核心观点
　　NAND：三星、海力士加入存储涨价潮，减产和AI需求成双重推手。根据DRAMexchange，上周（20250317-0321）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至2.86%，平均涨跌幅为0.93%。其中5个料号价格持平，17个料号价格上涨，0个料号价格下跌。根据科创板日报报道，继闪迪、美光之后，三星、SK海力士也加入了4月存储芯片涨价潮，NAND价格回涨速度快于预期。
　　DRAM：存储峰会称服务器内存消耗已经超过手机,大容量存储供不应求。根据DRAMexchange，上周（20250317-0321）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.84%至4.89%，平均涨跌幅为2.34%。上周18个料号呈上涨趋势，0个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据财联社报道，在MemoryS 2025存储峰会上，闪存市场总经理邰炜指出，大容量存储需求旺盛，2024年已经出现供不应求局面。预计2025年AI手机渗透率将提升至30%，AIPC落地更加快速，存储将在智能汽车中发挥重要作用。
　　HBM：SK海力士实现技术突破，首次展示12层HBM4样品，预计2025年下半年量产。根据财联社报道，韩国半导体巨头SK海力士，已向英伟达等主要客户交付了其第六代高带宽存储芯片产品12层HBM4的样品。12层HBM4产品每秒可以处理超过2TB的数据，比上一代HBM3E快了60%以上。SK海力士此次还表示，该公司计划在2025年下半年完成12层HBM4批量生产的准备工作。
　　市场端：由于原厂减产和控货效应，近期存储现货市场迎来普涨行情。根据CFM闪存市场报道，对于渠道端，原厂控货惜售且涨价态度强硬，部分原厂相继发动新一轮涨价潮，涨价行情自上而下正在传导至现货市场，渠道、嵌入式及行业市场纷纷响应，现货价格全线强势拉涨。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。