本报告导读：
　　据TrendForce预测，26Q4通用DRAM/NAND合约价有望上涨10-15%/15-20%，2027年HBMBlended ASP有望上涨121%。9月DDR3-DDR5部分规格现货价回落，MLCNAND现货价涨势延续。8月韩国DRAM/NAND出口额同比增长412.0%/343.1%。中国台湾主要存储产业链厂商8月营收延续3倍+高增。
　　投资要点：
　　26Q4 DRAM/NAND合约价有望延续双位数上涨。据TrendForce，26Q4通用DRAM合约价预计上涨10-15%，NAND合约价预计上涨15-20%。现货价格方面，DRAM前期涨幅较大，价格处于高位，叠加零售端需求疲弱，买方追价意愿下降，DDR3-DDR5部分规格现货价格回落。NAND方面，9月现货价走势分化，TLCNAND涨跌互现，QLCNAND部分规格小幅下跌，MLCNAND延续涨势，其中32Gb/64Gb现货价2026年以来分别累计上涨351.6%/479.0%。TrendForce上修2027年HBMBlended ASP涨幅至121%，我们认为HBM有望成为2027年原厂ASP提升的核心驱动力。
　　8月韩国存储出口额环比上涨14.7%，7月韩国半导体产量/销量/库存分别同比+0.8%/-3.4%/+10.0%。8月韩国存储出口额409.4亿美元，同比增长290.2%。其中DRAM出口额235.7亿美元，同比增长412.0%；NAND出口额28.6亿美元，同比增长343.1%。7月韩国半导体产量/销量/库存同比+0.8%/-3.4%/+10.0%。我们认为库存连续两个月同比增长主要由于长约覆盖度提升，长约模式下存储原厂倾向于保留更高的安全库存来保证履约。
　　中国台湾主要存储产业链厂商8月营收延续3倍+高增。中国台湾主要存储原厂、主控芯片厂商和品牌/模组厂商8月营收分别同比增长390.7%/370.5%/329.4%（7月同比增长424.4%/371.0%/379.4%）。南亚科预计2026年H2 DDR4报价仍有望上涨20%以上。
　　投资建议：存储芯片已经从AI算力投资的受益方转变为制约AI基建的关键瓶颈，AI需求驱动的结构性短缺贯穿全产业链，供需缺口仍在加深。价格端，我们预计涨价趋势有望延续至2027年，长期协议密集落地以短期价格弹性换取长期盈利和现金流可见性。产能端，我们认为供给纪律性仍然被市场低估，原厂大部分新增资本开支投向新建厂房和洁净室建设，扩产计划呈梯度推进，26-27年实际新增产能有限。结构端，行业已经充分预期消费类终端需求疲软，而数据中心AI主线需求持续强劲，产能灵活调控下传统消费终端对行业供需格局的边际影响下降，不会改变供需失衡和价格温和上行的趋势。我们认为市场定价重心有望从单季度的价格和利润弹性转向高盈利水平的多年可持续性、长协模式抬升的周期底部盈利，以及强劲现金流支撑下的高资本回报水平，推动行业估值中枢上移。推荐HBM4+SOCAMM2+企业级SSD全品类布局的美国本土存储龙头美光科技；建议关注受益于AI算力需求、兼具定价权和技术卡位的HBM/DRAM原厂SK海力士、三星电子；受益于企业级SSD需求旺盛的NAND厂商闪迪、铠侠；受益于大厂产能退出的利基型存储厂商南亚科、旺宏、华邦电等。
　　风险提示：技术发展不及预期风险；AI投资过热风险；宏观环境波动风险；地缘政治风险；供应链风险。