本报告导读：
　　DDR4/DDR5现货价企稳后涨幅扩大，MLCNAND现货价延续高增，5月韩国DRAM/NAND出口额同比增长370%/206%，中国台湾主要存储产业链厂商5月营收加速增长，WSTS预测2026年存储芯片销售额同比增长250%，英伟达Vera CPU内存减配凸显内存供应紧张和长期需求上行。
　　投资要点：
　　预计26Q2通用DRAM合约价上涨58-63%，NAND合约价上涨70-75%。据TrendForce，26Q1通用DRAM合约价上涨93-98%，NAND合约价上涨85-90%，预计26Q2通用DRAM合约价上涨58-63%，NAND合约价上涨70-75%。现货价格方面，DRAM现货价加速上行，截至6月中旬DDR48Gb/16Gb现货价较5月中上涨10.6%-40.2%，DDR516Gb/24Gb现货价涨幅扩大至22.8%/22.1%。NAND方面，5月TLC/QLCNAND现货价环比跌幅收窄至1.1%以下，6月初MLCNAND现货价环比上涨24.0%-30.8%，原厂退出/减产导致MLCNAND供需缺口扩大。
　　5月韩国DRAM/NAND出口额同比增长超3倍/2倍，4月韩国半导体产/销量同比增长13.0%/20.8%。2026年5月韩国存储出口额321.4亿美元，同比增长255.0%，环比增长19.2%。其中DRAM出口额186.1亿美元，同比增长369.7%；NAND出口额17.2亿美元，同比增长206.5%。4月韩国半导体产量/销量/库存同比+13.0%/+20.8%/-13.3%，产销量同比增幅扩大，库存维持快速消耗。
　　中国台湾主要存储产业链厂商5月营收增幅持续扩大。中国台湾主要存储原厂、主控芯片厂商及品牌/模组厂商5月营收分别同比增长324.8%/296.1%/325.8%。南亚科股东会表示DRAM行业已逐渐摆脱过去高度波动的景气循环模式，转向较稳定的结构性发展，缺货情况至少延续至27年底。
　　投资建议：近期英伟达Rubin NVL72机柜CPU侧SOCAMM内存模组容量减配引发市场对存储需求担忧，我们认为这是技术落地初期因LPDDR5X供给侧限制而采用的底线标准方案，并非需求收缩信号。AI需求支撑下本轮存储上行周期呈现出区别于历史商品周期强波动属性的结构性增长，Rubin机柜SOCAMM减配再次印证存储芯片已成为AI生态系统的关键瓶颈。Agentic AI带动KVCache容量扩张及AI系统CPU:GPU配比提升对存储需求有望形成长期支撑。下游大客户通过长期协议锁定供应正逐渐成为行业标准（南亚科股东会披露客户主动要求签订2-3年以上长约），有望显著降低原厂资本开支风险，存储行业历史上较强的周期波动性有望边际收敛。我们认为存储板块的估值逻辑有望从基于景气度预期的周期性博弈转向基于盈利确定性的重新定价，估值有望从传统的周期峰值估值逐步切换为具备长约支撑和现金流可见度的AI核心基础设施资产的确定性溢价，推动行业估值中枢上行。建议关注受益于AI投资需求扩张、掌握定价权的DRAM原厂美光、SK海力士、三星电子；受益于NAND供给短缺、价格涨幅维持强势的闪迪、铠侠；受益于大厂产能退出的利基型存储厂商南亚科、旺宏、华邦电等。
　　风险提示：技术发展不及预期风险；AI投资过热风险；宏观环境波动风险；地缘政治风险；供应链风险