事件：
　　美光于3月19日公布FY26Q2财报，营收238.6亿美元，同比+196%/环比+75%；毛利率74.9%，同比+37pcts/环比+18.1pcts。
　　评论：
　　1、FY26Q2收入与毛利率均超预期，DRAM库存DOI仍处紧张水平。
　　FY26Q2收入238.6亿美元，同比+196%/环比+75%，大超此前指引（183-191亿美元）；Non-GAAP毛利率74.9%，同比+37pcts/环比+18.1pcts，大超此前指引（67-69%），毛利率提升主要源于产品均价上涨，同时受益于产品结构优化与成本管控成效。运营利润率为69.0%，同比+44pcts/环比+22pcts，FY26Q2期末库存83亿美元，环比增加6200万美元，库存周转天数123天，DRAM库存周转天数仍处于紧张水平，低于120天。
　　2、DRAM与NANDASP环比均大幅上涨，各部门营收同环比均上涨。
　　1）按产品划分：①DRAM收入188亿美元，同比+207%/环比+74%，位元出货量环比中个位数增长，ASP环比增长mid-60%；②NAND收入50亿美元，同比+169%/环比+82%，位元出货量环比低个位数增长，ASP环比增长high-70%。2）按业务划分：①云存储部门（CMBU）收入77.49亿美元，同比+163%/环比+47%，环比增长受益于产品价格上涨与产品结构优化；②核心数据部门（CDBU）收入56.87亿美元，同比+211%/环比+139%，环比增长受益于产品价格上涨与位元出货量增长；③移动与客户端部门（MCBU）收入77.11亿美元，同比+245%/环比+81%，主要由产品涨价驱动，部分被位元出货量下滑所抵消；④汽车与嵌入式部门（AEBU）收入27.08亿美元，同比+162%/环比+57%，主要由产品涨价驱动，部分被位元出货量下滑所抵消。
　　3、FY26Q3指引再创新高，上调FY26资本开支将超250亿美元。
　　1）FY26Q3指引：营收预计为335±7.5亿美元，中值同比+260%/环比+40%，毛利率预计为81%，同比+42.05pcts/环比+6.1pcts，毛利率提升将由价格上涨、成本下降、产品结构优化共同驱动。2）市场展望：①DRAM：预计2026年DRAM位元出货量将实现low-20%增长，略高于此前预期。洁净室产能受限、建设周期长、HBM占比提升，以及工艺迁移带来的单晶圆位元增量下滑，共同制约位元供应增长。②NAND：预计2026年NAND位元出货量增长约20%。部分厂商将洁净室空间转向DRAM，叠加整体洁净室空间有限，制约位元供应增长。3）资本开支：上调FY26全年资本开支将超250亿美元（此前为200亿美元），主要来自洁净室设施相关资本开支，其中最大投入为铜锣厂区，其次是美国晶圆厂项目建设支出增加。预计FY27资本开支将大幅上调，其中建筑相关资本开支同比将增加超100亿美元，设备支出预计也将同比增长。
　　4、公司成功签署首个五年SCA，HBM4已于26Q1顺利量产出货。
　　1）SCA：公司持续与客户推进战略客户协议，该协议不同于以往的LTA，包含多年期明确承诺，以提升业务模式的可见性与稳定性，目前已成功签署首份五年期战略客户协议。2）数据中心产品：①数据中心TAM：AI需求推动数据中心DRAM与NAND的位元TAM将在2026年首次超过行业整体TAM的50%。②HBM4：在英伟达GTC大会上，美光已于26Q1开始批量出货HBM436GB12H产品，该产品为英伟达Vera Rubin平台量身定制。另外HBM4E的研发进展顺利，预计2027年实现批量量产。③SOCAMM2：已送样业界首款256GBLPSOCAMM2产品，该产品基于1γ工艺打造，单CPU可支持高达2TB容量。④SSD：已基于G9 NAND批量生产PCIe Gen6高性能数据中心SSD。⑤英伟达Groq 3 LPX：在机架级架构中可搭载最高12TBDDR5。
　　风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM和NAND景气度下滑风险；存储价格下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。