HBM+CoWoS组合成为AI等算力芯片标配，带动先进封装需求激增。根据ChipInsights数据，全球OSAT行业延续复苏态势，2025年合计实现销售3332亿元，YoY+9.9%。HPC、AI驱动，2.5D/3D等先进封装平台需求激增，尤其是CoWoS相关产能供不应求。
　　先进封装未来关键技术方向主要为材料和架构创新。1）2.5D中介层变化如RDL、嵌入式硅桥、玻璃、PIC、SiC等；2）在封装环节中玻璃的使用，板级封装（PLP）或替代WLP来提升产能效率；3）3D架构下的互联环节增量如混合键合、TSV+ubump等；4）高集成架构CPO，即在同一基板上组装EIC/PIC以及ASIC，利好半导体供应商。
　　海外全环节进入资本开支高峰期。TSMC与非TSMC阵营皆上调2026年CoWoS产能扩张规模，在成本效率及风险分散两大考量下，订单外溢将扩大OSAT在AI芯片市场的版图。
　　国产替代背景下，中国本土OSAT厂商加速崛起。关注三个方向：1）2026年中国本土先进制程供给扩张进度有望超预期，AI相关算力芯片放量对后道配套能力提出更高要求；2）国产存储IDM份额持续提升，先进封装的增量主要是TSV和键合工艺；3）涨价与扩产周期共振，封测服务价格中枢持续抬升。
　　重点标的：通富微电（加码高端封装，与AMD共同成长）、盛合晶微（2.5D平台国内领先）、甬矽电子（先进封装新军），汇成股份（重点规划DRAM封测建设）、深科技（深度配套本土存储IDM）、伟测科技（高端测试布局领先，持续加大资本开支）等。
　　风险提示：国际贸易摩擦风险；先进封测业务固定资产投资规模较大风险；市场竞争加剧风险。