② IDM 发展模式注重工艺积累，过去几年为功率半导体器件升级夯实基础，在保持大功率二级管整流桥优势的前提下，已对MOSFET进行了充分储备并取得突破，未来积极研发和布局IGBT 产品，相对传统业务开拓更大市场空间和更高产品附加值领域，更能满足客户多样化需求，符合国际大厂发展Si 基功率半导体的趋势。
    ③ 坚持内生+外延发展战略，前瞻把握并积极落地第三代功率半导体等新材料器件，近几年公司外延战略从产品到渠道，均取得积极且稳健的发展格局，2017 年1 月25 日联合建广资产（其完成恩智浦NXP 两部分资产收购，18 亿美元的RF Power 部门和27.5 亿美元的标准件业务）控股广盟半导体，即间接参股瑞能半导体获得高功率转换器件先进技术，并获得稳定的SiC 芯片供应渠道，在公司原有SiC 封装基础上实现一体化模式，有利于SiC 销售和推广。与建广资产的初步合作，或将给公司功率半导体业务带来做大做强的宝贵协同机会。在功率半导体细分行业竞争中，公司已有产业格局和融资平台优势逐步显现，预计未来内生和外延并重的战略，迎来持续快速发展机遇。
    ■ 产线迭代+工艺积累， 募投项目实现产品升级： 整流二极管-MOSFET-IGBT 在结构和技术上有一定的继承性，公司先在传统优势整流二极管上积累经验，逐步推进至MOSFET 和IGBT，战略规划由4英寸、6 英寸过渡到8 英寸，稳扎稳打积累经验。从4 英寸-6 英寸-8 英寸产线的迭代，到二极管-MOSFET-IGBT 工艺的积累，都可以看到公司在战略层面思路清晰，技术路线规划明确。
    ■投资建议：买入-A 投资评级，6 个月目标价28.9 元。我们预计公司2017 年-2019 年的收入增速分别为42.0%、35.0%、30.0%，净利润增速分别为56.1%、35.6%、30.6%，每股收益分别为0.67 元、0.90元、1.18 元。
    ■风险提示：下游需求受宏观经济影响周期性波动，外延并购受政策影响等不达预期等