投资要点
　　平台化布局半导体工艺装备+真空及锂电装备+精密电子元器件，跨入“百亿级”发展新阶段。公司由七星电子与北方微电子战略重组成立，作为国内主流高端电子工艺装备供应商与重要高精密电子元器件生产基地，在半导体工艺装备领域，公司覆盖刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心工艺装备，广泛应用于逻辑器件与存储器件等工艺制造过程，助力半导体国产替代。在真空及锂电装备领域，公司研发的晶体生长设备等为新材料、新工艺、新能源等绿色制造赋能。在精密电子元器件领域，公司研发的石英晶体器件等产品推动元器件向小型化、轻量化、高精密方向发展。随着电子工艺装备的持续突破，2022年公司跨入“百亿级”营收发展新阶段。
　　加码研发扩大工艺覆盖范围，长效激励构筑坚实人才基础。以全球晶圆厂设备分类占比23%/22%的薄膜/刻蚀设备为例，刻蚀装备方面，公司发布了双频耦合CCP介质刻蚀机，实现硅刻蚀、金属刻蚀、介质刻蚀工艺全覆盖。薄膜装备方面，公司的铜互联薄膜/铝薄膜/钨薄膜/硬掩膜/介质膜/TSV薄膜/背面金属沉积等二十余款产品成为国内主流芯片厂的优选机台。同时公司在立式炉/卧式炉/外延/清洗装备方面不断扩大工艺覆盖范围。另外，2018/2019/2022年三期股权激励计划的实施彰显公司长期发展信心，构筑坚实人才基础。
　　国内未来255.1万片/月（折合12寸）待扩产，叠加国产替代以及先进封装等驱动，平台型公司大有可为。公司在手订单充足，2023年1-5月新增订单相较去年同期增长超过30%，其中以集成电路设备订单为主；考虑到国内未来255.1万片/月（折合12寸）待扩产，叠加国产替代因素，公司有望凭借刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心工艺装备的平台化布局获得可观订单，支撑未来业绩增长。随着以TSV技术为代表的先进封装成为芯片集成的重要途径，公司凭借在TSV制作环节的产品布局如PSEV300等有望获得更多订单。
　　盈利预测：我们预计公司2023/2024/2025年分别实现收入207/267/345亿元，实现归母净利润分别为38/51/66亿元，当前股价对应2023-2025年PE分别为33倍、25倍、19倍，维持“买入”评级。
　　风险提示：外部环境不确定性风险；技术迭代风险；人力资源风险；下游扩产不及预期风险。
　　

研究报告全文：证券研究报告北方华创002371SZ开创芯启程领跑芯未来股票投资评级买入维持吴文吉中邮证券研究所电子团队中邮证券2023年10月6日1北方华创业务版图半导体装备精密元器件真空装备等离子体刻蚀设备电源模块石墨纯化设备PowerSupplyEtchGraphitepurificationFurnaceModule物理气相沉积设备集成电路IC晶体器件化学气相沉积工艺设备PVD先进封装CrystalDeviceCVDCVIFurnace先进陶瓷化学气相沉积设备功率半导体精密电阻器连续高温设备Continuoushigh-temperatureCVDPrecisionResistor金属热处理化合物半导Furnace体碳材长晶炉设备微波组件烧结工艺设备PVT硅基微型显MicrowaveModuleSinteringFurnace真空电子元示器件氧化扩散设备钽电容器先进热处理工艺设备Furnace半导体显示TantalumCapacitorHeatTreatmentFurnace复合集流体及照明行业湿法设备针焊工艺设备WET科研领域BrazingFurnace氢能行业紫外线固化炉新能源光伏物理气相沉积工艺设备新能源光伏UVCure平台型企业PVDFurnace平板显示及磁性材料行智能自动化业移载传输设备单晶炉设备Indexer衬底材料SingleCrystalGrowingFurnace锂电池极片电池制造辅助设备客户服务钕铁硼晶界扩散工艺设备NdFeBgrainboundarydiffusionAncillaryEquipment备品备件processequipment气体测量控制锂离子电池极片制造设备Li-ionBatteryElectrodeGasMeasuringControlManufacturingEquipment2资料来源公司官网中邮证券研究所请参阅附注免责声明投资要点平台化布局半导体工艺装备真空及锂电装备精密电子元器件跨入百亿级发展新阶段公司由七星电子与北方微电子战略重组成立作为国内主流高端电子工艺装备供应商与重要高精密电子元器件生产基地在半导体工艺装备领域公司覆盖刻蚀薄膜清洗热处理晶体生长等核心工艺装备广泛应用于逻辑器件与存储器件等工艺制造过程助力半导体国产替代在真空及锂电装备领域公司研发的晶体生长设备等为新材料新工艺新能源等绿色制造赋能在精密电子元器件领域公司研发的石英晶体器件等产品推动元器件向小型化轻量化高精密方向发展随着电子工艺装备的持续突破2022年公司跨入百亿级营收发展新阶段加码研发扩大工艺覆盖范围长效激励构筑坚实人才基础以全球晶圆厂设备分类占比2322的薄膜刻蚀设备为例刻蚀装备方面公司发布了双频耦合CCP介质刻蚀机实现硅刻蚀金属刻蚀介质刻蚀工艺全覆盖薄膜装备方面公司的铜互联薄膜铝薄膜钨薄膜硬掩膜介质膜TSV薄膜背面金属沉积等二十余款产品成为国内主流芯片厂的优选机台同时公司在立式炉卧式炉外延清洗装备方面不断扩大工艺覆盖范围另外201820192022年三期股权激励计划的实施彰显公司长期发展信心构筑坚实人才基础国内未来2551万片月折合12吋待扩产叠加国产替代以及先进封装等驱动平台型公司大有可为公司在手订单充足2023年1-5月新增订单相较去年同期增长超过30其中以集成电路设备订单为主考虑到国内未来2551万片月折合12吋待扩产叠加国产替代因素公司有望凭借刻蚀薄膜清洗热处理晶体生长等核心工艺装备的平台化布局获得可观订单支撑未来业绩增长随着以TSV技术为代表的先进封装成为芯片集成的重要途径公司凭借在TSV制作环节的产品布局如PSEV300等有望获得更多订单盈利预测和财务指标盈利预测我们预计公司202320242025年项目年度2022A2023E2024E2025E营业收入百万元1468811206645926695463447502分别实现收入207267345亿元实现归母净增长率5168406929182914利润分别为385166亿元当前股价对应EBITDA百万元3355064852106293857990132023-2025年PE分别为33倍25倍19倍归属母公司净利润百万元235273382763509897657091维持买入评级增长率11837626933212887EPS元股4447229621240风险提示外部环境不确定性风险技术迭代市盈率PE5435334125081946风险人力资源风险下游扩产不及预期风险市净率PB648544447364EVEBITDA3361245218421396请参阅附注免责声明资料来源公司公告中邮证券研究所3一平台化布局半导体工艺装备真空及锂电装备精密电子元器件跨入百亿级发展新阶段二加码研发扩大工艺覆盖范围目录长效激励构筑坚实人才基础国内未来2551万片月折合12吋待扩产三国产替代以及先进封装等驱动订单增长四盈利预测4一平台化布局半导体工艺装备真空及锂电装备精密电子元器件跨入百亿级发展新阶段5发展历程20188完成首次股票期权激励计划授予登记20191220203北方华创非公开发行股票上市国20184家集成电路基金北京电控和京国北方华创完成2019年股票期权与限瑞基金参与本次认购制性股票激励计划股票期权授予登记完成在美国加利福尼亚州设立NAURA202212ResearchInc北方华创美国硅谷研究院2019120203销售收入20181北方华创微电子获得国家级企业技北方华创收购北广科技射频应用技术首次突破完成对美国AkrionSystemsLLC公司收购术中心资质相关资产正式签约百亿元201820192020202220172016201520122010200120172201682015102012920103北京电控整合原国营700厂706厂20019七星电子与北方微电子战略重组707厂718厂797厂798厂的优质七星电子更名为北七星电子七星电子七星电子资产和业务以七星集团为主发起人设立七星电子方华创科技集团股完成上市20169与北方微在深圳证份有限公司推出电子重组之后第一券交易所北方微电子由北京电控联合七星集团200110北方微电子更名为北京北方华创全新品牌北方华之旅开启次再融资上市清华大学北京大学中科院微电子所创NAURA微电子装备有限公司和中科院光电技术研究所共同出资设立北方华创微电子北方华创真空半导体装备真空设备北方华创新能源七星华创精密电子新能源锂电设备电子元器件资料来源公司官网中邮证券研究所6请参阅附注免责声明股权结构图表1公司股权结构截至2023年6月30日国家国家香港北京京国集成国七北集成诺华兴中央瑞国企改电路联星京电路安夏全其結算革发展基产业安集电产业基基基他有限金有限投资基团控投资金金金公司合伙基金金基金二期33629436424321521241171150930843936北方华创科技集团股份有限公司1410010北京飞行博达电子有限公司广州中科同芯半导体技术合伙企业有限合伙100526北京北方华创微电子装备有限公司北京长江先进存储产业创新中心有限责任公司诺华1004北京七星华创精密电子科技有限责任公司资本芯链融创集成电路产业发展北京有限公司投资100208北京北方华创真空技术有限公司管理北京七星华创集成电路装备有限公司有限100SEVENSTARELECTRONICS13公司北京京国管股权投资基金有限合伙INCORPORATED9118018北京七星华创微电子有限责任公司上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司资料来源Wind中邮证券研究所7请参阅附注免责声明电子工艺装备持续突破跨入百亿级发展新阶段作为国内主流高端电子工艺装备供应商以及重要的高精密电子元器件生产基地公司的主要产品为电子工艺装备主要包括半导体装备真空装备和新能源锂电设备和电子元器件主要包括电阻电容晶体器件模块电源微波组件等半导体行业周期波动下凭借强劲的产品实力公司业绩稳健增长2022年实现营收14688亿元正式跨入百亿级发展新阶段根据公司5月31日披露的投资者关系活动记录表公司在手订单充足2023年1-5月新增订单相较去年同期增长超过30其中以集成电路设备订单为主支撑公司未来业绩增长图表22018-2023H1公司各业务营收亿元图表32018-2023H1公司各业务营收占比1601468810018131409024211918257480120709683100842760171550806056105987407679808282601208440581165303324204084779497349788102048692521319100201820192020202120222023H1电子工艺装备电子元件其他业务总计电子工艺装备电子元件其他业务资料来源Wind中邮证券研究所资料来源Wind中邮证券研究所请参阅附注免责声明8毛利率区间波动相对稳健持续扩充研发毛利率区间波动相对稳健其他业务占比极低公司综合毛利率主要受电子工艺装备与电子元件影响近年来随着公司新产品的推出以及产品力优势整体毛利率在35-45区间波动规模效应不断凸显2018-2023H1公司的销售管理财务费用率基本呈下降趋势规模效应不断凸显研发方面公司2022年研发资金投入3566亿元申请专利900余件获得授权专利600余件研发人员2929人占比2927研发资金投入与申请专利数连续三年实现稳步增长公司将保持高强度的研发投入力度加快新产品开发和新技术预研图表42018-2023H1公司各主营业务毛利率图表52018-2023H1公司相关费用率16858075131372731369706567661111111060615553494442453841396374135383835352533129155-4201820192020202120222023H1销售费用率管理费用率综合电子工艺装备电子元件其他业务研发费用率财务费用率资料来源Wind中邮证券研究所资料来源Wind中邮证券研究所请参阅附注免责声明9规模效应持续凸显盈利能力不断增强受益于公司半导体设备业务市场占有率的稳步提升及经营效率的不断提高公司归母净利润和扣非归母净利润保持稳健增长2023H1公司实现归母净利润扣非归母净利润17991609亿元分别同比增长149138图表62018-2023H1公司归母扣非后归母净利润亿元以及各自增长率2523533503092106300201799250160918120015161149137107715010110138748071181003286537505309234-819700760700-50201820192020202120222023H1归属母公司股东的净利润扣非后归属母公司股东的净利润归母同比扣非归母同比资料来源Wind中邮证券研究所请参阅附注免责声明10二加码研发扩大工艺覆盖范围长效激励构筑坚实人才基础11刻蚀技术概览介质刻蚀氧化硅氮化硅二氧一般使用电容耦合等离按49化铪光刻胶子体刻蚀机CCP照刻硅刻蚀单晶硅多晶硅蚀材48硅化物一般使用电感耦合料等离子体刻蚀机分金属刻蚀ICP类铝钨3各向同性各向异性干法刻蚀90离子束刻蚀IonBeam一种物理干法加工工艺利用高能氩离子束以大约1至3keV的能量照射在材料表面上EtchingIBE优由于是垂直辐射因此在垂直墙壁上的磨损非常小高各向异性按劣由于其选择性较低且蚀刻速率较慢这种工艺在当前的半导体制造中很少使用照刻一种绝对化学刻蚀工艺也称为化学干法刻蚀Chemicaldryetch蚀等离子刻蚀优不会导致晶圆表面的离子损伤工Plasmaetch局限由于蚀刻气体中的活性粒子可自由移动蚀刻过程是各向同性的因此该方法适刻艺用于去除整个薄膜层例如清除经过热氧化后的背面蚀分类非常精确控制选择性蚀刻轮廓蚀刻速率均匀性和可重复性的化学物理蚀刻工艺技反应离子蚀刻Reactive优可实现各向同性和各向异性的蚀刻轮廓构建各种薄膜的最重要工艺之一ionetchingRIE劣选择性并不是非常高因为物理蚀刻过程也会发生此外离子的加速会对晶圆表术面造成损伤需要进行热退火来修复5m技术nm湿法刻蚀技术进步干法刻蚀化学刻蚀所有方向各向同性刻蚀方向特定方向各向异性精细图案湿法刻蚀10液体溶液使用的材料等离子体阳离子自由基所需设备昂贵电解刻蚀化学反应方式物理化学目标选择问题快速度慢吞吐量问题资料来源宽禁带半导体技术创新联盟微信号SJT锦雅电子微信号IMECAS硅光子微信号驭势资本知乎芯ONE微信号中邮证券研究所请参阅附注免责声明12干法蚀刻dryetch工艺主要表征蚀刻速率etchrate均匀性uniformityERhightimeP-substrate单位时间内去除蚀刻材料的深度或厚度选择比selectivitySER1ER2衡量蚀刻关键尺寸CD均匀性一般用CD的fullmaphigh1表征公式为UMax-Min2AVGhigh2P-substrate终点探测endpoint不同蚀刻材料的蚀刻速率比值PerturbationIndicating关键尺寸criticaldimensionEndpointCDP-substrateOpticalEmissionSignalTime在蚀刻过程中时刻检测光强的变化当某一特定光强发生明蚀刻完成后特定区域图形尺寸大小显上升或下降时终止蚀刻以此标志某一层film蚀刻的完成资料来源半导体材料与工艺微信号芯ONE微信号中邮证券研究所请参阅附注免责声明13刻蚀设备硅刻蚀金属刻蚀介质刻蚀工艺全覆盖图表7公司等离子体刻蚀设备部分汇总晶圆尺寸适用材料与工艺刻蚀机类别型号晶圆尺寸适用材料适用工艺多晶硅刻蚀机NMC508CG68吋兼容硅多晶硅刻蚀硅刻蚀多晶硅栅极刻蚀浅槽隔离刻蚀等金属刻蚀机NMC508M68吋兼容铝氮化钛钼钨氧化铟锡等顶层金属刻蚀中间层金属刻蚀等介质刻蚀机NMC508RIE68吋兼容氧化硅氮化硅氮氧化硅钝化层硬掩膜接触孔导线孔侧衬自对准回刻等刻蚀深槽刻蚀机NMC508Gt68吋兼容硅深硅刻蚀氮化钛金属硬掩膜刻蚀机NMC612M12吋金属TiNHM刻蚀高K值介质刻蚀WTiTa等金属及其化合物刻蚀金属刻蚀机NMC612G12吋铝硅氧化物钼氧化铟锡多晶硅刻蚀介质刻蚀AlMoITO等金属刻蚀硅刻蚀机NMC612C12吋硅多晶硅栅极刻蚀浅槽隔离刻蚀侧墙刻蚀硅刻蚀机NMC612D12吋硅浅沟槽隔离刻蚀栅极刻蚀侧墙刻蚀双重图形曝光深硅刻蚀机PSEV300812吋兼容硅氧化硅氮化硅25D3DTSV刻蚀深槽隔离电容刻蚀MEMS刻蚀封装钝化层刻蚀机PSEV300Di12吋氧化硅氮化硅PI等有机物玻璃等掩膜刻蚀Spacer有机物刻蚀大马士革刻蚀等深硅刻蚀机HSEP300812吋兼容硅氧化硅氮化硅深槽刻蚀深孔刻蚀扇出型封装硅载体刻蚀露铜刻蚀等深硅刻蚀机HSEM2008吋及以下硅SOISOG深硅刻蚀380mmFrame等离子体切割刻蚀机HSED300硅深硅等离子切割及以下去胶机ACEi300812吋兼容光刻胶干法去胶微波等离子体表面处理系统BMDP300812吋兼容PRPIPBOBCB等等离子体表面处理残渣去除金属离子去除氮化镓氧化硅氧化钛砷化镓磷化镓高精度刻蚀机GSEV2008吋及以下多种材料刻蚀工艺铝镓铟磷氮化硅钨化钛等硅氧化硅氮化硅氮化镓砷化镓多功能刻蚀机GSEC2008吋及以下多种材料刻蚀工艺磷化铟铌酸锂金属有机物等碳化硅氮化硅铝钪氮钼铝氮锆高密度刻蚀机GDEC2008吋及以下碳化硅通孔刻蚀碳化硅栅槽刻蚀钼-铝氮电极刻蚀等钛酸铅氧化铝氮化镓等ELEDE246吋氮化镓氧化硅氧化钛砷化镓磷化镓芯片刻蚀机电极深槽隔离DBR红黄光钝化层金属阻挡层等刻蚀G380AG380D及特殊尺寸铝镓铟磷氮化硅钨化钛有机物等246吋PSS刻蚀机ELEDE380F蓝宝石氧化硅等纳米级图形化PSS刻蚀复合衬底刻蚀及特殊尺寸资料来源公司官网中邮证券研究所14请参阅附注免责声明刻蚀设备新工艺不断突破刻蚀装备方面面向12吋逻辑存储功率先进封装等客户公司已完成数百道工艺的量产验证ICP刻蚀产品出货累计超过2000腔采用高密度低损伤设计的12吋等离子去胶机已在多家客户完成工艺验证并量产金属刻蚀设备凭借稳定的量产性能成为国内主流客户的优选机台迭代升级的高深宽比TSV刻蚀设备通过客户端工艺验证支撑Chiplet工艺应用应用于提升芯片良率的12吋CCP晶边刻蚀机已进入多家生产线验证精准针对客户需求发布了双频耦合CCP介质刻蚀机实现了在硅刻蚀金属刻蚀介质刻蚀工艺的全覆盖具有对硅深硅金属介质化合物半导体等多种材料的刻蚀能力2023年6月30日公司12吋深硅刻蚀机销售突破百腔助力CHIPLETTSV工艺发展以TSVThroughSiliconVia硅通孔技术为代表的先进封装成为芯片集成的重要途径公司于2020年前瞻性推出的12吋先进封装领域PSEV300成为国内TSV量产生产线主力机台经过三年的迭代更新PSEV300已从最初的25D3D封装领域逐渐应用至功率器件图像传感器及微机电系统等众多领域2023年7月1日公司发布国产12吋晶边刻蚀机打造良率提升专业解决方案晶边刻蚀机作为业界提升良率的有力保障其重要性日益凸显近日公司正式发布应用于晶边刻蚀BevelEtch工艺的12吋等离子体刻蚀机AccuraBE实现国产晶边干法刻蚀设备零的突破AccuraBE刚发布上市凭借优秀的工艺均匀性等斩获逻辑及存储器领域头部客户多个订单通过工艺调试进入量产阶段2023年7月1日北方华创发布12吋去胶机实现去胶工艺全覆盖去胶工艺作为刻蚀工艺的一种光刻胶在完成图形复制和传递作用后能否去除干净直接影响到后续工艺是否能够进行甚至关系到器件的性能2023年6月北方华创正式发布12吋去胶机ACEi300开拓12吋刻蚀领域全新版图ACEi300主要用于12吋存储逻辑图像传感器等实现刻蚀后去胶postetchstrip离子注入后去胶postimplantstrip去残胶descum表面处理surfacetreatment等去胶工艺全覆盖多项关键工艺指标达到先进水平资料来源公司官网公司公告中邮证券研究所请参阅附注免责声明15刻蚀设备应用领域广泛性能优异图表8公司等离子体刻蚀设备部分汇总应用领域与设备特点刻蚀机类别型号应用领域设备特点集成电路化合物半导体多晶硅刻蚀机NMC508CG良好的形貌控制能力多腔室集群设备可全自动并行工艺易维护功率半导体科研高刻蚀速率高刻蚀均匀性低颗粒缺陷性能稳定产能高客集成电路化合物半导体功率半导良好的铝线形貌控制能力多腔室集群设备含金属腔和去胶腔组合金属刻蚀机NMC508M户拥有成本低体硅基微型显示科研可全自动并行工艺PM维护周期长集成电路化合物半导体介质刻蚀机NMC508RIE高刻蚀速率和均匀性易维护性多腔室集群设备可全自动并行工艺功率半导体科研能稳定产能高客户拥有成本低深槽刻蚀机NMC508Gt集成电路功率半导体多腔室集群设备全自动并行工艺沟槽顶部圆化能力优秀的形貌控制低颗粒缺陷氮化钛金属硬掩膜刻蚀机NMC612M集成电路先进的线宽形貌均匀性控制能力高产能工艺稳定低缺陷减少等离子体诱导损伤集成电路功率半导体多腔室集群设备ClusterTool全自动化的能够进行串行或并行工艺处理包含工艺模块和传输模金属刻蚀机NMC612G硅基微型显示块可从12吋硅片传输盒FOUP中连续自动取片并在所指定的工艺腔室里完成所设定的工艺硅刻蚀机NMC612C集成电路功率半导体丰富的工艺调试手段较高的刻蚀已在客户端稳定量产超过十年硅刻蚀机NMC612D集成电路均匀性以及量产稳定性量产稳定性较高集成电路先进封装功率半导体兼具BoschNon-Bosch工艺针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制深硅刻蚀机PSEV300图像传感器微机电系统结合先进的工艺技术可实现超高深宽比下良好的工艺性能配置多腔平台满足大产能量产使用需求封装钝化层刻蚀机PSEV300Di先进封装易维护性能稳定客户拥有成本低高刻蚀速率高刻蚀均一性能力低颗粒多腔室集群设备深硅刻蚀机HSEP300先进封装采用Cluster结构布局减小占地提升产能自动化地上下料及自动工艺深硅刻蚀机HSEM200微机电系统科研配置高密度双立体等离子体源低频脉冲下电极系统可实现高速高深宽比高均匀性及极小侧壁粗糙度等离子体切割刻蚀机HSED300先进封装易维护性能稳定客户拥有成本低高刻蚀速率高刻蚀均一性和角度控制能力低颗粒控制等性能优势去胶机ACEi300集成电路功率半导体高去胶速率高均匀性低等离子体损伤低缺陷多腔室集群设备易维护性能稳定微波等离子体表面低损伤高刻蚀速率高刻蚀均匀性高亲水性兼容大翘曲及可刻BMDP300先进封装客户拥有成本低处理系统蚀不同材质晶圆等性能优势模块化设计可全自动并行作业高精度刻蚀机GSEV200化合物半导体MicroLED科研优异的刻蚀均匀性良好的颗粒控制能力宽阔的工艺窗口及精确的形貌控制能力多腔室集群设备多功能刻蚀机GSEC200化合物半导体硅基微型显示科研等离子体刻蚀机刻蚀速率高均匀性好颗粒控制能力强易维护性能稳定具有快速导产能力高密度等离子体刻蚀机GDEC200化合物半导体科研多腔室集群设备全自动并行工艺处理适用于强键合材料刻蚀ELEDE芯片刻蚀机半导体照明MiniLEDMicroLED等离子体刻蚀机配置单双反应覆盖蓝绿红黄芯片刻蚀全流程G380AG380D腔托盘式多片TrayinTrayPSS刻蚀机ELEDE380F半导体照明MiniLEDMicroLEDout全自动作业覆盖PSSNPSSCPSS刻蚀工艺资料来源公司官网中邮证券研究所16请参阅附注免责声明薄膜设备技术概览图表9薄膜沉积设备技术分类与对比低压型LPCVD常压型APCVD热蒸发沉积化学气相沉积先进薄膜沉积物理气相沉积金属有机化合物型CVD设备PVDMOCVD等离子体溅射沉积等离子体增强型原子层沉积PECVDALD热原子层沉积等离子体增强原子空间原子层沉积电化学原子层沉积大气压原子层沉积流床式TALD层沉积PEALDSALDECALDAP-ALD原子层沉积PVD技术CVD技术ALD技术沉积速率较快沉积速率较慢纳米分钟薄膜厚度较厚对于纳米沉积速率一般微米分钟优势原子层级的薄膜厚度级的膜厚精度控制差中等的薄膜厚度依赖于反应循环次数与大面积薄膜厚度均匀性好镀膜具有单一方向性镀膜具有单一方向性阶梯覆盖率最好劣势厚度均匀性差阶梯覆盖率一般薄膜致密无针孔阶梯覆盖率差PERC电池背面钝化层PERC电池背面钝化层PERC电池减反层TOPCon电池隧穿层接触钝化层减反层HJT光伏电池透明电极TOPCon电池接触钝化层减反层柔性电子介质层柔性电子封装层主要柔性电子金属化触碰面HJT电池接触钝化层半导体高k介质层金属栅极金属互联阻挡层板透明电极柔性电子介质层柔性电子封装层应用多重曝光技术在半导体领域28nm及以下先进半导体金属化半导体介质层低介电常数半导体封制程存储器件中的3DNAND典型应用中举足装层轻重资料来源微导纳米招股说明书中邮证券研究所请参阅附注免责声明17薄膜设备PVDCVDALD全覆盖薄膜装备方面公司突破了物理气相沉积化学气相沉积和原子层沉积等多项核心关键技术铜互联薄膜沉积铝薄膜沉积钨薄膜沉积硬掩膜沉积介质膜沉积TSV薄膜沉积背面金属沉积等二十余款产品成为国内主流芯片厂的优选机台广泛应用于集成电路功率器件先进封装等领域累计出货超3000腔支撑了国内主流客户的量产应用图表10公司物理气相沉积设备部分汇总型号晶圆尺寸适用材料适用工艺应用领域eVictor集成电路功率半导体硅金属铝薄膜PVD12吋铝氮化钽氮化钛钛AlPad铝线热铝PVDAl基微型显示eVictor钛氮化钛高温铝正面电极工艺背面金集成电路功率半导体科8吋PVD8吋Series镍镍钒银属化工艺研领域化合物半导体Polaris铜钛氮化钛钽氮硅通孔PVD812吋25D3DTSV沉积先进封装Series化钽Polaris12吋背面金属PVD12吋铝镍钒银钛背面金属化工艺功率半导体先进封装SeriesPolaris铜钛氮化钛钽氮晶圆级先进封装中的812吋通用PVD812吋兼容先进封装硅基微型显示Series化钽钨化钛金铝等UBM金属溅射重布线Polaris银钨化钛金铂钛化合物半导体半导体照明8吋PVD68吋倒装工艺金属电极等Series氮化钛铝等硅基微型显示科研领域iTopsPVDITO溅射系统246吋铟锡氧化物ITO电流扩展层半导体照明SeriesiTopsPVDAlN溅射系统246吋氮化铝氮化铝缓冲层溅射半导体照明Series资料来源公司官网公司公告中邮证券研究所18请参阅附注免责声明薄膜设备PVDCVDALD全覆盖公司自主开发的卧式PECVD已成功进入海外市场为多家国际先进光伏制造厂提供解决方案硅外延设备在感应加热高温控制技术气流场温度场模拟仿真技术等方面取得了重大的突破达成了优秀的外延工艺结果获得多家国内主流生产线批量采购面向LED领域介质膜沉积的PECVD设备凭借优秀的工艺性能和产能优势已成为LED客户扩产优选设备面向化合物半导体领域碳化硅外延设备的各项技术指标也均已达到行业先进水平批量机台已在各大主流厂商实现稳定量产图表11公司化学气相沉积设备部分汇总型号晶圆尺寸适用材料适用工艺应用领域氧化硅氮化硅氮氧化硅非晶硅非掩膜层沉积钝化层沉积绝缘层集成电路化合物半导体功率半导体EPEEi20068吋兼容晶碳PSGBPSG沉积LED硅基微显科研PECVD氧化硅图形化衬底层钝化保护层EPEEi8008吋及以下氧化硅氮化硅氮氧化硅化合物半导体半导体照明科研绝缘层掩摸层沉积EPEE5508吋及以下氧化硅氮化硅氮氧化硅保护层掩膜层电流阻挡层半导体显示及照明科研领域EstherE320R68吋兼容硅体硅外延埋层外延选择性外延集成电路功率半导体衬底材料科研单片LPCVDEstherE320A568吋硅NP常压硅外延功率半导体衬底材料科研单片LPCVDErisE120R68吋硅埋层外延选择性外延多晶外延集成电路功率半导体衬底材料科研单片APCVDErisE120A568吋硅NP常压硅外延功率半导体衬底材料科研单片APCVDHesperE230A12吋硅NP常压硅外延功率半导体衬底材料科研多片CVDSESSeries4568吋硅NP硅外延功率半导体衬底材料科研CVDMARSiCE11546吋碳化硅NP碳化硅外延化合物半导体衬底材料科研卧式LPCVDHORICL200468吋硅碳化硅硅基氮化镓硅碳化硅硅基氮化镓化合物半导体衬底材料科研装片量13002860单槽双插片管156mm氧化硅多晶硅掺磷多晶硅掺管式LPCVDHORISL12单机台管数561012管系统新能源光伏230mm硼多晶硅温度范围6001000装片量432780片舟156mm氮化硅氧化硅氧化铝Poly管式PECVDHORISP12单机台管数561012管系统新能源光伏230mm掺杂退火等温度范围150650资料来源公司官网公司公告中邮证券研究所19请参阅附注免责声明热处理设备概览图表12热处理设备分类氧化一种添加工艺是将硅片放入高温炉中加入氧气与之反应在晶圆表立式炉氧化炉按面形成二氧化硅热处理设按扩散通过分子热运动使物质由高浓度区移向低浓度区利用扩散工艺可以在设备备卧式炉扩散炉工硅衬底中掺杂特定的掺杂物从而改变半导体的导电率但与离子注入相比扩形艺散掺杂不能独立控制掺杂物浓度和结深因此现在应用越来越少态快速退火RTP退火一种加热过程通过加热使晶圆产生特定的物理和化学变化并在晶圆表面增加或移除少量物质2021年全球热处理竞争格局栅极堆叠设备设备市场规模占比应用材料44图表132019-2025E全球半导体热处理设备分类市场规模亿美元Kokusai19东京电子19半导体热工艺未来的发展方向芯片性能对热预算温度的敏感度要求越来越高屹唐股份51芯片尺寸缩小要求更低的工艺温度及更快的升降温速率的立式炉设备维易科42先进的工艺需求更先进的温度场控制技术ASM3253在更高温下对零部件选材及金属离子污染控制提出更高要求4炉管式化学气相沉积薄膜工艺向原子层沉积薄膜工艺发展SCREEN220北方华创1351344325328324其他2152662476837256916687110栅极堆叠设备5155525887948889882937氧化扩散炉6417190快速热处理201920202021E2022E2023E2024E2025E资料来源华经产业研究院知乎中邮证券研究所请参阅附注免责声明20