核心观点
　　NAND：群联称NAND市场或将逐步回温。根据DRAMexchange，上周（20250506-0509）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.38%至2.27%，平均涨跌幅为0.33%。其中14个料号价格持平，7个料号价格上涨，1个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，群联称自2月起NAND原厂的减产效应逐步显现，市场供需关系开始改善，带动整体需求逐月回温，为全年运营奠定良好基础。展望2025年第二季度，从PC、手机与工控等主要应用领域可明显感受客户需求回升。
　　DRAM：2025年一季度全球DRAM市场规模同比增长42.5%至267.29亿美元。根据DRAMexchange，上周（20250506-0509）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.02%至10.03%，平均涨跌幅为4.67%。上周17个料号呈上涨趋势，1个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，2025年一季度在AI服务器保持稳健推动对服务器DRAM需求，PC和移动需求复苏力度也较预期更为明显，此外叠加关税触发的部分补库存需求的共同影响下，2025年一季度整体表现优于预期，全球DRAM市场规模同比增长42.5%至267.29亿美元，环比减少8.5%。
　　HBM：三星与多家客户洽谈供应定制HBM4，预计2026年开始商业供应。根据CFM闪存市场报道，三星存储业务执行副总裁Kim Jaejoon在财报会议上表示，公司已与多家客户合作，开发基于HBM4和增强型HBM4E的定制版本。HBM4的开发细节如期进行，计划于2025年下半年实现量产。HBM4预计将于2026年开始商业供应。
　　市场端：存储现货消费端DRAM资源供应紧张，上周行业DDR4和低容量LPDDR4X价格上涨。根据CFM闪存市场报道，存储现货市场部分DDR颗粒和LPDDR4X资源供应紧俏，而手机客户原本库存相对健康，PCOEM经过长期库存调整后库存水位也逐步降低，近期部分手机和PC等终端客户陆续回补库存，推动上周行业DDR4和低容量嵌入式LPDDR4X价格上扬。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。