核心观点
　　近期，英伟达发布《下一代AI基础设施的800伏直流架构》白皮书。其中提到能耗已经成为影响当前及下一代AI数据中心发展的核心变量。随着GPU革命的到来，数据中心逐渐转变为“AI工厂”，其中GPU机架的功率密度接近Web服务器的100倍，并且仍呈现指数级增长。曾经处于次要地位的电力基础设施，如今已经能够与计算空间所占据的空间相匹敌，甚至超越了后者。为了满足AI数据中心快速增长的能耗需求，800VDC架构应运而生。与机架内的54 VDC或480VAC系统相比，800VDC显著降低了电流、铜使用量和电缆体积，同时保持了安全性和可扩展性。其通过简化电源路径、提升传输电压等方式可有效提升整体能量效率和密度。
　　800VDC优异的性能表现，背后离不开GaN（氮化镓）及SiC（碳化硅）功率半导体的支撑。因为氮化镓及碳化硅属于宽禁带半导体材料，高压、高频、高效等场景下具有独特优势，能够满足800V系统对性能、效率和可靠性的要求。随着AI数据中心、新能源车、人形机器人等需求拉动，氮化镓及碳化硅市场容量前景可观，以氮化镓功率器件为例，TrendForce预估其市场规模将从2024年的3.9亿美金攀升至2030年的35.1亿美金，年复合增长率达44%，合计增长近10倍。而碳化硅器件，则凭借其优异的耐高压特性，以及此前在汽车电力系统多年的蓄力，同样有望在AI数据中心供电体系大展拳脚。
　　投资建议：建议关注氮化镓及碳化硅产业链，如三安光电、晶方科技、华润微、英诺赛科（港股）、天岳先进、斯达半导、士兰微、时代电气等。
　　风险提示：1）供应链风险；2）国产产品性能不及预期的风险；3）市场需求不及预期的风险。