核心要点：
　　Q3存储原厂价格调涨
　　三大存储原厂价格调涨趋势未变。Digitimes统计显示，第三季度受服务器领域对于DDR5、HBM产品的需求景气带动，同时受DDR5及HBM的产能排挤效应影响，DDR5及DDR4颗粒价格仍将上调。
　　终端需求复苏速度不及厂商预期，存储模组厂商库存水位出现增长
　　终端市场需求仍保持温和增长态势，但仍不及厂商预期，集邦咨询统计数据显示2024年第二季度受部分品牌新机铺后期结束，季末进入库存调整期影响，全球智能手机产量季度环比下滑3%。预计Q3全球手机产量季度环比微幅增长2.45%，年同比下跌5%。
　　受模组厂前期持续备货，但终端需求热度不及预期导致终端厂备货积极性降低影响，2024年二季度存储模组企业库存水位出现增长，Trendforce统计数据显示2024年第二季库存水位已上升至11-17周。存储现货市场近期DDR4、DDR3、NAND产品现货均价均呈现震荡下跌的走势。唯有DDR5产品受益于市场渗透率提升和服务器搭载需求量增长，现货均价保持上涨。DXI指数近期呈现震荡走势，截至2024年9月5日，DXI指数收于37569.63点，周涨幅为1.1%，月环比跌幅为0.4%。
　　NAND现货市场中，渠道现货均价位于低位盘整阶段。开学季并未给市场需求带来实质性的改善；行业市场受国内需求不佳影响，SSD价格也进入小幅下调阶段。受下游市场需求景气度，供给端市场竞争热度不一影响，集邦咨询预计2024YQ4传统DRAM现货合约均价上涨幅度缩窄为3%-8%，HBM产品现货合约均价上涨幅度为10%-15%；NANDFlash现货合约均价涨幅缩窄至0%-5%。存储颗粒原厂涨价策略不变，存储模组企业的低价库存逐渐出清，库存成本的变动及下游需求的变动将成为影响模组企业后续盈利表现的主要影响因素。
　　投资建议
　　AI大模型的持续优化及多样化AI应用终端的入市商用将会持续提升全球算力需求，推动新一轮AI基础设施建设的开启，供给有限的先进存储产品有望持续受益。传统消费电子领域需求复苏态势延续，存储原厂的颗粒出货价格有望保持小幅上涨，存储现货市场受终端产品需求变动影响显著，短期进入价格盘整阶段，中长期需持续跟进消费电子需求复苏进程。建议持续关注半导体行业，维持行业“增持”评级。
　　风险提示
　　下游市场需求不足；新品入市进展不及预期；宏观政策变化不及预期。