOPCon扩3624产高峰公司当前受益于TOPCon扩产订单快速增长未来有望受益于新型电池12技术迭代长期空间广阔0在手订单人员高增长募投大幅扩产彰显发展信心-1222122302受益于光伏下游高景气及半导体客户的拓展公司在手订单高增长截至2022年9月公司在手订单1975亿元是2021年末的22倍公司积极扩充人员截相关报告至2022年6月末员工808人是2019年末的31倍产能得到大幅提升此次募投项目拟建设120台年光伏及柔性电子ALD设备及40台年半导体ALD设备产能项目建设期分别为两年三年为订单持续增长提供产能支持盈利预测预计公司2022-2024年实现营业收入67214072362亿元同比增长5710968CAGR87归属母公司净利润056165250亿元同比增长2019851CAGR112首次覆盖给予增持评级风险提示国内市场竞争加剧的风险技术迭代及新产品开发风险新产品验证进度及市场发展不及预期的风险美国半导体管制加剧风险财务摘要TableForcast百万元2021A2022E2023E2024E营业收入42867214072362-36915705109326792归母净利润4656165250--19122040197645111每股收益元010012036055PE349072899397416446资料来源浙商证券研究所httpwwwstockecomcn146请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度投资案件盈利预测估值与目标价评级预计公司2022-2024年实现营业收入67214072362亿元同比增长5710968归属母公司净利润056165250亿元同比增长2019851对应2月16日收盘价22-24年PS分别为24011468PE为2899974645预计公司2022-2024年营业收入和归母净利润复合增长率分别为87112规模利润均迎来高速增长远期成长空间广阔首次覆盖给予增持评级关键假设1SEMI预计2020-2025年全球半导体ALD设备年复合增速达2632我国电池片产量从2021年的198GW增长至2025年的679GW电池片产能从361GW增长至1132GWTOPCon市占率从2021年的4提升至2025年的40设备投资额从2021年的22亿下降至2025年的18亿元我们与市场的观点的差异1市场担心美国半导体管制下ALD设备市场空间小天花板低我们认为ALD技术是芯片微缩的核心推动力之一技术难度大壁垒高随着制程缩小和芯片结构复杂化全球半导体ALD市场快速增长SEMI预计2020-2025年ALD设备复合增长率达263从国内市场来看美国管制加速了ALD设备国产化进程本土客户导入国产设备的意愿增强公司理论可达ALD设备市场空间实际是扩容的且目前ALD设备国产化率几乎为0短期看国产化率增速高长期看随着国内半导体技术对美国封锁实现突破半导体ALD设备市场空间将不断增长2公司光伏ALD设备市占率已达60市场担心公司光伏设备订单增速放缓我们认为公司今明两年光伏订单将快速增长一方面是TOPCon行业扩产带来公司优势设备ALD订单高增长另一方面是公司TOPCon整线设备PE-Poly设备市占率逐步提升带来大量订单1月公司公告PE-poly设备已获得通威批量订单可见公司PEALD设备导入客户顺利此外若xBC扩产持续将进一步提升公司订单预期股价上涨的催化因素1光伏领域催化因素主要包括光伏行业扩产超预期订单超预期PE-poly设备市占率提升xBC电池技术突破HJT设备研发推进钙钛矿设备继续出货等2半导体领域催化因素主要包括设备导入客户验证设备验证顺利获得客户重复订单半导体行业周期反转行业资本支出增加新产品研发等3其他催化因素ALD设备扩展到更多应用领域如锂电池催化领域等风险提示国内市场竞争加剧的风险技术迭代及新产品开发风险新产品验证进度及市场发展不及预期的风险美国半导体管制加剧风险httpwwwstockecomcn246请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度正文目录1微导纳米深耕原子层沉积技术半导体光伏领域双突破611以原子层沉积技术为核心产品覆盖三大领域612光伏设备贡献主要营收半导体业务逐步放量813研发团队实力强劲布局新产业应用未来可期1014收入规模快速增长在手订单充足业绩高增可期1215募投加码ALD设备未来两年产能大幅提升142ALD技术应用空间广阔半导体光伏等行业发展带来新机遇1521ALD技术可精准镀膜技术延展性强应用领域广泛15211ALD可精准控制薄膜厚度具备良好的三维共形性均匀性15212ALD技术延展性强未来有望在多领域应用1622半导体设备国产替代正当时ALD设备空间打开18221我国是全球最大半导体设备市场晶圆厂逆周期扩产带来设备增量18222薄膜沉积设备晶圆制造主设备之一2020-2025年全球市场规模CAGR1519223ALD设备芯片微缩的关键推动者预计2024年我国ALD设备市场超百亿2223光伏设备N型电池时代来临新型电池技术迎产业化新机遇26231光伏行业景气度高N型电池技术拐点已至26232TOPCon新一代光伏电池技术2022年规模化量产起步28233钙钛矿原子层沉积可用于钙钛矿电池的制备和封装产业化渐行渐近323竞争优势ALD技术优势打开市场推动技术平台化发展3431半导体ALD技术引领者突破卡脖子技术3432光伏光伏技术布局全面订单有望高速增长3633依托ALD技术延展性拓展新应用领域未来可期374盈利预测与估值3941盈利预测预计公司2022-2024年归母净利润复合增速1123942投资建议看好公司半导体和光伏业务高增长首次覆盖给予增持评级435风险提示44httpwwwstockecomcn346请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度图表目录图1微导纳米发展历程6图2公司股权结构图截至2022年12月22日6图3半导体领域主要产品7图4光伏领域主要产品8图5柔性电子领域主要产品8图6光伏设备为主要营收来源半导体设备已实现营收突破9图72021年产品配套及服务营收占比增长快9图8公司产品线不断拓宽营收来源逐步拓展单位万元9图9公司2022年1-6月前五大客户占比10图10公司2021年前五大客户占比10图11公司光伏领域客户资源丰富10图122022年前三季度公司研发费用占比2412图132022年上半年公司各业务领域研发费用投入占比12图142018-2021年公司营收复合增长率11713图152022年前三季度归母净利润-3255万元13图162021年公司毛利率45813图172022年1-9月公司期间费用率39913图182022三季度末合同负债大幅增长至44亿元14图192022三季度末公司存货高达76亿元14图202022年三季度末公司在手订单大幅增长至1975亿元14图212022年三季度末专用设备在手订单占比94214图22自限制生长是ALD技术的核心特性15图23ALD在集成电路领域的应用17图24ALD在非集成电路领域的应用市场空间不断增长17图252020年非集成电路市场全球ALD市场份额18图262021年全球半导体设备销售额1026亿美元yoy4418图272021年中国大陆半导体设备销售额296亿美元yoy5818图282021-2022年中国大陆12英寸晶圆厂月产能万片19图292017-2026年中国大陆地区12英寸厂增量预测座19图30晶圆制造三大核心工艺及国内外主要设备公司19图31薄膜沉积设备是晶圆制造三大主设备之一种类繁多20图32薄膜沉积设备技术分类20图332019年全球薄膜沉积设备市场占有率21图34全球主要薄膜沉积设备公司22图35全球半导体薄膜沉积设备市场规模亿美元22图3645nm及以下制程中ALD应用环节增加23图37MOS结构和SiO2高k栅介电层比较24图383DNAND采用复杂的高深宽比结构ALD技术可实现3DNAND字线的钨沉积24图39不同制程下的晶体管结构25图40ALD技术在多重曝光中助力实现更先进的制程25图41CPIA预计2030年全球光伏装机需求315-366GW27图42CPIA预计2030年我国光伏装机需求105-128GW27httpwwwstockecomcn446请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度图432020-2030年不同电池技术市场占比的变化趋势27图44晶硅电池发展路线27图45公司光伏设备为光伏产业链中游电池片制造设备28图46TOPCon电池结构28图47TOPCon具有最接近晶硅太阳能电池的极限效率29图48TOPCon技术路线多样可基于PERC产线进行升级32图49钙钛矿太阳能电池结构及发电原理33图50钙钛矿-硅异质结叠层电池结构图33图51钙钛矿-TOPCon叠层电池转换效率世界纪录28233图52钙钛矿不稳定的原因33图53钙钛矿太阳能电池稳定性的进展33图54常见钙钛矿电池结构34图55微导TOPCon方案仅9步37表1高管及核心技术人员产业经验丰富深度参与公司研发11表2公司积极投入研发布局半导体光伏等领域12表3募投项目加码基于ALD技术的光伏柔性电子半导体设备扩产升级等项目15表4ALD工艺特点良好的三维共形性均匀性精确控制16表5ALD技术应用领域广阔16表6ALD更适用于超薄膜厚度控制以及三维超高深宽比结构器件的应用21表7长江存储产能为2万片月的3DNAND产线96层中需要的各类薄膜沉积设备数量23表8SEMI预计2020-2025年ALD设备市场空间增速超越其他IC关键设备CAGR达26326表9预计2024年我国ALD设备市场规模超百亿元人民币26表10光伏电池技术对比29表11TOPCon成本已基本和PERC打平30表12据不完全统计TOPCon及新型高效电池已投产在建及规划产能达310GW31表13预计TOPCon2022-2025年市场空间超842亿元31表14国内设备公司ALD布局35表15公司半导体ALD设备产品关键性能参数已达到国际同类设备水平35表16公司已签约半导体设备及订单截至2022年6月末36表17公司部分已签署的高效光伏电池设备合同37表18公司技术先进性水平及具体体现38表19公司在研项目涉及多个应用领域39表20关键假设表单位百万元42表21可比公司比较43表22可比公司估值截至2023年2月16日43表附录三大报表预测值45httpwwwstockecomcn546请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度1微导纳米深耕原子层沉积技术半导体光伏领域双突破11以原子层沉积技术为核心产品覆盖三大领域以原子层沉积技术为核心产品应用领域不断拓展微导纳米成立于2015年12月主要从事先进微米级纳米级薄膜沉积设备的研发生产和销售公司起家于光伏设备逐步实现半导体柔性电子设备领域突破在光伏设备领域公司突破ALD沉积速度慢的桎梏全球首创将ALD技术规模化应用于光伏领域在PERCTOPConxBC钙钛矿领域均实现出货在半导体领域公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司产品可应用于逻辑存储化合物半导体先进显示等领域在柔性电子领域自主研发的卷对卷柔性电子设备已实现产业化应用图1微导纳米发展历程资料来源公司招股书公司官网浙商证券研究所公司实际控制人为王燕清家族核心技术人员及员工持股绑定公司发展王燕清倪亚兰王磊组成的家族间接控制公司6060的股份系公司实际控制人王燕清倪亚兰系夫妻关系王磊系王燕清倪亚兰之子同时王磊担任公司董事长倪亚兰担任公司董事公司创始人兼核心技术人员LIWEIMINGLIXIANG持股合计1386持股比例较高聚海盈管理为公司员工持股平台管理合伙人共26名合计持有公司832股权公司高管与核心人员专项资产管理计划微导1号微导2号合计持股088图2公司股权结构图截至2022年12月22日资料来源公司上市公告书浙商证券研究所httpwwwstockecomcn646请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度公司产品主要包括半导体设备光伏设备和柔性电子设备三大类半导体设备公司半导体ALD设备可应用于逻辑存储化合物半导体新型显示等领域凤凰P系列原子层沉积镀膜系统HfO2工艺已在28nm量产线实现产业化应用并取得客户重复订单ALD设备沉积的HfO2ZrO2La2O3以及互相掺杂沉积工艺可用于新型存储器如铁电存储FeRAM芯片的电容介质层沉积的Al2O3TiNAlN可用于化合物半导体量子器件的超导材料导电层等上述应用均已完成客户的试样测试并签署订单图3半导体领域主要产品资料来源招股说明书浙商证券研究所注产业化应用是指已实现销售产业化验证是指已签署合同并正在履行下同光伏设备公司光伏设备产品包括ALDPECVDPEALD二合一设备和扩散炉系统可应用于新型高效电池制造并可提供TOPCon整线解决方案夸父KFALD系列主要用于氧化铝薄膜的沉积PERC背面和TOPCon正面均需沉积氧化铝薄膜夸父KFPECVD系列主要用于氮化硅薄膜的沉积PERC和TOPCon减反层祝融ZRPEALD系列集成了PEALD和PECVD技术同一台设备可完成于氧化铝氮化硅镀膜以及TOPCon电池隧穿层掺杂多晶硅薄膜沉积羲和XH系统可用于TOPCon中磷扩硼扩氧化和退火工艺httpwwwstockecomcn746请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度图4光伏领域主要产品资料来源招股说明书浙商证券研究所柔性电子设备FlexGuardFG系列卷对卷原子层沉积镀膜系统主要在OLED等先进显示技术的柔性电子材料上进行真空镀膜公司ALD设备可实现在大幅宽材料表面沉积高性能阻水阻氧层有效保护OLED器件性能和寿命该设备已通过客户验证并获得客户重复订单图5柔性电子领域主要产品资料来源招股说明书浙商证券研究所12光伏设备贡献主要营收半导体业务逐步放量公司营业收入主要来源于光伏设备产线拓宽带来营收多样化1分产品来看光伏设备为公司近年来贡献主要营收2018-2022H1收入占比分别为93949664和92光伏设备从ALD设备拓展至PECVDPEALD二合一平台设备产品线不断丰富2半导体设备已实现营收突破2021年2022H1收入占比分别为63半导体High-k介质层镀膜设备真空传输系统已获客户验证并实现营收32021年配套产品及服务收入增长较快主要原因是光伏电池硅片大尺寸化公司臭氧工艺的推广及新工艺的开发应用带动配套产品及服务业务收入大幅提升httpwwwstockecomcn846请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度图6光伏设备为主要营收来源半导体设备已实现营收突破图72021年产品配套及服务营收占比增长快30664光伏设备半导体设备产品配套及服务资料来源招股说明书浙商证券研究所资料来源招股说明书浙商证券研究所图8公司产品线不断拓宽营收来源逐步拓展单位万元资料来源招股说明书浙商证券研究所公司客户集中度较高通威为近三年第一大客户20192022H1公司前五大客户销售额分别为13222万元29893万元35988万元14435万元占比61968493其中2019-2021年通威太阳能为公司第一大客户占比216328公司在光伏行业实现了较高的客户覆盖率并积极拓展半导体行业和柔性电子领域客户httpwwwstockecomcn946请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度图9公司2022年1-6月前五大客户占比图10公司2021年前五大客户占比资料来源招股说明书浙商证券研究所注龙恒新能源包括江苏资料来源招股说明书浙商证券研究所注通威太阳能包括通威龙恒新能源有限公司徐州中辉光伏科技有限公司江苏华恒新能源有太阳能成都有限公司通威太阳能安徽有限公司两家系同一限公司三家系同一实际控制人控制的公司阿特斯包括阜宁阿特斯实际控制人控制的公司阳光电力科技有限公司阿特斯阳光电力泰国有限公司两家系同一实际控制人控制的公司顺风太阳能包括常州顺风太阳能科技有限公司江苏顺风新能源科技有限公司系同一实际控制人控制的公司爱旭科技包括浙江爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司系同一实际控制人控制的公司右同光伏客户资源丰富优势有望延续至新型高效光伏电池技术公司凭借ALD设备的先进性获得通威隆基晶科晶澳润阳爱旭天合光能等多个客户订单基于良好的客户基础公司在新型高效电池领域客户拓展顺利截至2022年6月公司已签署TOPCon等相关新型高效电池订单近50GW根据公司2022年1-6月参与招投标项目统计在已开标的TOPCon和背接触电池基于IBC的电池结构产线中公司ALD设备中标的产线规模占比均达到75HJT电池方面公司正在研发采用ALD技术实现TCO薄膜的制备也在依托ALD技术开发沉积新型TCO薄膜的设备例如采用AZOZnOAl等资源储量丰富的薄膜材料制备TCO薄膜以改善目前HJT电池的生产技术降低HJT电池片生产成本图11公司光伏领域客户资源丰富资料来源招股说明书公司公告浙商证券研究所13研发团队实力强劲布局新产业应用未来可期高管团队产业经验丰富核心技术团队引领公司研发总经理ZHOUREN曾任职于NovellusLAMKLA等顶级国际半导体公司及中微拓荆等国内半导体设备公司管理经验丰富副董事长兼首席技术官LIWEIMIN具有25余年原子层沉积技术研发经验为httpwwwstockecomcn1046请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度最早研究ALD技术华人之一先后任职芬兰ASMSilecsPicosun等知名国际半导体公司董事副总经理LIXIANG拥有10余年半导体器件制造和工艺研发经验曾就职于新加坡IMEPicosunGF副总经理胡彬曾任先导智能工程副总经理光伏行业经验丰富除LIWEIMINLIXIANG外公司核心技术团队中许所昌曾任职中芯国际半导体产业经验丰富吴兴华曾任职台湾工研院昱晶能源中来光电等公司光伏产业经验丰富表1高管及核心技术人员产业经验丰富深度参与公司研发姓名职务学历研究经历科研成果及荣誉工作履历1989年至2006年先后任AGAssociates软件资深工程师NovellusSystem软件主任工拥有30余年半导体设备研发和制造经验国内外程师CVCInc系统控制部经理Lam工程美国丹佛顶级半导体设备公司技术高管负责多家半导体企资深总监及并历任资深软件经理软件总大学计算ZHOUREN总经理业技术和运营管理中国专利奖获得者沈阳市高监2006年至中微半导体执行总监及资深机专业硕层次杰出人才和玫瑰奖得主科技部上海市等科总监KLATencor工程资深总监光达光士技专家电工程副总拓荆科技工程副总2020年至2021年历任公司半导体事业部副总首席运营长2021年7月起任公司总经理微导创始人25余年原子层沉积技术的研发经验最早开始研究ALD技术的华人之一承担国2000年至2015年历任芬兰ASM高级工程芬兰赫尔内外政府科技项目8项获2021年国家级人才师Silecs应用经理Picosun应用总监副董事长首辛基大学LIWEIMIN2020年江苏省双创团队带头人2019年无锡市2016年至2019年任微导有限首席技术官席技术官无机化学太湖创新领军型团队带头人2016年江苏省双创2019年至今任公司首席技术官并历任公司专业博士人才等荣誉江苏省产业教授SEMI光伏标委会董事副董事长核心委员第三代半导体人才发展委员会委员微导创始人拥有10余年半导体器件制造和工艺2010年至2015年历任新加坡科学技术研新加坡南研发经验具有丰富的原子层沉积ALD工艺技术究院微电子研究所研发科学家Picosun洋理工大研发和量产导入经验国内外核心期刊发表论文Asia董事总经理新加坡格罗方德半导体主董事副总经LIXIANG学电气与35篇获2020年江苏省双创团队核心成员任工程师2016年至2019年任微导有限应理电子工程2019年无锡市太湖创新领军型团队核心成员用总监ALD事业部副总经理研发部副专业博士2018年江苏省双创人才2018年无锡市太湖创总经理联席首席技术官2019年至今任新领军人才2016年江苏省双创博士公司董事副总经理2005年至2009年历任富士胶片工程师华进科技江苏制程工程师铁姆肯无锡工东南大学装工程师圣本科技研发部主管2009年至机械设计国家青年机械设计一等奖获得者曾任先导智能工2018年历任无锡先导自动化机械工程师及胡彬副总经理制造及其程副总经理具有丰富的非标自动化设备的设计经机械研发部副经理先导智能副总2018年自动化专验光伏领域深耕多年行业经验丰富至2019年任微导有限常务副总2019年至业本科2021年任公司总经理2021年7月至今任公司副总经理光伏事业部总经理中国科学多年半导体行业薄膜工艺研发经历主导公司首台院大连化用于逻辑芯片28nmHfO2栅氧原子层沉积工艺开2016年至2018年任中芯国际研发工程半导体事业部学物理研发并通过客户产线验收2021年江苏省双创人师2018年至2019年任微导有限研发主许所昌工艺副总监究所物理才2021年无锡市太湖人才计划创新领军人管2019年12月至今历任公司研发主化学专业才2020年江苏省双创团队核心成员2019年管研发经理工艺副总监博士江苏省双创博士拥有15年以上高效率太阳能电池设备与高效电池2007年至2012年任中国台湾工业技术研中山大学技术研发经验曾任中国台湾工业技术研究院高级究院工程师2012年至2019年任昱晶能光伏事业部副吴兴华物理专业工程师长期致力于高效率电池技术开发与产业化源副经理中来光电研发经理及生产厂长总经理硕士研究在N型高效电池制造领域积累了丰富的经2019年12月至今任公司光伏事业部副总验发表论文6篇荣获工研院杰出金牌研究奖经理资料来源招股说明书浙商证券研究所注带为公司核心技术人员研发团队专业储备深厚产线验证经验丰富自成立以来公司以海内外专家为核心积极引入和培养一批经验丰富的电气工艺机械软件等领域工程师形成了跨专业多层次的人才梯队不断助力下游应用领域关键产品和技术的攻关与突破截至2022年6月30日公司研发人员共有206名占公司员工总数的255截至2022年11月httpwwwstockecomcn1146请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度公司已取得97项国家授权专利其中发明专利14项实用新型专利74项外观设计专利9项软件著作权19项持续高研发投入提升核心竞争力加大新技术布局公司成立以来不断加强研发投入2019-2022年前三季度研发费用3109537397049355万元研发费用率14172324公司高度重视半导体及光伏技术研发积极布局柔性电子新能源电池等新技术2022年1-6月半导体领域研发投入占比为55在研项目包括半导体制造ALD设备平台尖端存储器件ALD设备工艺及研发先进化合物半导体及微机电关键工艺研发等光伏领域研发投入占比35主要投向TOPConxBC叠层电池等光伏新技术图122022年前三季度公司研发费用占比24图132022年上半年公司各业务领域研发费用投入占比273555半导体光伏柔性电子新能源资料来源Wind浙商证券研究所资料来源招股说明书浙商证券研究所表2公司积极投入研发布局半导体光伏等领域研发费用率公司名称201920202021捷佳伟创485473471迈为股份6567261071光伏设备金辰股份885681807平均值675627783北方华创280326562987中微公司218128142342半导体设备拓荆科技295828193804平均值264727633044微导纳米144117192268资料来源Wind浙商证券研究所北方华创中微公司存在研发费用资本化的情况图中数据为总研发投入费用化研发投入资本化研发投入占营业收入比例14收入规模快速增长在手订单充足业绩高增可期受益于下游扩产及产品线拓宽公司营收快速增长2018-2021年公司营收由4191万元增长至428亿元年化复合增长率1172022年前三季度公司实现营收385亿元同比增长668主要系公司电池设备销售收入取得增长首批应用于光伏TOPCon电池的专用设备取得客户验收并在柔性电子领域实现ALD设备销售随着公司光伏半导体柔性电子等更多产品在客户端取得验证公司收入有望继续增长2018-2022前三季度公司归母净利润分别为-2827545557014611-325万元利润水平有所波动2022年前三季度净利润下降主要系公司收入结构变化导致主营业务毛利率有所波动且设备产品验收周期长导致收入确认与因订单增加而相应增加的管理httpwwwstockecomcn1246请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度销售费用周期不一致以及公司持续加大研发投入导致研发费用增加所致预计随着公司营收增长及规模效应下费用率下降公司利润有望修复图142018-2021年公司营收复合增长率117图152022年前三季度归母净利润-3255万元资料来源Wind浙商证券研究所资料来源Wind浙商证券研究所毛利端产品线逐步稳定预计未来毛利率稳中有升2019-2022前三季度公司业务毛利率分别为5405194583712021年公司主营业务毛利率同比所下降主要系夸父KF管式PECVD系统祝融ZR管式PEALD系统于PERC技术路线的应用在市场上已存在成熟的竞争方案参考市场水平定价毛利率偏低2022年1-9月公司主营业务毛利率较2021年有所下降主要系公司毛利率较高的配套产品及服务主要为设备改造业务收入占比由2021年的2971下降至362从而导致主营业务毛利率较上年有所下降费用端高研发费用导致期间费用率较高2022年1-9月公司期间费用率399主要是公司在TOPConxBC等光伏新型高效电池和半导体各细分领域的产品技术方面持续加强研发因此扩充了管理销售研发等人员导致期间费用较上年度同期大幅增长未来随着营收的增长规模效应下公司期间费用率预计下降盈利能力有望提升图162021年公司毛利率458图172022年1-9月公司期间费用率399资料来源Wind浙商证券研究所资料来源Wind浙商证券研究所合同负债及存货高增长在手订单充足业绩成长性高2022年9月末公司合同负债和存货分别达到44亿元和76亿元较2021年末增长32亿元和36亿元公司主要产品在光伏半导体柔性电子三大应用领域均实现了产业化应用在手订单充足截至2022年9月末公司在手订单1975亿元其中专用设备在手订单合计1856亿元设备改造业务在手订单合计115亿元httpwwwstockecomcn1346请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度图182022三季度末合同负债大幅增长至44亿元图192022三季度末公司存货高达76亿元资料来源Wind公司财报浙商证券研究所资料来源Wind公司财报浙商证券研究所图202022年三季度末公司在手订单大幅增长至1975亿元图212022年三季度末专用设备在手订单占比94225设备改造业1975务58201629其它专用设备13515878107926502019202020212022Q22022Q3ALD设备期末在手订单亿元807资料来源公司公告浙商证券研究所资料来源招股说明书浙商证券研究所15募投加码ALD设备未来两年产能大幅提升根据招股说明书本次募投项目为基于原子层沉积技术的光伏及柔性电子设备扩产升级项目基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产升级项目集成电路高端装备产业化应用中心项目及补充流动资金募集资金10亿元均投向科技创新领域项目一基于原子层沉积技术的光伏及柔性电子设备扩产升级项目基于公司现有ALD设备产线进行升级扩产开发适用于光伏柔性电子的ALD设备新增年产120台ALD设备的生产能力总投资规模为2642102万元项目建设期2年利用现有租赁厂房进行改造建设项目二基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产升级项目基于公司现有ALD设备产线进行升级扩产开发适用于半导体的ALD设备新增年产40套ALD设备总投资规模为6331080万元项目建设期拟定3年利用现有租赁厂房进行改造建设项目三集成电路高端装备产业化应用中心项目设立集成电路高端装备产业化应用中心推动基于ALD技术的集成电路高端制造装备产业化应用总投资规模为1181174万元httpwwwstockecomcn1446请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度补充流动资金本次拟使用1500000万元募集资金用于补充流动资金随着光伏半导体等行业持续发展带动了上游装备市场和公司业务的增长通过补充流动资金可以满足公司购买原材料产品生产以及日常运营需求能够有效提高公司的偿债能力降低公司流动性风险并对公司研发投入和人才队伍建设给予有力的支持表3募投项目加码基于ALD技术的光伏柔性电子半导体设备扩产升级等项目序号项目名称项目总投资额万元募集资金投资额万元1基于原子层沉积技术的光伏及柔性电子设备扩产升级项目264210225000002基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产升级项目633108050000003集成电路高端装备产业化应用中心项目118117410000004补充流动资金15000001500000合计1165435610000000资料来源招股说明书浙商证券研究所2ALD技术应用空间广阔半导体光伏等行业发展带来新机遇21ALD技术可精准镀膜技术延展性强应用领域广泛211ALD可精准控制薄膜厚度具备良好的三维共形性均匀性原子层沉积AtomicLayerDepositionALD本质上是一种特殊的化学气相沉积ChemicalVaporDepositionCVD技术通过将气相前驱体脉冲交替通入反应室并在沉积基体上反应而形成薄膜的一种方法具有优异的三维贴合性大面积的沉积均匀性和精确的亚单层膜厚控制等特点ALD技术核心特点在于其独特的自限制生长特性因此其不像CVDPVD是一个连续的工艺过程而是由若干个半反应组成以经典的ALD沉积Al2O3为例生长过程分为四个步骤1金属前驱体三甲基铝AlCH33通入反应腔在沉积基底表面发生化学吸附反应A2惰性气体清洗一般为高纯氮气或氩气未反应的TMA和反应副产物甲烷带出反应腔3将水蒸气通入反应室水蒸气和衬底表面TMA发生化学反应B形成氧化铝4再次通入惰性气体清除多余水蒸气和反应副产物如此为一个生长循环氧化铝的厚度由生长循环数控制图22自限制生长是ALD技术的核心特性资料来源招股说明书浙商证券研究所httpwwwstockecomcn1546请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度自限性反应机理决定了ALD技术具备多项独特的薄膜沉积优势1拥有良好的三维共形性广泛适用于不同形状的基底2成膜大面积的均匀性且致密无针孔3可实现亚纳米级薄膜厚度的精确控制ALD技术局限主要在于沉积速度低前驱体材料受限等表4ALD工艺特点良好的三维共形性均匀性精确控制ALD工艺的特点ALD的优势ALD的局限精确简单的模厚控制仅与反应循环次数有关无需精确低沉积速度低的工艺温度导致低的结晶性多控制反应蒸汽流量优异的三维贴合性和大面积的均匀性自限制生长工艺余前驱体排空产生的经济性环保问题偏离理规模化生产的能力致密无针孔薄膜低的热预算通常沉想的ALD生长模式积温度在室温400度通过交替输入反应物蒸汽进避免气相反应可以使用高活性的前驱体原子层组成控缺乏合适的前驱体材料选择受限杂质残余行表面交换反应制适合界面修饰和制备多组元纳米叠层结构如H通常存在ALD窗口制备多层结构直接掺杂好的重复性三元和复杂氧化物ALD窗口缺乏如超导YBCO资料来源原子层沉积技术原理与应用浙商证券研究所212ALD技术延展性强未来有望在多领域应用ALD技术应用领域多市场空间大ALD技术由芬兰科学家TuomoSuntola博士及其同事在1974年发明最先应用于电发光平板显示器并于80年代实现产业化2001年国际半导体工业协会将ALD技术列入与微电子工艺兼容的候选技术以来其发展势头强劲2007年Intel公司首先将ALD沉积超薄氧化铪作为栅介质层薄膜替代常规二氧化硅栅介质薄膜引入到45nm工艺中获得了功耗更低速度更快的酷睿微处理器目前ALD技术应用已从集成电路扩展到光伏锂电池催化能源显示器生物分离膜及密封涂层等领域表5ALD技术应用领域广阔资料来源原子层沉积技术原理与应用浙商证券研究所在集成电路摩尔领域ALD技术应用逐步拓展近年来晶圆制造的复杂度和工序量大大提升以逻辑芯片为例随着90nm以下制程的产线数量增多尤其是28nm及以下工艺的产线对镀膜厚度和精度控制的要求更高特别是引入多重曝光技术后工序数和设备数均大幅提高在存储芯片领域主流制造工艺已由2DNAND发展为3DNAND结构内部层数不断增高元器件逐步呈现高密度高深宽比结构由于ALD在每个周期中httpwwwstockecomcn1646请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度生长的薄膜厚度是一定的拥有精确的膜厚控制和优越的台阶覆盖率因此能够较好的满足器件尺寸不断缩小和结构3D立体化对于薄膜沉积工序中薄膜的厚度三维共形性等方面的更高要求随着芯片制程缩小而在部分环节取代PVD和CVD图23ALD在集成电路领域的应用资料来源Yole浙商证券研究所摩尔领域之外市场空间广阔2020-2026年市场规模CAGR约12ALD最多地应用在集成电路制造中但不可忽略的是ALD技术在微机电系统光电子射频元件功率元件CMOS传感器先进封装等超摩尔领域具有重要应用根据Yole预测在以上领域ALD市场规模将由2020年的345亿美元增长至2026年的68亿美元CAGR约12从各细分领域来看1光电子器件中预计ALD技术在microLEDminiLED硅基OLED等应用2020年至2026年的复合年增长达302功率元件2020-2026CAGR预计123射频元件2020-2026CAGR154先进封装2020-2026年CAGR13图24ALD在非集成电路领域的应用市场空间不断增长80070060050040030020010002020202120222023202420252026微机电系统光电子射频元件功率元件CMOS图像传感器先进封装资料来源Yole浙商证券研究所注光电子包括microLEDminiLED硅基微型OLED和固态激光应用全球头部厂商不断拓展超摩尔领域应用2020年在超摩尔领域ASMTELPicosun占据全球份额的58ASMTEL是全球头部半导体设备公司主要应用领域在逻辑和存储器件Picosun是一家专注于ALD技术的公司积极扩展逻辑存储市场之外的httpwwwstockecomcn1746请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度超摩尔市场目前其产品覆盖领域除了新型存储器MEMSRF化合物半导体功率器件先进封装之外还涉足医疗奢侈品能源和工业涂料市场图252020年非集成电路市场全球ALD市场份额资料来源Yole浙商证券研究所22半导体设备国产替代正当时ALD设备空间打开221我国是全球最大半导体设备市场晶圆厂逆周期扩产带来设备增量中国大陆成为全球最大半导体设备市场销售额增速显著高于全球2005-2021年全球中国大陆半导体设备销售额年化复合增长率分别为721中国大陆市场增速显著快于全球2021年全球中国大陆半导体设备销售额分别为1026亿美元296亿美元同比增长4458全球半导体产业不断向我国大陆转移我国半导体设备销售额占全球比重逐年提升2021年中国大陆半导体设备销售额占全球销售额29是全球最大半导体设备市场图262021年全球半导体设备销售额1026亿美元yoy44图272021年中国大陆半导体设备销售额296亿美元yoy5812002003503503001000150300250250800100200200150600501501004000501000200-5050-500-1000-1002005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120112005200620072008200920102012201320142015201620172018201920202021全球半导体设备销售额亿美元yoy中国大陆半导体设备销售额亿美元yoy资料来源SEAJWind浙商证券研究所资料来源WindSEAJ浙商证券研究所中芯国际上调2022年资本开支中国大陆预计2022-2026年新增25座12英寸晶圆厂中芯国际上调2022年资本开支从50亿美元至66亿美元预计未来57年新增34w片产能扩产据集微网统计2022年中国大陆共有23座12英寸晶圆厂正在投产总计月产httpwwwstockecomcn1846请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度能约为1042万片与总规划月产能1565万片相比产能装载率仅达到6658仍有较大扩产空间预计中国大陆2022年-2026年还将新增25座12英寸晶圆厂总规划月产能将超过160万片预计截至2026年底中国大陆12英寸晶圆厂的总月产能将超过2763万片相比目前提高1651图282021-2022年中国大陆12英寸晶圆厂月产能万片图292017-2026年中国大陆地区12英寸厂增量预测座180501604540140351203010025802015601040520002021年初2022年初12英寸月产能产能提升空间原12英寸厂投产数量当年新增投产数量资料来源集微网浙商证券研究所资料来源集微网浙商证券研究所222薄膜沉积设备晶圆制造主设备之一2020-2025年全球市场规模CAGR15刻蚀薄膜沉积光刻设备为半导体三大核心工艺设备占设备投资额约80在晶圆制造设备中刻蚀设备薄膜沉积设备光刻设备是价值量最高的三大主设备分别占比约302523薄膜沉积设备价值量仅次于刻蚀设备薄膜沉积设备技术种类最多如PECVDLPCVDPVDALD等ALD设备约占薄膜沉积设备价值量的11图30晶圆制造三大核心工艺及国内外主要设备公司资料来源SEMILAMASML浙商证券研究所httpwwwstockecomcn1946请务必阅读正文之后的免责条款部分微导纳米688147公司深度图31薄膜沉积设备是晶圆制造三大主设备之一种类繁多资料来源SEMI拓荆科技招股书浙商证券研究所薄膜沉积是指采用物理或者化学的方法使物质附着于衬底材料表面的过程按工艺原理的不同集成电路薄膜沉积可分为物理气相沉积PhysicalVaporDepositionPVD化学气相沉积ChemicalVaporDepositionCVD和原子层沉积AtomicLayerDepositionALD设备1物理气相沉积PVD采用物理方法将材料源固体或液体表面气化成气态原子或分子或部分电离成离子并通过低压气体或等离子体过程在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术PVD镀膜技术主要分为三类真空蒸发镀膜真空溅射镀膜和真空离子镀膜2化学气相沉积CVD化学气体在外部能量作用下发生化学反应在衬底表面沉积薄膜的一种工艺用于沉积的材料包括介电材料绝缘薄膜硬掩模层以及金属膜层的沉积常见的CVD包括低压化学气相沉积LPCVD常压化学气相沉积APCVD等离子体增强型气相沉积PECVD金属有机化合物化学气相沉积MOCVD3原子层沉积ALD原子逐层沉积在衬底材料上的工艺通过将两种或多种前驱物交替通过衬底表面发生化学吸附反应逐层沉积在衬底表面能对复杂形貌基底表面全覆盖成膜由于ALD设备可以实现高深宽比极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制在结构复杂薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片DRAM和3DNAND制造中ALD是必不可少的核心设备之一ALD设备主要分为PE-ALD和ThermalALD图32薄膜沉积设备技术分类资料来源招股说明书浙商证券研究所httpwwwstockecomcn2046请务必阅读正文之后的免责条款部分