英特尔CEO陈立武于Foundry Direct 25大会展示公司代工业务最新进展。陈表示18A节点已试产，预计今年稍后量产；公司正携手领先客户推进14A节点（1.4纳米）。作为18A后续制程，14A采用升级版背面供电PowerDirect，已有多家客户计划流片其测试芯片。成熟节点方面，英特尔基于22FFL推出16纳米工艺（目前已量产级流片），并与联电合作开发12纳米节点，预计27年于亚利桑那工厂量产。此外，公司深化与EDA和IP合作伙伴关系，拓展芯粒联盟（Chiplet Alliance）和价值链联盟（Value Chain Alliance）。
　　18A以背部供电+GAA与台积电N2正面交锋
　　18A（1.8纳米）已试产，且Panther Lake或为首发平台，有望25年底推出。首批18A产品于俄勒冈生产，后续或拓展至亚利桑那工厂。18A首次采用PowerVia背面供电与RibbonFET环绕栅极技术（GAA）。PowerVia通过芯片背面供电，简化电线设计；RibbonFET采用四个被栅极完全包围的垂直纳米片，提升性能与晶体管密度。我们认为18A将与TSMCN2直接竞争，后者不采用背供，仅采用3个垂直的纳米片GAA结构。18A具备速度与功耗优势，而TSMC在晶体管密度和成本控制方面占优。TSMC下一代A16将引入SPR（Super Power Rail）背部供电技术，作为N2P的衍生版本，预计26年底量产。18A-P作为18A衍生高性能版本，每瓦性能提升5-10%，已完成早期流片；其兼容18A设计规则，便于客户迁移。18A-PT则引入Foveros Direct 3D垂直键合，采用无凸点铜对铜连接与TSV互联。公司正与EDA及IP厂商合作，完善工具与模块支持，简化客户导入流程。
　　英特尔14A挑战台积电A14；Foveros Direct 3D对垒SoIC-X 14A为18A后续制程，已在研，但未公布明确时间表。英特尔已向14A客户提供PDK早期版本。14A业内首次采用High-NAEUV光刻技术，而TSMC竞品A14预计28年推出，或不采用该技术。14A将引入第二代背面供电技术PowerDirect以替换PowerVia；通过专用触点将电力直接输送至晶体管源极与漏极，较Nano TSV连接方案更高效。TMSCA14预计亦不采用背供设计。Foveros Direct 3D技术与TSMC已用于AMD 3DV-Cache的封装方案类似，在关键互连密度上已达到同等水平。AMD采用TMSCSoIC-X技术，目前支持4.5-9微米凸点间距，预计27年将缩窄至3微米。若英特尔Foveros Direct 3D能按计划量产，或显著提升其在先进封装领域的竞争力。Clearwater Forest将成为首个采用该技术的产品，具体间距尚未公布。
　　维持25年PS 2.3x，目标价28.3美元，重申“买入” 
　　我们维持盈利预测和28.3美元目标价，对应25年2.3x PS（基于制程执行不确定性及AI布局滞后性，给予相对可比公司均值4.6X折价）。重申买入。
　　风险提示：AI落地不及预期、行业竞争激烈、情景测算存在偏差。