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>> 华安证券-微导纳米(688147)专注ALD技术,光伏和半导体双向高成长-230120
上传日期:   2023/1/20 大小:   2548KB
格式:   pdf  共36页 来源:   华安证券
评级:   增持 作者:   张帆,徒月婷
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ALD技术领军企业,聚焦光伏与半导体
  公司专注于ALD技术,引领国内ALD技术的发展应用。公司为国内首家将ALD技术规模化应用于光伏领域,也是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的设备公司,并不断在泛半导体领域拓展产品应用外延。
  2021年度和2022年前三季度公司营收分别为4.28亿元、3.85亿元,归母净利润分别为4,611.37万元、-325.47万元,截至2022年9月末,公司已取得在手订单19.75亿元。公司前期研发投入高,新产品开拓初期的毛利率有一定影响,规模效应有望带来利润加速回升。
  光伏:立足ALD,新型电池技术全面布局
  PERC:公司量产设备镀膜速率突破10,000片/小时,打破制约ALD技术应用于光伏领域的产能限制。2018年、2019年公司PERC电池背钝化设备装机容量市占率分别为41.16%、48.41%。
  TOPCon:(1)ALD设备在TOPCon电池正面氧化铝工艺中,可沉积超薄的、高深宽比的膜层,更适应正面镀钝化膜的复杂形貌,首先取得较高市占率。(2)公司开发的PEALD二合一平台,集成了PEALD和PECVD两种工艺,分别用于制备隧穿层和多晶硅层,有望受益于TOPCon路线持续扩产。
  IBC:由于平台化技术特征,IBC可以和HJT、TOPCon技术结合,电池制备工艺更为多变。其中,ALD设备在钝化层的制备中具有重要地位,且需求量往往更高。
  HJT:公司PECVD技术可以应用于本征非晶硅层沉积,ALD设备也储备用于TCO层沉积。
  钙钛矿:ALD具有衬底温度较低、可精确控制膜厚、大面积生长、薄膜均匀性好、三维保形性好等特点,在TCO等功能层、缓冲层和封装中都具备广泛的应用条件。公司根据下游客户需求进行相应储备。
  半导体:ALD技术中的国产替代先行者
  随着我国半导体设备市场需求量增长及国产化率提升,国产ALD设备市场空间不打断开,带来领先ALD设备公司机会。我们预计2022/2023/2024我国国产ALD设备规模分别为5.21/6.26/9.59亿元,yoy+37.42%/20.15%/53.38%。
  公司ALD技术在泛半导体的各细分领域深度拓展。在逻辑芯片领域,公司为国产首家突破28nm制程High-k材料沉积技术;在存储芯片领域,公司ALD技术可以用于3DNAND、铁电存储(FeRAM)等先进存储技术领域;在新型显示领域,公司的ALD设备布局OLED/mini LED等领域,不断拓宽应用外延。
  盈利预测、估值及投资评级
  我们预测公司2022-2024年营业收入分别为6.02/16.68/22.15亿元,归母净利润分别为0.31/1.26/2.59亿元,2021-2024年归母净利润CAGR为78%,以当前总股本4.54亿股计算的摊薄EPS为0.07/0.28/0.57元。
  公司当前股价对2022-2024年预测EPS的PE倍数分别为463/113/55倍,我们选取光伏及半导体领域镀膜设备领军公司作为可比公司,考虑到公司在ALD领域具有领先优势,且在光伏及半导体领域拓展具备较大业绩弹性,首次覆盖给予“增持”评级。
  风险提示
  1)光伏及半导体行业后续扩产不及预期的风险。2)技术迭代带来的创新风险。3)国内市场竞争加剧的风险。4)核心技术人员流失或不足的风险。5)测算市场空间的误差风险。6)研究依据的信息更新不及时,未能充分反映公司最新状况的风险。
研究报告全文:微导纳米688147公司研究公司深度专注ALD技术光伏和半导体双向高成长投资评级增持首次主要观点报告日期2023-1-20ALD技术领军企业聚焦光伏与半导体公司专注于ALD技术引领国内ALD技术的发展应用公司为国内首收盘价元3120家将ALD技术规模化应用于光伏领域也是国内首家成功将量产型近12个月最高最低元32502508High-k原子层沉积设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的设总股本百万股45446备公司并不断在泛半导体领域拓展产品应用外延流通股本百万股37592021年度和2022年前三季度公司营收分别为428亿元385亿元归流通股比例827母净利润分别为461137万元-32547万元截至2022年9月末公总市值亿元14179司已取得在手订单1975亿元公司前期研发投入高新产品开拓初期流通市值亿元1173的毛利率有一定影响规模效应有望带来利润加速回升公司价格与沪深300指数走势比较光伏立足ALD新型电池技术全面布局PERC公司量产设备镀膜速率突破10000片小时打破制约ALD20微导纳米前复权沪深300技术应用于光伏领域的产能限制2018年2019年公司PERC电池10背钝化设备装机容量市占率分别为411648410TOPCon1ALD设备在TOPCon电池正面氧化铝工艺中可沉2022-122023-012023-012023-01-10积超薄的高深宽比的膜层更适应正面镀钝化膜的复杂形貌首-20先取得较高市占率2公司开发的PEALD二合一平台集成了PEALD和PECVD两种工艺分别用于制备隧穿层和多晶硅层有分析师张帆望受益于TOPCon路线持续扩产执业证书号S0010522070003邮箱zhangfanhazqcomIBC由于平台化技术特征IBC可以和HJTTOPCon技术结合电池制备工艺更为多变其中ALD设备在钝化层的制备中具有重分析师徒月婷要地位且需求量往往更高执业证书号S0010522110003HJT公司PECVD技术可以应用于本征非晶硅层沉积ALD设备邮箱zhangfanhazqcom也储备用于TCO层沉积钙钛矿ALD具有衬底温度较低可精确控制膜厚大面积生长薄膜均匀性好三维保形性好等特点在TCO等功能层缓冲层和封装中都具备广泛的应用条件公司根据下游客户需求进行相应储备半导体ALD技术中的国产替代先行者随着我国半导体设备市场需求量增长及国产化率提升国产ALD设备市场空间不打断开带来领先ALD设备公司机会我们预计202220232024我国国产ALD设备规模分别为521626959亿元yoy374220155338公司ALD技术在泛半导体的各细分领域深度拓展在逻辑芯片领域公司为国产首家突破28nm制程High-k材料沉积技术在存储芯片领域公司ALD技术可以用于3DNAND铁电存储FeRAM等先进存储技术敬请参阅末页重要声明及评级说明证券研究报告微导纳米688147领域在新型显示领域公司的ALD设备布局OLEDminiLED等领域不断拓宽应用外延盈利预测估值及投资评级我们预测公司2022-2024年营业收入分别为60216682215亿元归母净利润分别为031126259亿元2021-2024年归母净利润CAGR为78以当前总股本454亿股计算的摊薄EPS为007028057元公司当前股价对2022-2024年预测EPS的PE倍数分别为46311355倍我们选取光伏及半导体领域镀膜设备领军公司作为可比公司考虑到公司在ALD领域具有领先优势且在光伏及半导体领域拓展具备较大业绩弹性首次覆盖给予增持评级重要财务指标单位百万元主要财务指标20212022E2023E2024E营业收入42860216682215收入同比3694061773328归属母公司净利润4631126259净利润同比-191-33631041066毛利率458398385387ROE5232116195每股收益元010007028057PE3074846333112895465PB1605147813071064EVEBITDA10651433392193资料来源wind华安证券研究所风险提示1光伏及半导体行业后续扩产不及预期的风险2技术迭代带来的创新风险3国内市场竞争加剧的风险4核心技术人员流失或不足的风险5测算市场空间的误差风险6研究依据的信息更新不及时未能充分反映公司最新状况的风险敬请参阅末页重要声明及评级说明236证券研究报告微导纳米688147正文目录1ALD技术领军企业聚焦光伏与半导体611专注ALD技术拓展应用领域612光伏与泛半导体领域已取得广泛应用813营收高速增长规模效应有望带来利润加速提升112光伏立足ALD新型电池技术全面布局1421光伏装机量增长设备空间广阔1422大幅提效首先将ALD技术应用于PERC电池生产1523TOPCON持续放量立足ALD发展正背面镀膜1624ALD需求量增长受益IBC路线扩产1925HJT持续降本增效公司进行技术储备2126布局钙钛矿电池不断加强技术储备233半导体ALD技术中的国产替代先行者2531需求与国产替代共振国产ALD设备市场快速增长2532逻辑芯片国产首家突破28NM制程HIGH-K材料沉积技术2733存储芯片精细化镀膜适应先进存储技术需求2834新型显示MINILEDOLED等广泛布局294投资建议3241基本假设与营业收入预测3242估值和投资建议32风险提示34敬请参阅末页重要声明及评级说明336证券研究报告微导纳米688147图表目录图表1公司发展历程6图表2微导纳米股权结构图截至2022年12月22日6图表3公司主要管理人员简介7图表4原子层沉积技术原理图8图表5PVDCVD与ALD的工艺对比8图表6公司光伏领域主要设备9图表7公司半导体领域主要设备10图表8公司产品在其他领域的应用10图表9公司主营业务收入产品类别构成情况11图表10光伏领域设备销售收入占比11图表11公司专用设备产品销售具体情况11图表122019-2022前三季度的营业收入及同比增速12图表132019-2022前三季度的归母净利润及同比增速12图表142019-2022前三季度毛利率与净利率情况12图表152019-2022前三季度期间费用率情况12图表16公司分产品毛利率水平13图表17全球光伏新增装机及预测GW14图表18我国光伏新增装机及预测GW14图表19光伏产业链14图表20行业内其他企业对比15图表21铝背场电池与PERC电池结构区别15图表22近年光伏PERC产能GW15图表23PERC电池工艺流程及对应设备16图表24PERC电池生产中相关企业常用的AL2O3镀膜设备产能指标16图表25PERC和TOPCON电池结构对比图17图表26晶科实验室N型单晶硅单结电池转换效率17图表27部分上市公司TOPCON扩产情况17图表28TOPCON电池工艺流程及对应设备18图表29薄膜沉积设备在TOPCON投资中占比提升18图表30公司TOPCON镀膜设备应用18图表31TOPCON背面膜其他制备方法存在的问题19图表32IBC电池结构相较于其他路线更为特殊19图表33IBC电池高低温环境下均有优秀性能表现19图表34头部电池片厂商BC电池量产转化效率及投产情况20图表35一种新型IBC太阳能电池的简易制备流程通威太阳能20图表36HJT电池为对称双面结构21图表37头部电池片企业HJT转换效率近年已达25以上21图表38主要厂商HJT电池远期产能规划21图表39异质结电池量产主要工序22图表40公司HJT相关的研发项目22敬请参阅末页重要声明及评级说明436证券研究报告微导纳米688147图表41IBC电池结构相较于其他路线更为特殊23图表42IBC电池高低温环境下均有优秀性能表现23图表43部分公司进行钙钛矿布局23图表44协鑫光电公布的钙钛矿工艺流程图24图表45ALD缓冲层在钙钛矿电池结构中的位置24图表46钙钛矿结构示意图ALD-AL2O3封装层24图表47全球及中国大陆半导体设备市场规模亿美元25图表482021年中国半导体设备市场规模占比情况25图表49全球半导体薄膜沉积设备市场规模亿美元25图表502019年半导体薄膜沉积设备占比26图表512020年半导体薄膜沉积设备占比26图表522019年全球ALD市场竞争格局26图表53我国国产ALD设备市场空间测算27图表54英特尔首先在45NM制程中提出HIGH-K技术27图表55公司逻辑芯片领域应用产品和研发项目情况截至2022年11月2日28图表56全球及中国存储芯片市场规模亿美元28图表57全球2021年半导体存储器市场结构28图表582DNAND与3DNAND结构简图29图表59铁电存储器原理29图表60公司存储芯片领域应用产品和研发项目情况截至2022年11月2日29图表61中国LED芯片产值亿元30图表62中国LED芯片产能分布30图表63中国MINILED市场规模亿元30图表64中国MINILED市场份额30图表65公司新型显示方向产业化及研发情况31图表66公司营业收入预测32图表67可比公司估值33敬请参阅末页重要声明及评级说明536证券研究报告微导纳米6881471ALD技术领军企业聚焦光伏与半导体11专注ALD技术拓展应用领域微导纳米成立于2015年12月2022年12月在科创板上市公司主要从事先进微纳米级薄膜沉积设备的研发生产和销售向下游客户提供先进薄膜沉积设备与相关改造服务及备品备件公司以ALD原子层沉积技术为核心主要应用于光伏和泛半导体领域公司成立后即开始原型机的研发一代量产机型KF4000于2017年中开始试量产全球首创将ALD技术规模化应用于光伏领域PECVD设备PEALD二合一平台设备自2021年开始实现销售公司于2018年启动半导体及柔性电子领域ALD的设备研发在半导体领域公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司正式进军逻辑芯片先进存储3D-IC等镀膜制造领域图表1公司发展历程资料来源公司招股说明书华安证券研究所整理股权结构稳定实控人为王燕清家族截至2022年12月万海盈投资直接持有公司232581624万股股份占公司总股本的比例为5118为公司控股股东王燕清倪亚兰王磊组成的家族通过万海盈投资聚海盈管理德厚盈投资间接控制公司6060的股份同时王燕清之子王磊担任公司董事长王燕清之妻倪亚兰担任公司董事王燕清家族为公司的实际控制人截至2022年6月30日公司不存在控股子公司及分公司参股公司1家为芯链融创图表2微导纳米股权结构图截至2022年12月22日敬请参阅末页重要声明及评级说明636证券研究报告微导纳米688147资料来源公司上市公告书华安证券研究所整理管理层从业经验丰富技术团队对行业理解非常深刻王燕清家族作为公司实际控制人于2002年创立无锡先导智能装备股份有限公司先导智能主要从事锂电池光伏3C等智能装备的制造公司董事副董事长兼首席技术官黎微明自1994年开始ALD技术工作是全球第一批将ALD技术用于半导体领域的科学家之一公司其他高管也都从业多年专业能力强技术与管理经验丰富对行业独到深刻的理解有助于公司未来发展为公司继续保持竞争优势和龙头地位奠定基础图表3公司主要管理人员简介姓名公司职位履历1966年4月出生中国国籍1986年至1999年任无锡县无线电二厂设备助理工程实际控制王燕清师2002年设立无锡先导自动化设备有限公司后改名为无锡先导智能装备股份人有限公司任董事长总经理2011年12月至今任先导智能董事长总经理1993年11月出生中国国籍毕业于新泽西州立大学计算机和数学专业2017-王磊董事长2018就职于恒云太2019年12月至今担任公司董事长1970年11月出生中国国籍2002-2011担任无锡先导自动化设备有限公司总经理倪亚兰董事办公室助理2011-2016担任无锡嘉鼎投资有限公司上海卓遨前身总经理2019年12月至今担任公司董事1967年12月出生芬兰国籍博士研究生学历毕业于芬兰赫尔辛基大学无机化副董事黎微明学专业2000-2007就职于芬兰ASM任高级工艺工程师2007-2010就职于芬兰长首席LIWEIMINSilecs任应用经理2010-2015就职于芬兰Picosun任应用总监2016-2019任微技术官导有限首席技术官2019至今任公司首席技术官并历任公司董事副董事长1981年4月出生新加坡国籍博士研究生学历毕业于新加坡南洋理工大学电气与电子工程专业2010-2012就职于新加坡科学技术研究院微电子研究所任研发李翔董事副科学家2012-2015就职于PicosunAsiaPteLtd任董事总经理2016-2019任微导LIXIANG总经理有限应用总监ALD事业部副总经理研发部副总经理联席首席技术官2019年12月至今任公司董事副总经理1963年1月出生美国国籍硕士研究生学历毕业于美国丹佛大学计算机科学专业曾供职于美国AGAssociatesNovellusSystemCVCInc公司1997-2006担任周仁总经理美国Lam工程资深总监并历任资深软件经理软件总监2006-2010担任中微半导ZHOUREN体设备上海股份有限公司执行总监并历任资深总监2014-2020历任拓荆科技工程副总经理顾问2021年7月至今担任公司总经理敬请参阅末页重要声明及评级说明736证券研究报告微导纳米6881471983年1月出生中国国籍本科学历毕业于东南大学机械设计制造及其自动化胡彬副总经理专业2011-2018任先导智能副总经理2018-2019就职于微导有限任常务副总经理2021年7月至今任公司副总经理光伏事业部总经理资料来源公司招股说明书华安证券研究所整理12光伏与泛半导体领域已取得广泛应用ALD是一种特殊的真空薄膜沉积方法技术壁垒较高性能独特薄膜沉积是指在基底上沉积特定材料形成薄膜使之具有光学电学等方面的特殊性能ALD技术通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室并在沉积基底上发生表面饱和化学反应形成薄膜ALD镀膜设备可以将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面每镀膜一次层为一个原子层根据原子特性镀膜10次层约为1nmALD拥有多项独特的薄膜沉积特性如三维共形性大面积成膜的均匀性致密无针孔实现亚纳米级的薄膜厚度控制图表4原子层沉积技术原理图资料来源公司招股说明书华安证券研究所整理薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为PVDCVD和ALD设备相比于ALD技术PVD技术生长机理简单沉积速率高但一般只适用于平面的膜层制备CVD技术的重复性和台阶覆盖性比PVD略好但是工艺过程中影响因素较多成膜的均匀性较差并且难以精确控制薄膜厚度图表5PVDCVD与ALD的工艺对比项目PVDCVDALD1沉积速率较快1沉积速率一般微米分钟1沉积速率较慢纳米分钟2薄膜厚度较厚对于纳优势2中等的薄膜厚度依赖于反应循环2原子层级的薄膜厚度米级的膜厚精度控制差与劣次数3大面积薄膜厚度均匀性好3镀膜具有单一方向性势3镀膜具有单一方向性4阶梯覆盖率最好4厚度均匀性差4阶梯覆盖率一般5薄膜致密无针孔5阶梯覆盖率差敬请参阅末页重要声明及评级说明836证券研究报告微导纳米6881471PERC电池背面钝化层1PERC电池背面钝化层PERC电池2TOPCon电池隧穿层接触减反层1HJT光伏电池透明电极钝化层减反层主要2TOPCon电池接触钝化层减反层2柔性电子金属化触碰3柔性电子介质层柔性电子应用3HJT电池接触钝化层面板透明电极封装层领域4柔性电子介质层柔性电子封装层3半导体金属化4半导体高k介质层金属栅5半导体介质层低介电常数半导极金属互联阻挡层多重曝体封装层光技术资料来源公司公告华安证券研究所整理公司产品主要应用领域一光伏领域在光伏领域公司已覆盖包括通威太阳能隆基股份晶澳太阳能阿特斯天合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商从PERC进一步向TOPCon乃至HJTIBC技术延伸图表6公司光伏领域主要设备设备目前应用领产业化产品系列产品图示镀膜工艺产品说明类型域阶段PERC电池背运用ALD技术夸父KF系面钝化层对晶硅太阳能电池产业化列原子层沉积TALDAl2O3工艺TOPCon电池表面Al2O3钝化膜应用ALD系统正面钝化层进行批量制备PERC电池减运用PECVD技产业化PECVDSiNX工艺夸父KF管反层术对晶硅太阳能应用式PECVD系统TOPCon电池电池表面SiNX薄产业化PECVDSiNX工艺背面减反层膜进行批量制备应用PEALDPERC电池背Al2O3和SiNX集成与产业化和面钝化层PEALD二合一工艺PECVD技术同应用PECVD减反层一台设备可完成电PEALDTOPCon电池祝融ZR管Al2O3和SiNX池Al2O3膜和SiNX产业化和正面钝化式PEALD系统二合一工艺膜以及TOPCon应用PECVD层减反层电池超薄SiOX隧隧穿层和掺杂TOPCon电池PEALD穿层和掺杂多晶硅产业化和多晶硅层二合隧穿层掺薄膜的制备应用PECVD一工艺杂多晶硅层采用超高温热场控制技术可实现磷羲和XH低炉管非晶硅晶化及TOPCon电池扩硼扩氧化和产业化压扩散炉系统设备掺杂扩散扩散退火退火工艺为应用TOPCon电池生产线设备资料来源招股说明书华安证券研究所整理注产业化应用是指已实现销售产业化验证是指已签署合同并正在履行公司产品主要应用领域二半导体领域公司ALD设备凭借原子级别的精确控制及沉积高覆盖率和薄膜的均匀性制备的高k材料HfO2较好的满足了28nm逻辑器件制造过程的需要除此之外公司ALD设备沉积的HfO2ZrO2La2O3以及互相掺杂沉积工艺可用于新型存储器如铁电存储FeRAM芯片的电容介质层沉积的Al2O3TiNAlN可用于化合物半导体量子器件的超导材料导电层等上述应用均已完成客户的试样测试并签署订单敬请参阅末页重要声明及评级说明936证券研究报告微导纳米688147图表7公司半导体领域主要设备设备产业化产品系列产品图示镀膜工艺目前应用领域产品说明类型阶段逻辑芯片高k栅介产业化HfO2工艺质层主要用于单片型应用凤凰PHfO2工艺存储芯片高k栅电12寸及8寸晶圆系列原子层产业化TALDZrO2工艺容介质层单元和多生产中氧化物氮沉积镀膜系验证工艺元掺杂介质层化物及金属镀膜工统La2O3存储芯片高k栅介艺产业化TiO2工艺质覆盖层验证半导体量子器件超主要用于单片型8产业化TiN工艺凤凰P-导材料导电层寸6寸及以下的验证TALDLite轻型Al2O3和第三代化合物半导体第三代化合物半导产业化原子层沉积AlN工艺钝化层和过渡层体量子器件等氧验证镀膜系统Al2O3和第三代化合物半导体化物氮化物及金产业化PEALDAlN工艺钝化层和过渡层属镀膜工艺验证用于批量型12寸及8寸晶圆生产中麒麟氧化物氮化物及QL系Al2O3和硅基微型显示芯片金属镀膜工艺单产业化TALD列原子层沉TiO2工艺阻水阻氧保护层腔体每批次可容纳验证积镀膜系统最多25片12寸兼容25片8寸晶圆镀膜用于半导体先进制龙程的晶圆真空传输Dragon真空传半导体设备晶圆传输系统该平台系统产业化-系列真空传输系统平台系统可有效避免晶圆表应用输系统面微尘可实现高产能下的稳定性资料来源招股说明书华安证券研究所整理注产业化应用是指已实现销售产业化验证是指已签署合同并正在履行除了光伏和半导体领域外公司还拓展了柔性电子等其他领域的应用公司自主开发的FlexGuardFG系列卷对卷原子层沉积镀膜系统主要在OLED等先进显示技术的柔性电子材料上进行真空镀膜已实现产业化应用图表8公司产品在其他领域的应用产业化产品系列设备类型产品图示说明阶段主要为OLED等各类FlexGuardFG系列卷产业化TALD柔性电子器件镀膜实对卷原子层沉积镀膜系统应用现阻水阻氧保护资料来源公司招股说明书华安证券研究所整理注产业化应用是指已实现销售公司主营业务收入以专用设备为主2022年前三季度占比超93另有一些设备改造业务2021年度设备改造业务增幅较大其业务规模受光伏电池硅片大尺敬请参阅末页重要声明及评级说明1036证券研究报告微导纳米688147寸化趋势公司臭氧工艺的推广以及新工艺开发及应用情况等因素影响公司专用设备以ALD设备为主20192020年公司专用设备收入均为ALD设备2021年后公司PECVD设备PEALD二合一平台设备等新产品占比增长迅速且受向N型电池片的产能布局节奏影响公司ALD设备的出货占比下降随着TOPCon产能扩产ALD设备订单再次快速起量截至2022年9月末公司已取得在手订单1975亿元其中专用设备在手订单合计1856亿元专用设备在手订单中毛利率较高的ALD设备的占比为8566图表9公司主营业务收入产品类别构成情况图表10光伏领域设备销售收入占比10064142636210090297190808070706060509359957493915010000100004040643930304947202045641010002019202020212022Q1-Q32019202020212022H1专用设备光伏专用设备半导体配套产品及服务ALD设备PECVD设备PEALD二合一平台设备资料来源公司招股说明书华安证券研究所资料来源公司招股说明书华安证券研究所图表11公司专用设备产品销售具体情况应用领域类型项目2019202020212022H1销量台38592211ALD设备销售均价万元台53144507066189559316销售总额万元201946929916791361686652478销量台--198光伏领域设备PECVD设备销售均价万元台--374937389销售总额万元--712301299115销量台--1712PEALD二合一销售均价万元台--3992739823平台设备销售总额万元--678761477876销量台--1-ALD设备销售均价万元台--252000-销售总额万元--252000-半导体领域设备销量台---1真空传输系统销售均价万元台---475销售总额万元---475资料来源公司招股说明书华安证券研究所整理13营收高速增长规模效应有望带来利润加速提升公司近年来营收呈增长态势但净利润水平有所波动2021年度和2022年前三季敬请参阅末页重要声明及评级说明1136证券研究报告微导纳米688147度公司营收分别为428亿元385亿元同比增长3691668归母净利润分别为461137万元-32547万元同比下降1912115832019-2021年公司总营收CAGR为4081公司主营业务收入不断增长主要原因是1光伏行业总体需求不断增长2公司产品匹配电池生产技术发展方向推出符合市场需求的高性能产品公司解决了传统ALD技术速率慢的不足提升单台设备产能和效率并推出适用TOPCon等新型高效电池的产品同时公司还提供尺寸改造工艺改造等服务3除了光伏领域外公司的ALD设备已在逻辑芯片28nm先进制程生产线中实现突破并持续推进在半导体及其他细分领域的应用公司2020年起营收增长但因费用金额上升净利润有所波动2022前三季度公司出现亏损主要系上半年我国新冠肺炎疫情呈多点散发情形尤其是2022年第二季度无锡及周边地区客户现场工作受到影响导致营业收入较上年度同期略有下降同时公司扩充了管理销售研发等人员并提高了相关投入期间费用较上年度同期大幅增长图表122019-2022前三季度的营业收入及同比增速图表132019-2022前三季度的归母净利润及同比增速458070002040706000035605000-2030504000-402540203000-6030152000-8020101000-10005100-1200002019202020212022-1000-1402019202020212022Q1-Q3Q1-Q3营业收入亿元同比增速右轴归母净利润万元同比增速右轴资料来源WIND华安证券研究所资料来源WIND华安证券研究所近年来公司毛利率与净利率略有下降主要系期间费用率上升且专用设备毛利率有所下降2021年度和2022年前三季度公司销售毛利率分别为45773711销售净利率分别为1078-085毛利率下降主要由于产品收入结构改变2021年公司推出了PECVD设备PEALD二合一设备由于产品推出初期先在PERC技术路线上进行推广与已存在成熟的方案竞争两款产品2021年和2022年上半年毛利率均低于20公司根据已有订单测算在TOPCon技术路线上推出的PECVD设备与PEALD二合一设备的毛利率均在35以上未来该产品毛利率预计将有提高且2022年上半年ALD设备运用于半导体领域毛利率高于50半导体收入的增长也将带动毛利率回升公司期间费用率高研发费用率逐年上涨2021年度和2022年前三季度期间费用率分别为37063988研发费用分别为9704万元935458万元研发费用率分别为22682429期间费用率上升主要是由于公司加大人才引入力度和产品应用领域拓展导致投入增加费用上升随着公司业绩快速增长规模效应不断显现公司的期间费用率有望步入下行通道图表142019-2022前三季度毛利率与净利率情况图表152019-2022前三季度期间费用率情况敬请参阅末页重要声明及评级说明1236证券研究报告微导纳米688147605040503040203010200102019202020212022Q1-Q302019202020212022期间费用率研发费用率-10Q1-Q3销售费用率管理费用率毛利率净利率财务费用率资料来源WIND华安证券研究所资料来源WIND华安证券研究所图表16公司分产品毛利率水平专用设备配套产品及服务专用设备光伏领域ALD设备专用设备光伏领域PECVD设备专用设备光伏领域PEALD二合一平台设备专用设备半导体领域ALD设备专用设备半导体领域真空传输系统配套产品及服务设备改造配套产品及服务备品备件及其他0102030405060708020212022H1资料来源公司招股说明书华安证券研究所整理敬请参阅末页重要声明及评级说明1336证券研究报告微导纳米6881472光伏立足ALD新型电池技术全面布局21光伏装机量增长设备空间广阔光伏装机量预测持续高增长根据CPIA数据2021年全球光伏新增装机170GW创历史新高在光伏发电成本持续下降推动下全球光伏新增装机仍将快速增长保守情况下预计2030年全球我国新增装机量315105GW2022年上半年中国光伏产业总体实现高速增长产业链主要环节保持强劲发展势头多晶硅硅片电池组件产量同比增长均在45以上上半年中国光伏发电新增装机3088GW同比增长1374CPIA乐观预计光伏市场或将开启加速模式并将今年全球和我国的新增装机预测均调高10GW图表17全球光伏新增装机及预测GW图表18我国光伏新增装机及预测GW保守装机量乐观装机量保守装机量乐观装机量40036036614012833085-100GW122350205-250GW3153003001101201052751001003002709590902402451008580250220751958020017053065488138604426482120150106345102403011007315143532010951063023238427455017508900201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202520272030201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202520272030资料来源CPIA华安证券研究所资料来源CPIA华安证券研究所光伏产业链上下游环节较多其上游为工业硅和晶体硅料的生产单晶硅棒多晶硅锭的加工制造中游为硅片电池片的生产加工和光伏电池组件的生产制作下游为光伏系统的应用包括电站项目的开发电站系统的集成和运营等并逐渐向光伏取暖光伏交通等领域拓展公司产品主要用于光伏产业链的中游环节为太阳能电池片厂商提供镀膜设备用于在电池片薄膜沉积是光伏电池片生产环节的关键工艺设备图表19光伏产业链资料来源捷佳伟创公司公告华安证券研究所整理敬请参阅末页重要声明及评级说明1436证券研究报告微导纳米688147国内光伏电池片企业选用的光伏设备已基本实现国产化薄膜沉积设备多样化理想晶延捷佳伟创和红太阳等占据薄膜沉积设备的主要市场份额无锡松煜理想晶延和微导纳米主要采用ALD技术捷佳伟创北方华创红太阳及Centrotherm主要采用PECVD技术拉普拉斯主要产品是LPCVD微导纳米连续两年ALD产品收入规模在国内同类企业中排名第一在已经量产的高效电池技术领域微导纳米在ALD设备领域市占率达到了7080在其同类产品中市场占有率稳居全球第一梯队图表20行业内其他企业对比名称成立时间企业简介无锡松煜2017年主要产品包括ALD管式PECVDLPCVD三合一PECVD沉积系统等产品理想晶延2013年主要产品包括ALDPECVD等系列微导纳米2015年国内主要从事光伏ALD设备的企业之一产品类型以管式ALD设备为主并拓展PECVDPEALD二合一设备捷佳伟创2007年产品涵盖原生多晶硅料生产设备硅片加工设备晶体硅电池生产设备等北方华创2001年由七星电子与北方微电子完成并购重组而成其PECVD产品已在光伏领域实现批量销售红太阳2009年中国电子科技集团控股子公司主要产品包括PECVDLPCVDALD扩散炉氧化炉等Centrotherm1976年德国企业长期从事热解决方案的创新开发并提供光伏集成电路与微电子工业的生产解决方案其中光伏技术的生产设备包括管式低压扩散炉PECVD系统LPCVD系统快速烧结炉再生炉等拉普拉斯2016年主营光伏领域设备包括扩散系统LPCVDPECVD等资料来源招股说明书华安证券研究所22大幅提效首先将ALD技术应用于PERC电池生产PERC高效太阳能电池是通过在电池背面增加钝化层阻止载流子在一些高复合区域如电池表面与金属电极的接触处的复合行为减少电损失同时可以增强电池下表面光反射减少光损失从而提高电池的转换效率提高电池的性能PERC电池与常规全铝背场电池最大的区别在于电池背面用全表面介质膜钝化和局域金属接触方式取代全铝背场电极从各类电池的市场占有率看2018年传统的BSF电池依然占领半数市场2019年PERC电池技术迅速反超BSF电池占据了超过65的市场份额随着PERC电池片新产能持续释放2020年PERC电池片市场占比达到8642021年进一步提升至912图表21铝背场电池与PERC电池结构区别图表22近年光伏PERC产能GW12025010020080150601004020500020152016201720182019PERC产能GWPERC产能增速右轴资料来源帝尔激光公司公告华安证券研究所资料来源Taiyangnews华安证券研究所敬请参阅末页重要声明及评级说明1536证券研究报告微导纳米688147在PERC电池背面钝化Al2O3的沉积工艺中主要采用ALD技术与PECVD技术PERC背面钝化工艺主要是在硅片背面沉积Al2O3和SiNXAl2O3由于具备较高的负电荷密度可以对P型表面提供良好的钝化SiNX主要作用是保护背部钝化膜并保证电池正面的光学性能在PERC电池背面钝化Al2O3的沉积工艺中ALD技术与PECVD技术存在互相替代的关系图表23PERC电池工艺流程及对应设备资料来源公司公告华安证券研究所整理公司ALD设备突破产能限制首先应用于光伏领域在常规单晶电池制造工艺流程中仅电池正面需要用PECVD镀SiNX所以后来电池厂商优先运用PECVD技术在PERC电池背面沉积Al2O3当时ALD技术在国外主要应用于半导体领域大多属于单片式反应器类型这种反应器虽然镀膜精度高但产能较低为了克服产能限制2017年起国内ALD设备制造商陆续推出创新解决方案公司进一步通过高产能真空镀膜技术基于原子层沉积的高效电池技术等核心技术解决了传统ALD技术速率慢的不足根据中国光伏行业协会2021-2022年中国光伏产业年度报告公司量产设备镀膜速率已经突破10000片小时打破制约ALD技术应用于光伏领域的产能限制成为行业主流镀膜方案之一2018年2019年公司PERC电池背钝化设备装机容量市占率分别为41164841图表24PERC电池生产中相关企业常用的Al2O3镀膜设备产能指标公司名称技术类型产能片小时产能MW年CentrothermPECVD6000290捷佳伟创PECVD6450310理想晶延ALD7200345微导纳米ALD10000480资料来源招股说明书华安证券研究所注年产能数据按166mm硅片尺寸计算23TOPCon持续放量立足ALD发展正背面镀膜TOPCon电池转换效率不断提升N型TOPCon技术是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触的太阳能电池技术其电池结构为N型硅衬底电池背面制备一层超薄氧化硅然后再沉积一层掺杂硅薄层二者共同形成了钝化接触结构有效降低表面复合和金属接触复合为N型电池转换效率进一步提升提供了更大的空间P型PERC电池理论转换效率极限为245截至2022年8月横店东磁P型PERC电池转换效率突破2401为行业最高水平N型TOPCon电池的理论极限转换效率则为287根据晶科能源公告截至2022年三季度末晶科TOPCon电池10GW以上量产规模效率突破25据其2022年12月8日公众号文章182N型高效单晶硅电池实验室转化效率达到264敬请参阅末页重要声明及评级说明1636证券研究报告微导纳米688147图表25PERC和TOPCon电池结构对比图图表26晶科实验室N型单晶硅单结电池转换效率PERC电池TOPCon电池资料来源摩尔光伏华安证券研究所资料来源晶科能源公众号华安证券研究所整理TOPCon扩产进行时随着TOPCon电池片转换效率的不断提升电池溢价显现根据中来股份2022年9月27日的182尺寸TOPCon电池144元W及PVINFOLINK2022年12月7日公布的182mmPERC电池片132元W均价TOPCon电池溢价为012元W2022年以来国内新增建设和规划中的TOPCon电池产能已超250GW其中2022年底产能预计超85GW2023年产能预计超200GW图表27部分上市公司TOPCon扩产情况2022E2023E上市公司时间项目规划产能GWGWGW202214安徽高效N型TOPCon电池项目820222海宁基地8GW高效N型电池片项目8晶科能源25352022628海宁二期11GW高效电池及15GW组件智能生产线项目112022730安徽二期8GWTOPCon电池片项目8义乌年产5GW高效电池和10GW高效组件及配套项目正202267式投产晶澳股份2022729宁晋13GW6GW电池项目3136326202238曲靖年产10GW高效电池和5GW高效组件项目2022630扬州年产10GW高效率太阳能电池项目中来股份2021524山西16GW高效单晶电池智能工厂项目1676156202248宿迁8GWTOPCon电池项目8西宁年产30万吨工业硅年产15万吨高纯多晶硅年产天合光能202262835GW单晶硅年产10GW切片年产10GW电池年10818产10GW组件以及15GW组件辅材生产线项目2022925年产15GW高效电池和15GW大功率组件项目15通威股份202241眉山年产32GW高效晶硅电池项目858585润阳股份202231810GWTOPCon电池生产线101010资料来源亚化咨询各公司公告华安证券研究所整理TOPCon薄膜沉积设备投资占比提升TOPCon电池与PERC产线兼容性高TOPCon可在现有PERC产线上进行改造升级设备改造成本约5-6千万元GW从生产工艺步骤来看TOPCon与现有PERC产线的兼容性较好最大程度地保留和利用现有P型电池设备工艺流程在现有的PERC产线基础上只需要增加硼扩散薄膜沉积设备以及湿法刻蚀机台公司研发生产的设备在PERC产线建设中的投资占比为2471-2673在TOPCon含N型电池产线建设中的投资比重上升至3300-3912敬请参阅末页重要声明及评级说明1736证券研究报告微导纳米688147图表28TOPCon电池工艺流程及对应设备资料来源公司公告CPIA华安证券研究所图表29薄膜沉积设备在TOPCon投资中占比提升设备投资总额薄膜沉积等设上市公司时间项目电池类型及规模亿元备投资占比年产16GW高效单晶电池智能工厂项TOPCon电池中来股份2021520253643目一期8GW西咸乐叶年产15GW单晶高效单晶电TOPCon电池隆基股份2021546643457池项目15GW宁夏乐叶年产5GW单晶高效电池项目隆基股份20215N型电池3GW10153300一期3GW珠海年产65GW新世代高效晶硅太阳爱旭股份20214N型电池65GW36153734能电池建设项目义乌年产10GW新世代高效太阳能电爱旭股份20214N型电池2GW11333663池项目第一阶段2GW建设项目天合光能202012盐城年产16GW高效太阳能电池项目PERC电池16GW54212471年产10GW高效太阳能电池项目宿天合光能202012PERC电池5GW16992673迁二期5GW宿迁三期年产8GW高效太阳能电TOPCon电池天合光能20201231413912池项目8GW通威年产75GW高效晶硅太阳能电池智能20208PERC电池75GW17782617太阳能工厂项目眉山二期通威年产75GW高效晶硅太阳能电池智能20208PERC电池75GW18722485太阳能互联工厂项目金堂一期资料来源招股说明书华安证券研究所公司ALD技术可以应用在TOPCon的正反面镀膜中首先在正面钝化膜取得较高市占率ALD设备在TOPCon工艺中氧化铝制备更具优势在TOPCon电池正面氧化铝工艺中区别于普通CVD或PECVD原理ALD可沉积超薄的高深宽比的膜层更适应正面镀钝化膜的复杂形貌图表30公司TOPCon镀膜设备应用应用领域镀膜工艺产品系列设备类型产业化阶段夸父KF系列原子层沉积正面钝化层Al2O3工艺TALDALD系统背面减反层SiNX工艺夸父KF管式PECVD系统PECVD产业化应用正面钝化层减Al2O3和SiNX二合一祝融ZR管式PEALD系统PEALD和PECVD反层工艺敬请参阅末页重要声明及评级说明1836证券研究报告微导纳米688147电池隧穿层掺隧穿层和掺杂多晶硅杂多晶硅层层二合一工艺非晶硅晶化及掺杂电池扩散退火羲和XH低压扩散炉系统炉管设备扩散资料来源招股说明书华安证券研究所公司开发的PEALD二合一平台集成了PEALD和PECVD两种工艺分别用于制备隧穿层和多晶硅层能够弥补LPCVD存在的不足在氧化硅隧穿层的制备中目前较常见的有高温热氧化法等离子体氧化法和PEALD技术高温热氧化法等离子体氧化法在实践中也均存在问题公司开发出了ZR50002PEALD二合一产品创新性的将ALD技术应用于氧化硅层的制备能够连续完成TOPCon电池的背膜结构隧穿氧化硅原位掺杂多晶硅镀膜跟上述氧化法相比采用ALD技术可以获得超薄2nm大面积均匀性致密性好无针孔的氧化硅层图表31TOPCon背面膜其他制备方法存在的问题制备方法工艺流程存在问题LPCVD隧穿层和多晶硅层绕镀严重成膜速率低需二次掺杂过程繁琐后期运营成本高能获得高质量的氧化硅层较低的界面缺陷态密度但存在大尺寸硅片高温热氧化法氧化硅隧穿层下容易受热不均匀成膜反应速度慢等问题采用等离子体轰击NO使其解离产生游离O从而氧化硅片表面该方法等离子体氧化法氧化硅隧穿层2生长的氧化硅厚度较厚对于1-3nm的厚度该方法难以控制厚度资料来源招股说明书华安证券研究所24ALD需求量增长受益IBC路线扩产IBC电池最大的特点是P-N结和金属接触都处于电池的背面正面没有金属电极遮挡的影响因此具有更高的短路电流同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻从而提高填充因子加上电池前表面场以及良好钝化作用带来的开路电压增益使得这种正面无遮挡的电池就拥有了高转换效率IBC电池起步较早较传统PERC具备已具备明显优势且可靠性好高低温环境下均有优秀的性能表现图表32IBC电池结构相较于其他路线更为特殊图表33IBC电池高低温环境下均有优秀性能表现资料来源IBC太阳电池技术的研究进展华安证券研资料来源IBCTECHNOLOGYMANUFACTURING华安证券究所研究所量产转化效率持续提升叠加应用产品推出远期产能规划可观2022年11月2日隆基绿能发布HPBC电池标准版量产效率突破25叠加了氢钝化技术的PRO版效率可以超过253基于高效HPBC电池技术打造的Hi-MO6组件量产效率则可达到228爱旭股份新型ABC电池平均量产转化效率255未来则有望实现27以上基于ABC电池的黑洞系列组件及整体解决方案服务则开创性地采用了无银化技术敬请参阅末页重要声明及评级说明1936证券研究报告微导纳米688147降本增效组件转换效率达235隆基股份15GW项目已开始投产远期规划产能超30GW爱旭股份珠海65GW产能投产在即远期规划50GW以上图表34头部电池片厂商BC电池量产转化效率及投产情况技术公司特点量产转化效率2022年投产情况后续投产规划路线1通过电池内部结构工艺调整可大幅提升电池的光线吸收和光电转换能力有泰州4GW项目效增加组件输出功率预计2023年上2正面无栅线的HPBC电池使得组件2022年9月西咸253叠加氢钝半年实现满产隆基绿能HPBC外观极简纯粹产品可以满足不同建筑设乐叶年产15GW高化技术PRO版西咸项目23年9计风格融洽和谐地搭配多元化场景效单晶电池项目投产月预计投产3全背面焊接技术背面采用一字型焊29GW接有效提升组件抗隐裂能力极大提升产品可靠性1背面全黑可以全面吸收太阳光降低了以前三线遮挡带来的能量损失2其双层绒面结构能减少反射更多地255远期27珠海65GW项目投远期产能规划爱旭股份ABC吸收能量能量吸收做到最大化以上产50GW以上3靠专有技术高清精密图形将高低结PN结等都放在电池片背面保证无干扰无损伤和高效率的传输资料来源隆基绿能发布会爱旭股份发布会公司公告华安证券研究所整理IBC制造流程中多个步骤应用薄膜沉积设备由于平台化技术特征IBC可以和HJTTOPCon技术结合电池制备工艺更为多变正背面的钝化与减反膜背面PN结的制备往往都需薄膜沉积设备参与其中其中ALD设备在钝化层的制备中具有重要地位且需求量往往更高将充分受益于IBC电池后续扩产图表35一种新型IBC太阳能电池的简易制备流程通威太阳能资料来源国家知识产权局官网华安证券研究所整理敬请参阅末页重要声明及评级说明2036证券研究报告
 
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