核心观点：
　　本土ALD设备领军者，坚持高研发投入夯实竞争壁垒。微导纳米成立于2015年，主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发生产和销售。公司高度重视研发投入，具备深厚的技术和人才储备，公司立足ALD技术和产品，拓展了PECVD、PEALD二合一等产品类型，目前已经实现在光伏、半导体、柔性电子领域的产业化应用，并提供配套产品及服务。截至2022Q3，公司在手订单19.75亿元，订单金额迅速增长。
　　薄膜沉积设备下游需求旺盛，ALD设备国产替代需求迫切。薄膜沉积设备广泛应用于光伏、半导体等领域的生产制造环节。光伏市场新增装机量迅速增长，新一代N型电池产线中薄膜沉积工艺环节增量明显。半导体市场产能扩充，先进制程演进增加了薄膜沉积工艺数量。ALD设备在半导体先进制程应用中技术优势明显，市场占比有提升趋势，且国产化水平相较于其他薄膜沉积设备较低，国产替代需求迫切。
　　丰富产品序列、拓宽下游应用，ALD细分赛道龙头阔步前行。在光伏市场，公司以ALD为核心，向PECVD和PEALD二合一产品领域不断拓展，产品应用覆盖日趋完善，与国内前十名电池片企业均建立了合作关系，具有较强的市场影响力。在半导体市场，公司产品在28nm逻辑器件制造的High-k材料沉积环节产业化应用，实现了“卡脖子”技术突破，获得多家国内知名半导体公司的商业订单。公司是国内ALD设备行业的领军者，未来有望充分受益于产品覆盖程度、下游应用领域的完善拓展，以及薄膜沉积设备的国产化进程。
　　盈利预测与投资建议。预计公司22-24年营收分别为6.19/11.82/16.73亿元，参考可比公司估值水平，给予公司2023年10~11倍PS估值,对应合理价值区间为26.00~28.60元/股。
　　风险提示。技术研发不及预期；新产品进展不及预期；客户集中度较高

研究报告全文：TablePage新股分析半导体与半导体生产设备证券研究报告微导纳米TableTitle688147SH合理价值区间TableNewStockPrice26002860元股报告日期2022-12-21本土设备领军者空间广阔未来可期ALD发行前财务数据TableNewStockIssueBTableSummary核心观点每股净资产元216资产负债率349本土设备领军者坚持高研发投入夯实竞争壁垒微导纳米成立ALDROE52于年主要从事先进微纳米级薄膜沉积设备的研发生产和销售2015ROA38公司高度重视研发投入具备深厚的技术和人才储备公司立足ALD流动比率倍286技术和产品拓展了二合一等产品类型目前已经实PECVDPEALD速动比率倍121现在光伏半导体柔性电子领域的产业化应用并提供配套产品及服务截至公司在手订单亿元订单金额迅速增长2022Q31975TableNewStockIssue发行资料薄膜沉积设备下游需求旺盛ALD设备国产替代需求迫切薄膜沉积发行股数万股4544设备广泛应用于光伏半导体等领域的生产制造环节光伏市场新增装发行前股本万股40901机量迅速增长新一代N型电池产线中薄膜沉积工艺环节增量明显发行日期2022-12-13半导体市场产能扩充先进制程演进增加了薄膜沉积工艺数量ALD设上市日期备在半导体先进制程应用中技术优势明显市场占比有提升趋势且国主承销商浙商证券股份有限公司产化水平相较于其他薄膜沉积设备较低国产替代需求迫切无锡万海盈投资合伙企丰富产品序列拓宽下游应用ALD细分赛道龙头阔步前行在光伏主要股东业有限合伙市场公司以ALD为核心向PECVD和PEALD二合一产品领域不战略配售网下发行与断拓展产品应用覆盖日趋完善与国内前十名电池片企业均建立了合发行方式网上发行相结合作关系具有较强的市场影响力在半导体市场公司产品在28nm逻辑器件制造的High-k材料沉积环节产业化应用实现了卡脖子技分析师TableAuthor王亮术突破获得多家国内知名半导体公司的商业订单公司是国内ALDSAC执证号S0260519060001设备行业的领军者未来有望充分受益于产品覆盖程度下游应用领域SFCCENoBFS478的完善拓展以及薄膜沉积设备的国产化进程021-38003658盈利预测与投资建议预计公司22-24年营收分别为61911821673gfwanglianggfcomcn亿元参考可比公司估值水平给予公司2023年1011倍PS估值对分析师耿正应合理价值区间为26002860元股SAC执证号S0260520090002风险提示技术研发不及预期新产品进展不及预期客户集中度较高021-38003660gengzhenggfcomcn盈利预测请注意耿正并非香港证券及期货事务监察委员会的注册TableFinance2020A2021A2022E2023E2024E持牌人不可在香港从事受监管活动营业收入百万元31342861911821673增长率448369447908416联系人TableContac焦鼎ts021-38003658EBITDA百万元724857145223jiaodinggfcomcn归母净利润百万元574630112169增长率45-191-3412678508EPS元股114011007025037市盈率x-----ROE8852165576EVEBITDAx-----数据来源公司财务报表广发证券发展研究中心识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明134TablePageText微导纳米新股分析目录索引一微导纳米本土ALD设备领军者坚持高研发投入夯实竞争壁垒5一坚持高研发投入夯实竞争壁垒6二营收高速成长产品拓展取得成效8二薄膜沉积设备下游需求旺盛ALD设备国产替代需求迫切10一光伏市场新增装机需求方兴未艾技术迭代带来对薄膜沉积设备新增需求11二半导体市场产能扩充与技术发展驱动薄膜沉积设备市场空间成长ALD设备国产替代需求较为迫切15三丰富产品序列拓宽下游应用ALD细分赛道龙头阔步前行20一立足ALD完成产品多元化布局不断拓展下游应用领域20二技术储备丰富实现科技成果与产业应用的深度融合22三光伏领域已积累优质客户资源半导体设备市场推广进展顺利24四国产ALD设备细分赛道龙头具备广阔成长潜力26四盈利预测和投资建议28五风险提示31识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明234TablePageText微导纳米新股分析图表索引图1微导纳米发展历程5图2公司主要设备产品及服务6图3公司股权架构截止2022年12月6图42019-2022Q3公司研发支出与研发费用率7图5同行业可比公司研发费用率对比7图62018-2022Q3公司营业收入及增速8图72018-2022Q3公司归母净利润及净利率8图82019-2022Q3公司期间费用率和研发费用率8图92019-2022Q3公司营收结构9图10光伏专用设备营收结构9图112019-2022Q3公司分业务毛利率9图122019-2022H1公司细分产品毛利率9图13截至2050年各类能源部门的装机情况预测GW11图14全球光伏年度新增装机规模及预测GW12图15中国光伏年度新增装机规模及预测GW12图16各种电池技术市场占比变化趋势13图17PERC和TOPCon电池工艺流程及各环节主要设备14图182013-2021年全球光伏设备行业销售收入15图19晶圆厂投资构成16图20全球半导体薄膜沉积设备市场规模16图212019和2020年半导体薄膜沉积设备占比16图222019年全球CVD市场竞争格局17图232019年全球ALD市场竞争格局17图24半导体薄膜沉积设备国产化情况18图25High-kMetalGate工艺示意图25表1公司核心技术人员7表2薄膜沉积设备分类10表3不同薄膜沉积设备的原理及优缺点10表4太阳能电池片技术路线12表5PERCN型电池产线建设投资情况及薄膜沉积等设备投资占比14表6中国大陆部分晶圆产线的产能及扩产统计17表7公司夸父KF系列ALD和PECVD设备情况20表8公司祝融ZR系列PEALD设备与羲和XH低压扩散炉管设备情况21表9公司半导体领域设备产品情况21表10公司其他领域设备产品情况22识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明334TablePageText微导纳米新股分析表11公司核心技术概况22表12同行业公司Al2O3镀膜设备核心指标对比23表13公司半导体设备核心性能指标与国际水平比较情况23表14公司在研项目情况24表15公司产品在国内光伏行业领先的电池片厂商的客户覆盖情况25表16光伏领域同行业可比公司情况26表17半导体领域同行业可比公司情况27表18微导纳米收入毛利拆分预测百万元29表19微导纳米可比公司PS估值情况30识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明434TablePageText微导纳米新股分析一微导纳米本土ALD设备领军者坚持高研发投入夯实竞争壁垒微导纳米本土ALD设备领军者微导纳米成立于2015年总部位于江苏无锡公司是一家面向全球的高端设备制造商以原子层沉积ALD技术为核心主要从事先进微纳米级薄膜沉积设备的研发生产和销售向下游客户提供先进薄膜沉积设备配套产品及服务公司是工信部第三批专精特新小巨人企业具备深厚的技术储备和人才储备积极推动高端技术装备的国产化产业化图1微导纳米发展历程数据来源公司招股书广发证券发展研究中心深耕薄膜沉积设备布局光伏半导体柔性电子等下游领域公司已开发出适用于光伏半导体等应用领域的多款薄膜沉积设备并提供配套产品及服务在光伏领域公司可提供ALDPECVDPEALD二合一等多类产品已产业化应用于PERC和TOPCon电池产线实现Al2O3钝化膜SiNx薄膜SiOx隧穿层和掺杂多晶硅薄膜等多类型薄膜的沉积制备在半导体领域公司已有TALD设备产业化应用于12寸及8寸晶圆产线中氧化物氮化物及金属镀膜工艺另有多款TALDPEALD产品处于产业化验证阶段公司TALD产品在柔性电子领域也实现了产业化应用识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明534TablePageText微导纳米新股分析图2公司主要设备产品及服务数据来源公司招股书广发证券发展研究中心公司股权结构较为集中核心高管持股构建利益共同体截至2022年12月12日万海盈投资直接持有公司5686的股份为公司控股股东公司董事长王磊分别持有德厚盈投资7900聚海盈管理7428的财产份额与其父王燕清其母倪亚兰公司董事通过万海盈投资聚海盈管理德厚盈投资合计间接控制公司6734的股份为公司共同实际控制人聚海盈管理德厚盈投资为公司控股股东实际控制人的一致行动人同时公司副董事长兼首席技术官LIWEIMIN副总经理LIXIANG和胡彬监事会主席潘景伟分别持有公司1047493308220的股份核心高管持股有利于构建公司与管理层的利益共同体激发经营活力促进公司的长期稳定发展图3公司股权架构截止2022年12月数据来源公司招股书广发证券发展研究中心一坚持高研发投入夯实竞争壁垒公司研发团队实力雄厚核心技术人员背景出众自成立以来公司以海内外识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明634TablePageText微导纳米新股分析专家为核心积极引入和培养了一批经验丰富的电气工艺机械软件等领域工程师形成了跨专业多层次的人才梯队截至2021年末公司共有188名研发人员占公司员工总数的3679公司首席技术官LIWEIMING黎微明是最早开始研究ALD技术的华人之一拥有25年以上ALD技术的研发和产业化经验掌握国际领先的原子层沉积技术公司其他核心技术人员亦深耕半导体薄膜工艺和太阳能电池设备多年具备丰富的产业经验表1公司核心技术人员名字职务研究经历与成果拥有25年以上原子层沉积ALD技术的研发和产业化经验掌握国际领先的原子层沉积技术是最早开始研究LIWEI副董事长ALD技术的华人之一在国际ALD技术领域享有较高声誉在国际主流杂志及专业会议发表论文50多篇承MIN首席技术官担国内外政府科技项目共8项长期致力于ALD技术的国际合作和在中国的推广半导体器件及制造工艺技术专家曾从事新型半导体器件制造工艺和整合的研发工作积累了丰富的原子层沉积LIXIANG副总经理ALD工艺技术研发和量产导入经验对于ALD工艺在微纳器件上的应用有着深刻的理解在国内外核心期刊发表论文35篇多年半导体行业薄膜工艺研发经历致力于先进半导体工艺和技术开发在28nm及以下先进制程中原子层沉积许所昌核心技术人员技术应用方面积累了大量经验参与政府科技项目共4项拥有15年以上高效率太阳能电池设备与高效电池技术研发经验曾任中国台湾工业技术研究院高级工程师长吴兴华核心技术人员期致力于高效率电池技术开发与产业化研究在N型高效电池制造领域积累了丰富的经验发表论文6篇荣获工研院杰出金牌研究奖数据来源公司招股书广发证券发展研究中心坚持高强度研发投入夯实核心竞争壁垒公司始终以研发技术水平作为核心竞争力高度重视研发工作目前光伏半导体及新兴应用行业正处于历史性机遇期公司为保持竞争活力继续优化产品开拓新兴应用市场及领域不断加大研发投入2019年至2022年Q1-3公司研发支出分别为031亿元054亿元097亿元094亿元占营业收入的比例不断提升分别为1441171922682429高强度的研发投入为公司增强核心竞争优势实现中长期战略发展夯实了根基图42019-2022Q3公司研发支出与研发费用率图5同行业可比公司研发费用率对比12030403510025308020256015201540101020550002019202020212022Q1-3捷佳伟创北方华创中微公司拓荆科技平均值微导纳米研发费用百万元左轴研发费用率右轴201920202021数据来源Wind广发证券发展研究中心数据来源Wind广发证券发展研究中心识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明734TablePageText微导纳米新股分析二营收高速成长产品拓展取得成效营收高速增长费用率提高影响短期盈利能力2018-2021年公司营业收入从042亿元增长到428亿元CAGR达116942022年Q1-3公司实现营收385亿元同比增长6680营收维持高速增长态势公司2019年实现归母净利润扭亏为盈并于2019-2021年期间保持盈利同期由于公司持续推进研发管理销售团队建设净利率有所下降2022Q1-3受到公司费用率升高及疫情对公司经营的影响公司出现亏损2022Q3单季度公司实现归母净利润036亿元再次实现扭亏图62018-2022Q3公司营业收入及增速图72018-2022Q3公司归母净利润及净利率4508080304007060253506020300405025015402020010301500510020-205010000-40-520182019202020212022Q1-320182019202020212022Q1-3营业收入百万元左轴YoY归母净利润百万元左轴净利率右轴数据来源Wind广发证券发展研究中心数据来源Wind广发证券发展研究中心图82019-2022Q3公司期间费用率和研发费用率4540353025201510502019202020212022Q1-3销售费用率管理费用率研发费用率财务费用率合计数据来源Wind广发证券发展研究中心下游应用拓展至半导体领域光伏专用设备产品结构日益丰富2022年Q1-3光伏专用设备占公司营收比为光伏仍然是公司产品的主要下游应用领域9377随着公司半导体设备的研发投入及验证通过公司完成了半导体设备在客户端的出货与确认收入2021年2022年Q1-3公司半导体领域设备营收占比分别为589识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明834TablePageText微导纳米新股分析247公司在光伏设备领域产品结构逐渐丰富在立足ALD同时完成了光伏领域PECVD和PEALD产品的出货受到出货结构影响公司光伏专用设备毛利率2021有一定程度下降从细分产品角度看公司ALD产品毛利率稳中有升图92019-2022Q3公司营收结构图10光伏专用设备营收结构1001008080606040402020002019202020212019202020212022Q1-3ALD设备PEALD二合一平台设备PECVD设备光伏专用设备半导体专用设备配套产品及服务其他业务数据来源Wind广发证券发展研究中心数据来源Wind广发证券发展研究中心图112019-2022Q3公司分业务毛利率图122019-2022H1公司细分产品毛利率10060804060402020002019202020212022H12019202020212022Q1-3光伏领域-ALD设备光伏领域-PEALD二合一平台设备光伏专用设备半导体专用设备光伏领域-PECVD设备配套产品及服务总体半导体领域-真空传输系统半导体领域-ALD设备数据来源Wind广发证券发展研究中心数据来源Wind广发证券发展研究中心识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明934TablePageText微导纳米新股分析二薄膜沉积设备下游需求旺盛ALD设备国产替代需求迫切薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体绝缘体或者半导体等材料膜层使之具备一定的特殊性能广泛应用于光伏半导体等领域的生产制造环节薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积PVD设备化学气相沉积CVD设备和原子层沉积ALD设备表2薄膜沉积设备分类数据来源公司招股书广发证券发展研究中心表3不同薄膜沉积设备的原理及优缺点沉积类型原理优缺点效果图物理气相沉积PVD技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源固体或沉积速率较快薄膜厚度较厚液体表面气化成气态原子或分子或部分电离成离子并通过低压气体或对于纳米级的膜厚精度控制差PVD等离子体过程在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术PVD镀镀膜具有单一方向性厚度均匀膜技术主要分为三类真空蒸发镀膜真空溅射镀膜和真空离子镀膜性差阶梯覆盖率差化学气相沉积CVD是通过化学反应的方式利用加热等离子或光辐射等沉积速率一般微米分钟中各种能源在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经等的薄膜厚度依赖于反应循环CVD化学反应形成固态沉积物的技术是一种通过气体混合的化学反应在基体表次数镀膜具有单一方向性面沉积薄膜的工艺可应用于绝缘薄膜硬掩模层以及金属膜层的沉积阶梯覆盖率一般ALD技术通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室并在沉积基底上发生表面饱和化学反应形成薄膜通过ALD镀膜设备可以将物质以单原子层的形式一沉积速率较慢纳米分钟原层一层沉积在基底表面每镀膜一次层为一个原子层根据原子特性镀膜子层级的薄膜厚度大面积薄膜ALD10次层约为1nm由于ALD技术表面化学反应具有自限性因此拥有多项厚度均匀性好阶梯覆盖率最独特的薄膜沉积特性1三维共形性广泛适用于不同形状的基底2大面好薄膜致密无针孔积成膜的均匀性且致密无针孔3可实现亚纳米级的薄膜厚度控制数据来源公司招股书广发证券发展研究中心识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明1034TablePageText微导纳米新股分析一光伏市场新增装机需求方兴未艾技术迭代带来对薄膜沉积设备新增需求1市场需求端新增装机需求方兴未艾全球清洁能源推广普及大势所趋太阳能风能引领全球电力行业转型IRENA根据巴黎协定制定的目标进行测算从现在起至2050年与能源有关的二氧化碳排放量需要每年减少35左右并在此后持续减少因此全球能源格局的深刻变革对于实现该协定的气候目标至关重要清洁能源的普及和迅速发展是确定性较高的行业发展方向太阳能风能是主要的清洁能源将有较高的可能性取代传统的化石燃料发电根据IRENA预测2050年全球装机发电中太阳能风能合计占比将超过70图13截至2050年各类能源部门的装机情况预测GW数据来源IRENA公司招股书广发证券发展研究中心光伏新增装机量增长迅速根据中国光伏行业协会数据2021年全球光伏新增装机量达到1683GW预计全球光伏年度新增装机量仍将保持快速增长态势2030年年度新增装机量有望达到3638GW2021年国内光伏新增装机5488GW2020年12月31日习近平主席在气候雄心峰会上宣布到2030年中国非化石能源占一次能源消费比重将达到25左右根据预测2030年中国年度新增装机量有望超过120GW识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明1134TablePageText微导纳米新股分析图14全球光伏年度新增装机规模及预测GW图15中国光伏年度新增装机规模及预测GW40014035012030010025080200601501004050200020112012201320142015201620172018201920202021201120122013201420152016201720182019202020212022E2023E2024E2025E2027E2030E2022E2023E2024E2025E2027E2030E保守情况乐观情况保守情况乐观情况数据来源CPIA广发证券发展研究中心数据来源CPIA广发证券发展研究中心2产业技术端长期看TOPConHJT电池将成为未来产业化主流太阳能电池片按照硅片原材料不同可以分为P型电池和N型电池P型电池以P型硅片为原材料技术路线包括传统的铝背场技术以及目前非常成熟的PERC技术N型电池以N型硅片为原材料技术路线包括TOPConHJT等近年来已有厂商陆续开始布局属于下一代高效电池技术路线的潜在方向而IBC和钙钛矿为未来技术尚处于实验和验证阶段表4太阳能电池片技术路线技术路线原理Al-BSF电池是指在晶硅太阳能电池P-N结制备完成后通过在硅片的背光面沉积一层铝膜制备P层从而形成铝背场其Al-BSF技术既可以减少少数载流子在背面复合的概率同时也可以作为背面的金属电极因此能够提升太阳能电池的转换效率PERC技术采用的是在现有Al-BSF工艺上增加背面介质钝化层然后用激光在背表面进行打孔或开槽露出硅基体背面介质钝化层通过背面钝化工艺是在硅片背面沉积Al2O3和SiNXAl2O3由于具备较高的负电荷密度可以对P型表面提供良好的钝PERC技术化SiNX主要作用是保护背部钝化膜并保证电池正面的光学性能背面钝化可实现两点价值一是显著降低背表面少数载流子的复合速度从而提高少子的寿命增加电池开路电压二是在背表面形成良好的内反射机制增加光吸收的几率减少光损失由于PERC电池具有结构简单工艺流程短设备成熟度高等优点已经替代Al-BSF电池并成为成熟电池工艺TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触电池技术与常规电池最大的不同在于其在电池的背面采用了接TOPCon技术触钝化技术结构包括超薄二氧化硅隧穿层和掺杂多晶硅层晶硅基底与掺杂多晶硅在背面形成异质结二者共同形成了钝化接触结构为电池的背面提供了优异的表面钝化HJT技术即异质结太阳能电池电池片中同时存在晶体和非晶体级别的硅非晶硅的存在能够更好地实现钝化HJT电池的制备工艺步骤简单且工艺温度较低可避免高温工艺对硅片的损伤并有效降低排放但是工艺难度大且产线与传统电池技术HJT技术不兼容需要重新购置主要生产设备产线投资规模较大目前异质结电池市场渗透率相对较低仅在部分企业中实现小规模量产IBC电池最大的特点是P-N结和金属接触都处于电池的背面正面没有金属电极遮挡的影响因此具有更高的短路电流同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻从而提高填充因子加上电池前表面场以及良好钝化作用带来的开路电压增益使IBC技术得这种正面无遮挡的电池就拥有了高转换效率相比于PERCTOPCon和HJTIBC电池的工艺流程和设备要复杂很多并且投资较高国内尚未实现大规模量产识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明1234TablePageText微导纳米新股分析钙钛矿太阳能电池是以钙钛矿晶体为吸光材料的一种新型太阳能电池技术与其它太阳能电池材料相比有机无机杂化钙钛矿钙钛矿材料的吸光系数高载流子传输距离长缺陷容忍度高带隙可调非常适合制备高效太阳能电池但由于电池本身受温度及湿度影响化学键合作用弱易形变光致衰退明显因此稳定性问题仍未解决尚处于小规模试验阶段数据来源公司招股书广发证券发展研究中心PERC是当前的主流技术长期来看TOPConHJT电池将成为未来产业化主流根据CPIA数据2021年新建量产产线仍以PERC电池产线为主随着PERC电池片新产能持续释放PERC电池片市场占比提升至912当前由于成本限制因素N型电池主要包括TOPCon电池和异质结电池市场占比仅约3我国光伏企业在TOPConHJT等下一代高效晶硅电池生产技术的研发上先后取得突破转换效率不断刷新世界记录效率更高的N型TOPCon电池HJT电池等有望成为P型PERC电池后的产业化主流技术图16各种电池技术市场占比变化趋势1009080706050403020100202120222023202520272030BSF电池PERC电池TOPCon电池异质结电池MWT电池IBC电池数据来源CPIA广发证券发展研究中心TOPCon电池和HJT电池产线对薄膜沉积的需求更高TOPCon电池生产线可以由PERC电池生产线升级改造实现除原薄膜沉积需求外还增加了隧穿层和掺杂多晶硅层镀膜需求HJT电池整体结构变化较大其制造环节只需4大类设备分别是制绒清洗设备投资占比10非晶硅沉积设备投资占比50透明导电薄膜设备投资占比25和印刷设备投资占比15其中非晶硅沉积设备透明导电薄膜设备均需要用到薄膜沉积设备识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明1334TablePageText微导纳米新股分析图17PERC和TOPCon电池工艺流程及各环节主要设备数据来源公司招股书广发证券发展研究中心TOPCon电池生产线投资金额薄膜沉积等设备投资占比均显著高于PERC产线根据上市公司披露的项目投资明细TOPCon含未披露具体技术类型的N型电池产线每GW设备平均投资规模253567亿元PERC产线约237393亿元前者相较于后者有比较明显的增加在PERC产线建设中薄膜沉积等设备的投资占比为2471-2673在TOPCon含N型电池产线建设中这一占比上升至3300-3912表5PERCN型电池产线建设投资情况及薄膜沉积等设备投资占比设备投资总额亿上市公司时间项目电池类型及规模薄膜沉积等设备投资占比元年产16GW高效单晶电池智能工厂中来股份20215TOPCon电池8GW20253643项目一期西咸乐叶年产15GW单晶高效单晶隆基股份20215TOPCon电池15GW46643457电池项目宁夏乐叶年产5GW单晶高效电池项隆基股份20215N型电池3GW10153300目一期3GW珠海年产65GW新世代高效晶硅太爱旭股份20214N型电池65GW36153734阳能电池建设项目义乌年产10GW新世代高效太阳能爱旭股份20214N型电池2GW11333663电池项目第一阶段2GW建设项目盐城年产16GW高效太阳能电池项天合光能202012PERC电池16GW54212471目识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明1434TablePageText微导纳米新股分析年产10GW高效太阳能电池项目天合光能202012PERC电池5GW16992673宿迁二期5GW宿迁三期年产8GW高效太阳能天合光能202012TOPCon电池8GW31413912电池项目年产75GW高效晶硅太阳能电池智通威太阳能20208PERC电池75GW17782617能工厂项目眉山二期年产75GW高效晶硅太阳能电池智通威太阳能20208PERC电池75GW18722485能互联工厂项目金堂一期数据来源公司招股书广发证券发展研究中心在全球能源格局的深刻变革中光伏产业迎来广阔的发展空间新增装机量逐年提升光伏电池产线建设方兴未艾作为新兴产业光伏电池技术路线仍处在发展迭代阶段N型电池TOPConHJT等有望成为下一代高效电池的主流技术路线相较于目前主流的PERC电池N型电池产线平均投资成本更高生产工艺中对薄膜沉积设备有增量需求因此产线投资中薄膜沉积设备占比也有所提升在市场需求与技术路线变革的双重影响下光伏市场薄膜沉积设备有望迎来更加广阔的成长空间图182013-2021年全球光伏设备行业销售收入704035603050254020153010205010-50-10201320142015201620172018201920202021全球光伏设备行业销售收入亿美元增长率数据来源CPIA公司招股书广发证券发展研究中心二半导体市场产能扩充与技术发展驱动薄膜沉积设备市场空间成长ALD设备国产替代需求较为迫切1ALD设备性能优异先进制程发展趋势下占比提升薄膜沉积设备是晶圆制造三大设备之一市场规模快速成长从晶圆厂的投资构成来看刻蚀设备光刻设备薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备其中薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的16占晶圆制造设备投资总额的21受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充以及技术演进带来的增长机遇薄膜沉积设备市场规模快速成长根据MaximizeMarketResearch数据2020年全球半导体薄膜沉积设备市场规模为172亿美元同比增长1097预计至2025年市场规模可达340亿美元2020-2025年CAGR为1460识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明1534TablePageText微导纳米新股分析图19晶圆厂投资构成图20全球半导体薄膜沉积设备市场规模4002535020300250152001501010055000市场规模亿美元左轴YoY数据来源智研咨询公司招股书广发证券发展研究中心数据来源MaximizeMarketResearch广发证券发展研究中心先进制程产线中ALD设备技术优势明显市场空间占比有提升趋势在半导体制程进入28nm后由于器件结构不断缩小且更为3D立体化生产过程中需要实现厚度更薄的膜层以及在更为立体的器件表面均匀镀膜同时由于芯片的线宽越来越窄结构越来越复杂薄膜性能参数精细化要求也随之提高如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性颗粒数量控制金属污染控制的要求逐步提高ALD设备凭借优异的三维共形性大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点在先进制程产线中技术优势愈加明显在半导体薄膜沉积设备中的市场占有率也将持续提高图212019和2020年半导体薄膜沉积设备细分品类占比数据来源Gartner公司招股书广发证券发展研究中心薄膜沉积设备行业呈现出高度垄断的竞争局面海外龙头占据主要市场薄膜沉积行业基本由应用材料AMAT先晶半导体ASMI泛林半导体Lam东京电子TEL等国际巨头垄断根据Gartner数据2019年在ALD市场TEL和ASMI分别占据了31和29的市场份额在CVD市场AMATLam和TEL三大厂商占据了全球70的市场份额识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明1634TablePageText微导纳米新股分析图222019年全球CVD市场竞争格局图232019年全球ALD市场竞争格局其他TEL30应用材料其他313040泛林半导体TEL2119ASM29数据来源Gartner拓荆科技招股书广发证券发展研究中心数据来源Gartner拓荆科技招股书广发证券发展研究中心2国内半导体设备需求旺盛ALD国产替代需求尤为迫切本土晶圆产能扩张带动半导体设备需求根据公司招股书引用的芯思想研究院发布的中国内地晶圆制造线白皮书截至2021年第二季度我国投产在建和规划的56条十二英寸晶圆制造线中已经投产的有27条在建未完工开工建设或签约项目有29条其中宣布投产的项目合计装机月产能约118万片在建未完工开工建设或签约项目的规划月产能总计132万片受益于中国大陆地区晶圆厂建设加速推进中国大陆半导体设备市场需求快速增长表6中国大陆部分晶圆产线的产能及扩产统计已有产能厂商地域工厂晶圆尺寸产能状态规划产能km扩产kmkm中芯南方12寸扩产6159Fab12寸已有22-上海Fab8寸已有11513520临港12寸在建-100100SZFab8寸已有557015深圳Fab12寸在建-4040中芯国际中芯国际Fab112寸已有52608北京中芯国际Fab212寸已有5010050中芯京城12寸在建-100100天津TJFab8寸已有73180107N18寸已有1515-宁波N28寸在建-3030绍兴-8寸扩产8010020Fab18寸已有6565-Fab28寸已有6060-华虹集团上海Fab38寸已有5353-Fab512寸已有3535-识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明1734TablePageText微导纳米新股分析Fab612寸扩产154025FabX12寸已有3535-FabX12寸扩产254520无锡Fab712寸扩产609535长江存储武汉-12寸扩产50300250武汉新芯武汉-12寸扩产277043合肥Fab112寸扩产4512075长鑫存储Fab212寸规划-120120Fab312寸规划-120120粤芯广州-12寸扩产308555Gta8寸在建-6060积塔半导体上海Gta12寸在建-5050ASMCFab38寸已有3030-一期8寸在建23028二期8寸规划-5050芯恩青岛一期12寸在建-1010二期12寸规划-3030晶合集成合肥NexchipN112寸已有4040-燕东微电子北京-8寸已有154025合计8寸约当162545452920数据来源中微公司2021年业绩说明会公开资料广发证券发展研究中心ALD设备相较于其他种类薄膜沉积设备国产替代需求更为迫切近年来随着国家对半导体产业的持续投入及本土企业的快速发展中国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善根据公司招股书数据半导体薄膜沉积设备的国产化率由2016年的5提升至2020年的8但总体占比尤其是中高端产品占比较低从细分品类看PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时与PVD设备和CVD设备相比ALD设备的必要性更加凸显在当前的时间节点其国产替代需求尤为迫切图24半导体薄膜沉积设备国产化情况100908070609250954030201080520162020国产设备进口设备数据来源公司招股书广发证券发展研究中心识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明1834TablePageText微导纳米新股分析本土ALD设备厂商技术路线产品布局各有侧重有望充分受益于国产替代需求目前国内拥有半导体ALD技术产业化能力的企业数量较少根据公司招股书数据A股上市公司北方华创拓荆科技微导纳米已实现ALD设备销售中微公司正在筹划开发ALD设备从技术路线来看本土厂商各有侧重微导纳米ALD设备为TALD使用热反应原理用于高K栅介质层的沉积拓荆科技ALD设备为PEALD采用等离子原理主要沉积介质薄膜用于SADP工艺和STI工艺在国产替代背景下随着核心技术的不断突破不同环节工艺水平的提升量产的持续推进国内半导体ALD设备企业具有广阔的发展空间识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明1934TablePageText微导纳米新股分析三丰富产品序列拓宽下游应用ALD细分赛道龙头阔步前行一立足ALD完成产品多元化布局不断拓展下游应用领域微导纳米自2015年成立以来始终专注于薄膜沉积工艺以原子层沉积ALD技术为核心从事先进微纳米级薄膜沉积设备的研发生产和销售已开发出适用于光伏半导体和柔性电子等应用领域的多款薄膜沉积设备涵盖ALDPEALD二合一PECVD系列产品并向下游客户提供先进薄膜沉积设备配套产品及服务率先推出夸父系列产品完成下游龙头客户攻坚提升行业内知名度和市场地位公司夸父系列产品包括TALD和管式PECVD两类产品在光伏领域PERC电池中的Al2O3工艺和SiNX工艺TOPCon电池正面Al2O3工艺均已实现产业化应用公司一代量产机型KF4000于2017年中开始试量产2018年中KF6000机型进行量产验证随着KF6000机型在下游头部企业开始量产爬坡该产品在行业中形成了较好的示范作用和带头效应公司产品在行业内知名度明显提升以臭氧工艺为核心工艺的KF10000S机型在2019年后的推广进一步强化了公司在光伏专用设备行业的市场地位表7公司夸父KF系列ALD和PECVD设备情况产品系列图示设备类型镀膜工艺目前应用领域产业化阶段夸父KFPERC电池背面钝化层PERC产业化应用系列ALD系TALDAl2O3TOPCon电池正面钝化层TOPCon产业化应用统夸父KFPERC电池减反层PERC产业化应用管式PECVDPECVDSiNXTOPCon电池背面减反层TOPCon产业化应用系统数据来源公司招股书广发证券发展研究中心推出祝融系列与羲和系列丰富完善光伏专用设备产品布局公司祝融ZR系列产品集成了PEALD与PECVD技术在PERC电池中可应用于对电池背面Al2O3和SiNx的沉积在TOPCon电池中可应用于超薄SiOx隧穿层和掺杂多晶硅薄膜的制备目前均已实现产业化应用公司羲和XH低压扩散炉系统采用自主研发的超高温热场控制技术实现对硅片的掺杂以及实现兼容磷硼两种扩散工艺目前已实现产业化应用祝融羲和系列产品的推出及产业化应用丰富完善了公司光伏专用设备产品布局使公司发展更全面受益于下游光伏行业的快速发展与旺盛需求识别风险发现价值请务必阅读末页的免责声明2034