事件评论
        碳化硅功率器件是未来重要发展方向，未来成长性十足。与硅材料相比，SiC  材料在禁带宽度、击穿场强等参数上具备明显优势，相应产品具备耐高压、耐大电流的特性，更适合做大功率器件。公司新发布的SiC  工艺技术可以生产肖特基二极管，未来将推出MOSFET  产品，我们预计未来5-10  年汽车是推动SiC  功率器件发展的主要动力。据Yole  预测，SiC  功率器件在2017-2023  年有望达到29%的复合增速。
        公司的射频产品已经出货，现在是功率器件的推广。公司在化合物半导体领域过去主要布局GaAs  和GaN  射频产品，已经应用于手机、基站等通讯产品的射频前端模块中，中央经济工作会议指出的方向将大力推动射频相关的化合物半导体行业发展；同时，公司推出GaN  和SiC  的功率器件，未来将在新能源领域广泛应用。此外，我们预计不久后公司的光通讯、滤波器也将会展现于市场。
        公司  LED  业务产能释放获得市场份额的提升，巩固并提高龙头地位。LED  芯片自去年四季度开始受下游需求以及行业竞争的影响，价格逐步下滑。公司一边通过持续释放新增产能弥补收入损失且巩固行业地位，另一边通过降本增效维持合理毛利率。
        再次重申，三安光电不仅是LED  芯片龙头，第二代和第三代化合物半导体产业才是其最终真正的核心主业。我们预计公司2018-2020  年EPS  分别为0.85、0.97、1.14  元，对应PE15X、14X、12X，维持“买入”评级。
        风险提示：  1.  LED  行业需求持续疲弱，供给端新厂商进入拉长行业调整期；
        2.  化合物半导体行业发展进度不及预期。