核心观点
　　NAND：2025年一季度企业级市场需求放缓，1Q25全球NAND市场规模环比减少25%。根据DRAMexchange，上周（20250519-0523）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至2.41%，平均涨跌幅为1.38%。其中1个料号价格持平，21个料号价格上涨，0个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，2025年一季度采购需求出现环比减少，市场供过于求明显。2025年一季度全球NANDFlash市场规模达130.1亿美元，环比减少25.3%，同比减少14.2%。
　　DRAM：TrendForce称DDR4产品价格涨幅大于DDR5产品价格。根据DRAMexchange，上周（20250519-0523）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.81%至6.39%，平均涨跌幅为2.22%。上周14个料号呈上涨趋势，4个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据TrendForce的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，由于预期未来供应将趋紧，现货市场DDR4产品价格涨幅大于DDR5产品价格。同时，由于模组厂积极备货，DDR5产品价格也持续小幅上涨。集邦咨询认为，整体来看，2025年第二季现货价格将维持上涨趋势，DDR4与DDR5产品价差将进一步缩小。
　　HBM：TrendForce称HBM4新规格拉高制造门槛，预期溢价幅度逾30%。根据科创板日报报道，根据TrendForce集邦咨询研究，HBM技术发展受AIServer需求带动，三大原厂积极推进HBM4产品进度。由于HBM4的I/O（输入/输出接口）数增加，复杂的芯片设计使得晶圆面积增加，且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能，皆推升了成本。鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%，预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。
　　市场端：部分原厂DDR4停产引发“蝴蝶效应”，上周行业DDR4内存条和服务器DDR4内存条报价大幅上调。根据CFM闪存市场报道，上周部分原厂DDR4停产引发“蝴蝶效应”，令部分高规格DDR4颗粒价格大幅跳涨，行业DDR4 SODIMM和服务器DDR4RDIMM跟涨。低容量eMMC受MLC和256Gb TLCNAND停产影响，供应持续紧缺使得成品价格大幅拉涨；部分大容量eMMC资源价格上涨且Tier1客户正常补库需求驱动下，大容量eMMC成品价格也上调报价；LPDDR4X供应持续趋紧助推相应成品涨价继续保持。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。