平安观点：
　　 ALD设备龙头企业，光伏、半导体业务共同成长。公司成立于2015年，核心业务为先进微纳米薄膜沉积设备的研发与应用，主要产品ALD设备可广泛应用于下游光伏、半导体、柔性电子等领域，2022年12月公司在科创板上市。业绩方面，2018-2022年，公司营收从0.42亿元增长到6.85亿元，年复合增长率为101.0%，2023年上半年，公司营收为3.82亿元，同比增长145.5%，公司业绩增长势头迅猛。此外，公司IPO募投项目预计将新增年产120台光伏、柔性电子领域的ALD设备以及年产40套半导体ALD设备的产能，助力公司业绩持续快速增长。
　　 ALD设备性能优异，国产替代空间广阔。ALD通过脉冲前驱体化学气相反应实现单原子层级薄膜沉积，具备精确的膜厚控制能力以及优秀的台阶覆盖率，在光伏、半导体制造工艺中有广泛应用。光伏领域，国产ALD厂商已基本实现国产替代并在国际竞争中占据优势；半导体领域，目前ALD设备国产化率极低，国内市场主要被ASM、TEL等国外厂商占据，国产替代空间广阔。
　　受益N型电池扩产，公司光伏业务有望持续高增。N型电池加速扩产，TOPCon、HJT等路线需求明确，薄膜沉积设备在TOPCon、HJT等路线价值占比较高，上游光伏设备公司深度受益。公司率先将ALD设备规模化应用于国内光伏电池产线中，拥有ALD、PECVD、扩散退火炉以及TOPCon电池工艺整线等丰富的产品组合，稳居国内领先地位，且公司光伏镀膜产品在产能、均匀性、碎片率等指标上也颇具竞争优势，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系，得到了客户的广泛认可。随着新一代太阳能电池技术扩产节奏逐渐进入白热化阶段，对光伏ALD设备的需求旺盛，公司光伏业务将持续受益。
　　半导体先进技术蓬勃发展，叠加国产化替代需求，公司半导体ALD设备有望加速放量。半导体先进技术如HKMG、多重曝光、先进DRAM、高堆叠层数3DNAND等对半导体ALD设备产生了的可观的需求，市场规模稳步增长，且目前美国对华制裁不断加剧，国产化替代主线坚挺，在先进技术快速发展及国产化替代趋势的背景下，国内ALD设备厂商深度受益。公司半导体ALD产品产业化进程迅速，已率先将High-k栅氧薄膜工艺应用于逻辑28nm制程，并获得客户重复订单，同时公司后续推出的应用于逻辑芯片、传统和新型存储芯片、CMOS芯片、MEMS等领域的多款ALD设备也陆续取得客户订单，未来半导体业务板块将成为公司业绩提升的重要发力点。
　　在手订单充裕，业绩增长确定性强。截止2023年中，公司在手订单共计62.53亿元，其中光伏设备订单56.21亿元，半导体设备订单5.48亿元，其他设备订单8461万元，公司在手订单充裕，且增速迅猛，后劲十足，未来业绩快速增长的确定性强。
　　投资建议：公司是国内ALD设备龙头，CVD设备也在积极布局，产品可广泛应用于光伏、半导体、柔性电子等领域，产品性能卓越，客户资源优质，近年业绩快速增长。光伏业务方面，公司在手订单充沛，新技术布局丰富，未来有望持续受益于光伏电池片的扩产；半导体业务方面，公司技术与产业化能力在国内较为稀缺，产品在逻辑、存储等诸多领域均取得客户订单，未来有望持续受益国产化替代浪潮。我们预计公司2023-2025年EPS分别为0.30元、0.79元和1.13元，对应9月14日收盘价的PE分别为149.4X、56.5X、39.6X。公司产品类别丰富，技术竞争力强，我们持续看好公司的发展，首次覆盖，给予“推荐”评级。
　　风险提示：1、技术迭代及新产品开发风险。技术及应用领域的不断发展促使下游客户对薄膜沉积设备的性能要求不断变化，如果公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，可能导致公司设备无法满足下游生产制造商的需要。2、下游需求可能存在波动的风险。公司产品主要应用于半导体和光伏行业，如果半导体产业周期性波动或光伏产业扩产节奏放缓导致对设备的需求降低，可能对公司的经营业绩产生不利影响。3、国际贸易摩擦加剧的风险。全球产业链和供应链重新调整及贸易摩擦等因素可能导致国外供应商减少或者停止对公司零部件的供应，进而影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，可能对公司的经营产生不利影响。

研究报告全文：公电子司2023年09月17日报微导纳米688147SH告国内ALD设备领航者国产替代助力业绩长期向好推荐首次平安观点ALD设备龙头企业光伏半导体业务共同成长公司成立于2015年公股价4487元核心业务为先进微纳米薄膜沉积设备的研发与应用主要产品ALD设备可广泛应用于下游光伏半导体柔性电子等领域2022年12月公司在司主要数据科创板上市业绩方面2018-2022年公司营收从042亿元增长到685首行业电子亿元年复合增长率为10102023年上半年公司营收为382亿元次公司网址wwwleadmicrocom同比增长1455公司业绩增长势头迅猛此外公司IPO募投项目预大股东持股无锡万海盈投资合伙企业有限合计将新增年产120台光伏柔性电子领域的ALD设备以及年产40套半导覆伙5118体ALD设备的产能助力公司业绩持续快速增长实际控制人王磊倪亚兰王燕清盖总股本百万股454ALD设备性能优异国产替代空间广阔ALD通过脉冲前驱体化学气相报流通A股百万股40流通BH股百万股反应实现单原子层级薄膜沉积具备精确的膜厚控制能力以及优秀的台阶告总市值亿元204覆盖率在光伏半导体制造工艺中有广泛应用光伏领域国产ALD流通A股市值亿元18厂商已基本实现国产替代并在国际竞争中占据优势半导体领域目前每股净资产元447ALD设备国产化率极低国内市场主要被ASMTEL等国外厂商占据资产负债率640国产替代空间广阔行情走势图受益N型电池扩产公司光伏业务有望持续高增N型电池加速扩产TOPConHJT等路线需求明确薄膜沉积设备在TOPConHJT等路线价值占比较高上游光伏设备公司深度受益公司率先将ALD设备规模化应用于国内光伏电池产线中拥有ALDPECVD扩散退火炉以及TOPCon电池工艺整线等丰富的产品组合稳居国内领先地位且公司光证伏镀膜产品在产能均匀性碎片率等指标上也颇具竞争优势与国内头券部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系得到了客户的广泛认可随着新一研代太阳能电池技术扩产节奏逐渐进入白热化阶段对光伏ALD设备的需证券分析师究求旺盛公司光伏业务将持续受益报付强投资咨询资格编号S1060520070001ALDFUQIANG021pingancomcn半导体先进技术蓬勃发展叠加国产化替代需求公司半导体设备告闫磊投资咨询资格编号有望加速放量半导体先进技术如HKMG多重曝光先进DRAM高S1060517070006YANLEI511pingancomcn徐勇投资咨询资格编号S10605190900042021A2022A2023E2024E2025EXUYONG318pingancomcn徐碧云投资咨询资格编号营业收入百万元428685147834674560S1060523070002YOY36960011601345315XUBIYUN372pingancomcn净利润百万元4654137361515YOY-19117415211646427毛利率458423402390387净利率1087992104113ROE522865147173EPS摊薄元010012030079113PE倍442237661494565396PB倍231104978369请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容微导纳米公司首次覆盖报告堆叠层数3DNAND等对半导体ALD设备产生了的可观的需求市场规模稳步增长且目前美国对华制裁不断加剧国产化替代主线坚挺在先进技术快速发展及国产化替代趋势的背景下国内ALD设备厂商深度受益公司半导体ALD产品产业化进程迅速已率先将High-k栅氧薄膜工艺应用于逻辑28nm制程并获得客户重复订单同时公司后续推出的应用于逻辑芯片传统和新型存储芯片CMOS芯片MEMS等领域的多款ALD设备也陆续取得客户订单未来半导体业务板块将成为公司业绩提升的重要发力点在手订单充裕业绩增长确定性强截止2023年中公司在手订单共计6253亿元其中光伏设备订单5621亿元半导体设备订单548亿元其他设备订单8461万元公司在手订单充裕且增速迅猛后劲十足未来业绩快速增长的确定性强投资建议公司是国内ALD设备龙头CVD设备也在积极布局产品可广泛应用于光伏半导体柔性电子等领域产品性能卓越客户资源优质近年业绩快速增长光伏业务方面公司在手订单充沛新技术布局丰富未来有望持续受益于光伏电池片的扩产半导体业务方面公司技术与产业化能力在国内较为稀缺产品在逻辑存储等诸多领域均取得客户订单未来有望持续受益国产化替代浪潮我们预计公司2023-2025年EPS分别为030元079元和113元对应9月14日收盘价的PE分别为1494X565X396X公司产品类别丰富技术竞争力强我们持续看好公司的发展首次覆盖给予推荐评级风险提示1技术迭代及新产品开发风险技术及应用领域的不断发展促使下游客户对薄膜沉积设备的性能要求不断变化如果公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求可能导致公司设备无法满足下游生产制造商的需要2下游需求可能存在波动的风险公司产品主要应用于半导体和光伏行业如果半导体产业周期性波动或光伏产业扩产节奏放缓导致对设备的需求降低可能对公司的经营业绩产生不利影响3国际贸易摩擦加剧的风险全球产业链和供应链重新调整及贸易摩擦等因素可能导致国外供应商减少或者停止对公司零部件的供应进而影响公司产品生产能力生产进度和交货时间可能对公司的经营产生不利影响请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容226微导纳米公司首次覆盖报告正文目录一ALD设备龙头企业光伏半导体业务共同成长611国内ALD设备领航者光伏半导体柔性电子全面布局612公司股权结构清晰核心管理团队技术背景雄厚713公司业绩稳步增长光伏领域贡献当下主要收入814募投项目10二ALD镀膜质量优异广泛应用于半导体光伏等领域10三受益N型电池扩产公司光伏业务有望持续高增1131光伏市场需求方兴未艾N型电池为当下扩产的主要路线1132薄膜沉积是光伏电池片核心设备之一已基本实现国产化1233公司是光伏ALD设备龙头企业在手订单充裕且增速迅猛14四半导体ALD设备领军者深度受益国产化替代1641半导体ALD设备市场空间广阔国产替代机遇渐显1642ALD设备在先进制程中地位凸显广泛应用于逻辑存储TSV封装1843半导体ALD设备全面开花将为公司业绩贡献巨大增量20五盈利预测及估值分析2251基本假设2252盈利预测2353估值分析2354投资建议24六风险提示24请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容326微导纳米公司首次覆盖报告图表目录图表1公司发展历程6图表2公司近年研发投入情况万元7图表3公司知识产权情况截止2023年年中7图表4公司股权结构情况截止2023年年中7图表5公司实控人高级管理人员核心技术人员履历部分8图表6公司近年营业收入情况亿元8图表7公司近年净利润情况亿元8图表8公司近年研发费用情况亿元9图表9公司近年期间费用率情况9图表10公司近年整体及各业务毛利率情况9图表11公司与同行业毛利率对比9图表13薄膜沉积设备分类10图表14ALD设备技术原理11图表15ALD设备应用场景11图表162017-2022年全球光伏新增装机量GW12图表172017-2022年国内光伏新增装机量GW12图表18各类光伏电池技术市占比变化趋势12图表19PERCTOPCon技术工艺流程及所需设备对比13图表20近年上市公司的光伏项目及设备投资明细13图表22公司TOPCon电池系列产品14图表23公司在光伏领域的产品布局14图表27全球半导体销售额亿美元16图表28全球半导体设备市场规模亿美元16图表29国内半导体设备市场规模亿美元17图表30近年海外对国内半导体行业制裁情况部分17图表312022年半导体前道设备价值量占比18图表32薄膜沉积各类设备价值量占比18图表33ALD设备市场格局202118图表34国内外半导体薄膜沉积设备厂商基本情况对比18图表35逻辑芯片各制程ALD应用环节数量个19图表36存储芯片ALD应用环节数量个19图表37ALD设备应用于SADP工艺19图表38存储芯片高深宽比结构示意图20图表39ALD设备在3DNAND中的应用20图表40公司在半导体领域的产品布局21图表41公司半导体ALD设备与同行对比情况21请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容426微导纳米公司首次覆盖报告图表42公司半导体工艺设备在手订单结构2022Q322图表43公司各业务板块盈利预测23图表44公司相对估值对比23请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容526微导纳米公司首次覆盖报告一ALD设备龙头企业光伏半导体业务共同成长11国内ALD设备领航者光伏半导体柔性电子全面布局微导纳米成立于2015年总部位于无锡2022年12月在科创板上市公司专注于先进微米级纳米级薄膜沉积设备的研发生产与应用核心产品为ALD设备主要应用于光伏电池半导体和柔性电子等领域公司发展历程中的关键节点总结如下2016年底公司完成第一台ALD设备原型机的研发2017-2018年公司光伏ALD设备KF6000在光伏龙头通威太阳能量产验证2018年公司启动半导体ALD设备研发2019-2020年公司半导体ALD设备研发完成并与客户签订订单2021年公司量产型High-kALD设备成功应用于28nm节点生产线2022年公司研发的首条GW级TOPCon工艺整线完成客户验收图表1公司发展历程资料来源公司公告平安证券研究所当前公司产品主要应用于光伏领域半导体有望打开其进一步成长空间光伏领域公司率先将ALD规模化应用于国内光伏电池产线中已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一在PERCTOPConXBC异质结钙钛矿叠层电池等高效电池技术发展过程中起着重要作用下游客户包括通威太阳能隆基股份晶澳太阳能阿特斯天合光能等光伏产业头部厂商在手订单屡创新高半导体领域公司ALD产品产业化进程迅速目前已经与国内多家头部半导体厂商建立深度合作关系其推出的应用于逻辑传统和新型存储等领域的多款ALD设备已取得了客户订单其中最具代表性的案例为公司率先研制的High-k栅氧薄膜工艺系统国内28nm制程中难度最大的工艺之一获得客户重复订单此外公司新开发的CVD设备产品也已经发往客户进行试样验证柔性电子领域公司自主研发的FlexGuard系列卷对卷ALD系统可在大幅宽的材料表面沉积高性能阻隔层有效保护OLED器件的性能和寿命目前已经实现产业化应用公司重视自主研发已掌握多项核心技术并建立了较为完善的专利壁垒公司自成立以来一直重视研发工作通过不断技术改进技术创新在以ALD技术为核心的薄膜沉积技术领域形成了多项核心技术和科技成果并应用于公司主营业务实现了科技成果与产业的深度融合公司重视研发力量的投入2019-2022年公司研发投入从3109万元增长到138亿元年复合增长率达到645公司在研发方面的资源倾斜促使其在较短时间内实现了产品与工艺的突破升级成功掌握了原子层沉积反应器设计技术高产能真空镀膜技术真空镀膜设备工艺反应气体控制技术纳米叠层薄膜沉积技术高质量薄膜制造技术工艺设备能量控制技术基于原子层沉积的高效电池技术等多项核心技术并建立了较为完善的专利壁垒截止2023年年中公司累计获得108项授权专利以及20项软件著作权初步建立起了较为雄厚的知识产权护城河请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容626微导纳米公司首次覆盖报告图表2公司近年研发投入情况万元图表3公司知识产权情况截止2023年年中15000申请数个获得数个发明专利1741810000实用新型专利10281外观设计专利995000软件著作权2020其他99530合计4041812019202020212022资料来源iFind平安证券研究所资料来源公司2023年半年报平安证券研究所12公司股权结构清晰核心管理团队技术背景雄厚公司股权结构清晰王磊家族为实控人截止2023年年中王磊王燕清倪亚兰代表的家族通过万海盈投资聚海盈管理德厚盈投资间接控制公司6061股份为公司的实际控制人公司副董事长兼首席技术官LIWEIMIN副总经理LIXIANG和胡彬监事会主席潘景伟分别持有公司942444277198的股份公司核心高管和技术人员持有公司较多股份有助于核心技术人员与公司深度绑定打造利益共同体实现长期稳健发展图表4公司股权结构情况截止2023年年中资料来源iFind公司2023年半年报平安证券研究所公司高管团队拥有丰富的产业技术相关经验为公司保持长期的技术竞争力保驾护航公司副董事长首席技术官黎微明先生曾任职于芬兰ASMMicrochemistryLtd芬兰Silecs芬兰Picosun2015年12月至2019年12月任微导有限董事2016年2月至2019年12月任微导有限首席技术官2019年12月至今任公司首席技术官并历任公司董事副董事长黎微明先生拥有25年以上ALD技术的研发和产业化经验掌握国际领先的原子层沉积技术是最早开始研究ALD技术的华人之一在国际ALD技术领域享有较高声誉其导师系ALD技术发明人公司董事副总经理李翔先生曾任职于新加坡科学技术研究院微电子研究所PicosunAsiaPteLtd新加坡格罗方德半导体股份有限公司2015年12月至2019年12月任微导有限董事2016年2月至2019年12月任微导有限应用总监ALD事业部副总经理研发部副总经理联席首席技术官2019年12月至今任公司董事副总经理李翔先生有多年Fab工作经验对下游市场应用开发经验丰富公司高管团队技术及产业背景雄厚能够为公司保持长期的技术领先性提供充足的保障请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容726微导纳米公司首次覆盖报告图表5公司实控人高级管理人员核心技术人员履历部分姓名职务工作经历王磊先生2017年6月至2017年9月就职于喜开理中国有限公司2017年9月至2018年2月就职于恒云太王磊董事长2018年2月至今任先导智能董事2018年10月至2019年12月担任微导有限董事长2019年12月至今担任微导纳米董事长黎微明先生曾任职于芬兰ASMMicrochemistryLtd芬兰Silecs芬兰Picosun2015年12月至2019年12副董事长月任微导有限董事2016年2月至2019年12月任微导有限首席技术官2019年12月至今任公司首席技术官黎微明首席技术官并历任公司董事副董事长黎微明先生拥有25年以上ALD技术的研发和产业化经验掌握国际领先的原子层沉积技术是最早开始研究ALD技术的华人之一在国际ALD技术领域享有较高声誉其导师系ALD技术发明人李翔先生曾任职于新加坡科学技术研究院微电子研究所PicosunAsiaPteLtd新加坡格罗方德半导体股份有限公司2015年12月至2019年12月任微导有限董事2016年2月至2019年12月任微导有限应用总监ALD事李翔董事副总经理业部副总经理研发部副总经理联席首席技术官2019年12月至今任公司董事副总经理李翔先生有多年Fab工作经验对下游市场应用开发经验丰富周仁先生曾任职于Lam中微半导体KLA拓荆科技等2020年8月至2021年6月历任公司半导体事业部副周仁总经理总经理首席运营长2021年7月至今担任公司总经理胡彬先生曾任先导智能副总经理2018年7月至2019年12月就职于微导有限任常务副总经理2019年12月胡彬副总经理至2021年6月任公司总经理2021年7月至今任公司副总经理光伏事业部总经理许所昌先生拥有多年半导体行业薄膜工艺研发经历致力于先进半导体工艺和技术开发在28nm及以下先进制程许所昌核心技术人员中原子层沉积技术应用方面积累了大量经验参与政府科技项目共4项吴兴华先生拥有15年以上高效率太阳能电池设备与高效电池技术研发经验曾任中国台湾工业技术研究院高级工程吴兴华核心技术人员师长期致力于高效率电池技术开发与产业化研究在N型高效电池制造领域积累了丰富的经验发表论文6篇荣获工研院杰出金牌研究奖资料来源公司招股说明书平安证券研究所13公司业绩稳步增长光伏领域贡献当下主要收入公司营业收入快速增长2018-2022年CAGR高达10102018-2022年公司营收分别为042亿元216亿元313亿元428亿元685亿元年复合增速为1010公司营收实现快速增长的原因为光伏行业的快速增长带动了工艺设备的需求2018-2022年公司归母净利润分别为-028亿元055亿元057亿元046亿元054亿元公司2019年实现扭亏为盈近年净利润维持在05亿元左右较为稳定2023年上半年公司实现营收382亿元同比增长1455实现归母净利润069亿元较去年同期扭亏为盈公司营收及利润同比均实现高速增长主要系公司积极推进客户验收订单陆续实现收入转化以及专用设备产品验收数量增长所致图表6公司近年营业收入情况亿元图表7公司近年净利润情况亿元光伏设备半导体设备配套产品与服务其他08806604402002201820192020202120222023H1-020201820192020202120222023H1-04资料来源iFind平安证券研究所资料来源iFind平安证券研究所请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容826微导纳米公司首次覆盖报告收入结构方面光伏仍占主导半导体蓄势待发2018-2022年公司光伏设备营收占专用设备营收的比重分别约为1001001009291是公司营收的主要来源但所占比重逐渐降低半导体设备2021年开始产生收入且近年快速增长未来将成为公司业绩的重要增长点潜力极大从在手订单角度看截止2023年中公司在手订单共计6253亿元其中光伏订单占比约90半导体订单占比约9公司近年研发费用快速增长2019-2022年公司研发费用分别为031亿元054亿元097亿元138亿元呈现快速增长趋势2023年上半年公司研发费用为064亿元同比增长334占营收的比例为1672公司研发费用快速增长主要系公司始终重视技术研发和升级随着在光伏领域持续投入以及半导体领域产业化不断推进研发人员以及研发项目材料消耗增加所致未来公司将在光伏新型高效电池和半导体各细分领域的产品技术方面持续加强研发对应的研发费用也将维持增长趋势图表8公司近年研发费用情况亿元图表9公司近年期间费用率情况研发费用率管理费用率销售费用率财务费用率15301020051000020192020202120222023H120192020202120222023H1-10资料来源iFind平安证券研究所资料来源iFind平安证券研究所公司近年毛利率有所下降未来公司在半导体领域的拓展将促使毛利率下降的趋势得到缓解2019-2023年上半年公司综合毛利率分别为53985190457742314300总体呈现下降趋势主要原因为公司产品结构变化所致12021年公司新推出的PECVDPEALD二合一设备首先在成熟的PERC电池领域中推广毛利率较低但收入占比超过45拉低了专用设备毛利率22022年高毛利率的设备改造业务占比减少导致毛利率有所下滑与同行业竞争对手相比公司综合毛利率略低于北方华创和拓荆科技两家半导体设备厂商但显著高于光伏薄膜沉积设备公司捷佳伟创原因为公司目前的主要收入来源仍为光伏设备较半导体设备毛利率略低但公司是国内少数实现光伏ALD设备产业化的厂商对产品定价有较高的话语权因此较其他光伏设备厂商拥有更高的毛利率图表10公司近年整体及各业务毛利率情况图表11公司与同行业毛利率对比综合毛利率光伏设备半导体设备设备改造及配件微导纳米北方华创拓荆科技捷佳伟创10060805040603040202010002019202020212022201820192020202120222023H1资料来源iFind公司招股说明书平安证券研究所资料来源iFind平安证券研究所请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容926微导纳米公司首次覆盖报告14募投项目募投项目扩充产能强化公司研发与产业化能力公司本次募投项目总额约为1165亿元其中拟使用IPO募集资金金额为10亿元主要用于三个项目基于原子层沉积技术的光伏及柔性电子设备扩产升级项目基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产升级项目集成电路高端装备产业化应用中心项目本次募投项目达产后公司将新增年产120台光伏柔性电子领域的ALD设备以及年产40套半导体领域ALD设备的生产规模同时也将提高公司ALD高端装备产业化能力图表12公司募投项目情况项目名称项目总投资额亿元拟使用募集资金投资额亿元产能台年基于原子层沉积技术的光伏及柔性电子设备扩产升级项目264250120基于原子层沉积技术的半导体配套设备扩产升级项目63350040集成电路高端装备产业化应用中心项目118100-补充流动资金150150-合计11651000160资料来源公司招股说明书平安证券研究所二ALD镀膜质量优异广泛应用于半导体光伏等领域薄膜沉积是光伏半导体生产制造环节的基础工艺主要分为PVD物理气相沉积CVD化学气相沉积ALD1PVD是在真空条件下采用物理方法如溅射将材料源表面气化成气态原子或分子并通过低压气体过程在基体表面沉积具有某种功能薄膜的技术此过程仅发生物理变化不涉及化学反应主要用于超纯金属薄膜的沉积制备包括溅射和蒸镀2CVD是通过化学反应的方式利用加热等离子或光辐射等各种能源在反应器内使气态化学物质在气相界面上经化学反应形成固态沉积物主要应用于绝缘薄膜硬掩模层以及金属膜层的沉积包括PECVDHDPCVDSACVD等3ALD是通过前驱体脉冲交替通入反应器发生化学反应最终实现原子层级薄膜沉积的镀膜技术按照能量源不同可分为TALD和PEALD通常PEALD使用离子体前驱体反应不需要高温器件损伤小主要用于沉积低k材料等介质膜TALD需要在高温下进行反应具备沉积速率较快薄膜致密性好等优点主要用于沉积金属栅极High-k金属化合物薄膜图表13薄膜沉积设备分类PVD设备CVD设备ALD设备1沉积速率较快1沉积速率较慢纳米分钟2薄膜厚度较厚对于纳米级1沉积速率一般微米分钟2原子层级的薄膜厚度的膜厚精度控制差2中等的薄膜厚度依赖于反应循环次数优劣势3大面积薄膜厚度均匀性好3镀膜具有单一方向性3镀膜具有单一方向性4阶梯覆盖率最好4厚度均匀性差4阶梯覆盖率一般5薄膜致密无针孔5阶梯覆盖率差1PERC电池背面钝化层PERC电池减反1PERC电池背面钝化层层1HJT光伏电池透明电极2TOPCon电池隧穿层接触2TOPCon电池接触钝化层减反层2柔性电子金属化触控面板透明电钝化层减反层应用领域3HJT电池接触钝化层极3柔性电子介质层柔性电子封装层4柔性电子介质层柔性电子封装层3半导体金属化4半导体高k介质层金属栅极金属5半导体介质层低介电常数互联阻挡层多重曝光技术半导体封装层资料来源公司招股说明书平安证券研究所ALD严格来说是一种特殊的CVD也是通过前驱体的化学反应实现薄膜沉积但其前驱体是以脉冲的方式进入反应室发生化学反应因此具备强大的膜厚控制能力ALD薄膜沉积可分为五个反应步骤1前驱体A进入反应室并吸附在基体表面请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容1026微导纳米公司首次覆盖报告2惰性气体冲洗反应室将剩余的前驱体A清洗干净3前驱体B进入反应室并吸附在基体表面与前驱体A发生化学反应生成目标薄膜4惰性气体冲洗反应室将化学反应生成的副产物清除出反应室完成一次原子层薄膜沉积5如此循环往复即可实现单位原子层级的薄膜沉积图表14ALD设备技术原理资料来源公司IPO公开路演资料平安证券研究所由于ALD技术的表面化学反应具有自限性因此ALD具备精准的膜厚控制能力大面积成膜均匀性优异的三维共形性以及高阶梯覆盖率等优点可广泛应用于不同环境下的薄膜沉积在光伏半导体柔性电子等新型显示MEMS催化及光学器件等场景中有良好的产业化应用图表15ALD设备应用场景资料来源公司招股说明书平安证券研究所三受益N型电池扩产公司光伏业务有望持续高增31N光伏市场需求方兴未艾型电池为当下扩产的主要路线请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容1126微导纳米公司首次覆盖报告光伏等清洁能源发展迅速引领全球能源市场变革全球光伏装机量持续增长近年全球太阳能光伏产业高速发展太阳能光伏年装机容量快速增长上游相关行业也得到迅速发展2017年至2022年间全球年度光伏新增装机容量和累计装机容量大幅增长其中新增装机容量由2017年的102GW增加至2022年的230GW5年时间增长超1倍根据IRENA预计未来光伏发电将占总电力需求的25全球光伏装机量在未来较长时间内将持续增长我国太阳能光伏产业起步相对国外较晚但受惠于全球光伏行业的高速发展凭借国家政策的大力支持以及人力资源成本优势发展极为迅速截至2021年底我国光伏发电装机量达307GW同比增长21连续7年位居全球首位2021年新增光伏发电装机5488GW同比增长139连续9年位居世界第一2020年9月中国提出了努力争取2030年前实现碳达峰2060年前实现碳中和的应对气候变化新目标根据中国光伏行业协会预测在碳达峰碳中和目标下十四五期间我国光伏市场将迎来市场化建设高峰预计国内年均光伏装机新增规模在70-90GW图表162017-2022年全球光伏新增装机量GW图表172017-2022年国内光伏新增装机量GW250100874120080530654881506044264820100403010502000201720182019202020212022201720182019202020212022资料来源CPIA平安证券研究所资料来源CPIA平安证券研究所光伏电池片技术路线繁多P型的PERC技术是目前的市场主流N型的TOPCon技术凭借其更高的光电转换效率和产线兼容性处于大规模扩产前期太阳能电池片技术路线主要包括铝背场电池Al-BSFPERCTOPCon异质结HJT背接触IBC及钙钛矿等P型电池以P型硅片为原材料技术路线包括传统的铝背场技术以及目前非常成熟的PERC技术N型电池以N型硅片为原材料技术路线包括TOPConHJT等近年来已有厂商陆续开始布局属于下一代高效电池技术路线的潜在方向而IBC和钙钛矿为未来技术尚处于实验和验证阶段从各类电池的市场占有率看2018年传统的BSF电池依然占领半数市场2019年PERC电池技术迅速反超BSF电池占据了超过65的市场份额2020年PERC电池片市场占比达到862021年进一步提升至91成为光伏市场的绝对主流未来N型TOPConHJT技术凭借其更高的光电转换效率有望成为继P型PERC电池后的新一代产业化主流技术尤其是TOPCon产线与现有的PERC产线有较高的兼容度可基于PERC产线改造升级升级成本相对较低是后续较为理想的产业化技术路线图表18各类光伏电池技术市占比变化趋势BSFPERCTOPConHJTMWTIBC100500202120222023E2024E2025E2027E2030E资料来源CPIA公司招股说明书平安证券研究所32薄膜沉积是光伏电池片核心设备之一已基本实现国产化请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容1226微导纳米公司首次覆盖报告光伏电池设备已基本实现国产替代按照光伏电池产业链可将光伏设备分为硅片设备电池片设备组件设备其中硅片设备主要包括多晶铸锭炉单晶炉切片机切断机硅片检测分选设备等电池片设备主要包括清洗制绒设备扩散炉刻蚀设备镀膜设备激光开槽设备丝网印刷机等组件设备主要包括划片机自动串焊机自动叠层设备层压机自动包装机等我国光伏电池设备制造企业通过工艺与装备的创新融合以提高设备产能自动化程度及转换效率为目标同时适应大硅片生产已具备了成套工艺设备的供应能力基本实现设备国产替代并在国际竞争中处于优势地位光伏技术路线升级为薄膜沉积设备提供了更大的潜在市场薄膜沉积设备主要应用于太阳能晶硅电池片的制造环节根据不同的电池工艺和所需的薄膜性质薄膜沉积设备会有所不同2018年-2021年我国新建成产线基本全部为PERC产线针对目前已经大规模生产的PERC电池生产技术薄膜沉积设备主要用于钝化和减反膜的制备而对于新型高效电池目前产业化前景最为明确的TOPCon电池和HJT电池对于薄膜沉积的需求更高1TOPCon电池生产线可以由PERC电池生产线升级改造实现除原薄膜沉积需求外还增加了隧穿层和掺杂多晶硅层镀膜需求2HJT电池整体结构变化较大其制造环节只需4大类设备分别是制绒清洗设备投资占比10非晶硅沉积设备投资占比50透明导电薄膜设备投资占比25和印刷设备投资占比15其中非晶硅沉积设备透明导电薄膜设备均需要用到薄膜沉积设备根据近些年中来股份隆基股份通威股份等上市公司披露的光伏项目投资明细薄膜沉积相关设备在PERC产线建设中的投资占比约为2471-2673在TOPCon含N型电池产线建设中的投资比重上升至3300-3912光伏技术路线升级给对薄膜沉积设备产生了更大的市场需求图表19PERCTOPCon技术工艺流程及所需设备对比图表20近年上市公司的光伏项目及设备投资明细设备投资额薄膜沉积设备投资占比公司电池类型亿元中来股份TOPCON8GW20253643隆基股份TOPCON15GW46643457隆基股份N型电池3GW10153300爱旭股份N型电池65GW36153734爱旭股份N型电池2GW11333663天合光能PERC16GW54212471天合光能PERC16GW16992673天合光能TOPCON75GW31413912通威太阳能PERC75GW17782617通威太阳能PERC75GW18722485资料来源公司招股说明书平安证券研究所资料来源公司招股说明书平安证券研究所国内光伏领域薄膜沉积设备厂商主要有微导纳米无锡松煜理想晶延捷佳伟创北方华创红太阳拉普拉斯等企业其中微导纳米无锡松煜理想晶延公司的产品主要是ALD设备捷佳伟创北方华创红太阳拉普拉斯等企业产品主要是PECVD设备图表21光伏电池片薄膜沉积设备领域国内企业对比公司名称成立时间光伏产品市场地位根据公开资料无锡松煜2019年营业收入041亿元无锡松煜2017年ALDPECVDLPCVD三合一PECVD沉积系统2020年度增长较快国内主要从事光伏ALD设备的企业之一产品类型理想晶延2013年ALDPECVD以板式ALD设备为主国内主要的太阳能电池设备企业之一主营产品包括捷佳伟创2007年原生多晶硅料生产设备硅片加工设备晶体硅电池生产设备PECVD及扩散炉等其光伏镀膜设备主要为PECVD目前尚无ALD设备国内主要的电子工艺装备和电子元器件企业之一产北方华创2001年PECVD品体系丰富应用领域广泛其光伏镀膜设备为请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容1326微导纳米公司首次覆盖报告PECVD国内主要从事光伏PECVD设备的企业之一产品类红太阳2009年PECVDLPCVDALD扩散炉氧化炉型以管式PECVD设备为主光伏领域的设备包括扩散系统LPCVDPECVD等拉普拉斯2016年扩散系统LPCVDPECVD设备其主要产品LPCVD设备用于TOPCon电池掺杂多晶硅环节资料来源公司招股说明书平安证券研究所33公司是光伏ALD设备龙头企业在手订单充裕且增速迅猛公司以ALD技术为核心不断丰富其产品线目前已经推出ALDPECVDPEALD扩散炉等多种产品并积极推广AEPALDEnabledPhotovoltaics技术为核心的TOPCon电池工艺整线伴随着近年来TOPCon电池片产线的规模化量产公司ALD设备在光伏电池片领域的渗透率持续提升同时公司开发的行业内首条GW级TOPCon工艺整线项目也取得了客户的验收实现产业化应用公司光伏设备包括夸父祝融羲和等系列产品1夸父KF系列主要应用于光伏领域PERC电池背面钝化层TOPCon电池正面钝化层以及XBC钙钛矿异质结叠层电池等晶硅太阳能电池钝化层2祝融ZR系列祝融管式ALD专为接触钝化技术TOPConHPBCPOLOSHJ和TBC量身定制为后PERC高效电池技术提供可靠的量产解决方案而祝融管式PECVD突破性解决传统管式PECVD的产能瓶颈可与公司ALD钝化技术无缝对接确保PERCTOPConIBCTBC等高效电池生产3羲和XH低压扩散炉系统采用自主研发的超高温热场控制技术实现对硅片的掺杂兼容磷硼两种扩散工艺目前已实现产业化应用图表22公司TOPCon电池系列产品资料来源公司公开路演资料平安证券研究所图表23公司在光伏领域的产品布局产品系列设备类型镀膜工艺目前应用领域产业化阶段PERC电池背面钝化层TOPCon电池正面钝化层产业化应用夸父系列ALD系统TALDAl2O3工艺XBC钙钛矿异质结叠层电池等晶硅太阳能电池钝化层产业化验证祝融管式PECVD系统PECVDSiNX工艺PERC电池减反层TOPCon电池背面减反层产业化应用Al2O3和SiNX二合一工PEALD和PERC电池背面钝化层减反层TOPCon电池正面钝化祝融管式PEALD系统艺隧穿层和掺杂多晶硅产业化应用PECVD层减反层TOPCon电池隧穿层掺杂多晶硅层层二合一工艺羲和低压扩散炉系统炉管设备非晶硅晶化及掺杂扩散TOPCon电池扩散退火产业化应用后羿系列ALDPEALDALDPEAL非晶微晶硅基参杂薄膜钙钛矿异质结叠层电池开发实现PECVD系统DPECVD阻水阻气保护层等请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容1426微导纳米公司首次覆盖报告资料来源公司2023年半年报平安证券研究所与同行业对比公司光伏镀膜设备性能优异部分指标位于国内领先水平光伏薄膜沉积设备在不同电池结构及其膜层制备中的技术参数需求存在较大差异目前国内主要太阳能电池片为PERC电池其中Al2O3镀膜设备是实现PERC电池量产的关键设备所镀膜层用于实现钝化效果以达到更高的光电转化水平因此PERC电池Al2O3镀膜性能指标能够较大程度上反映各公司产品和技术情况据此我们挑选捷佳伟创PD-520设备红太阳M82300-3UM设备与公司KF10000S产品进行对比结果表明公司设备在产能稳定运行时间均匀性等指标方面优势明显总体处于国内领先水平图表24公司光伏镀膜设备与同行业对比情况产品关键性能参数捷佳伟创PD-520红太阳M82300-3UM微导纳米KF10000S产能片小时58903300-480010000机台稳定运行时间Uptime未披露9898碎片率Breakage未披露未披露003片内均匀性563片间均匀性563批间均匀性563资料来源公司招股说明书平安证券研究所公司市场口碑较好与下游头部客户建立了较好的合作关系经过多年发展公司积累了丰富的光伏电池片薄膜沉积技术树立了良好的市场口碑与前十名电池片企业均建立了良好的合作关系并对下游领先的电池片厂商实现了较高的客户覆盖率随着主要客户市占率的不断提升及生产经营规模的不断扩大公司产品的市场渗透率有望持续提升促进公司业绩的持续增长太阳能电池片技术路线目前正由PERC工艺向新型高效电池TOPConHJT等发展公司在行业中已率先取得无锡尚德通威太阳能晶科能源商洛比亚迪等公司的TOPCon产线设备订单图表25公司光伏镀膜产品的下游客户覆盖率情况公司产能2021MW产量2021MW是否为公司客户隆基股份4248025440是通威太阳能4080032930是爱旭科技3600019470是晶澳科技3060018940是天合光能2940018900是润阳悦达1980012630是晶科能源131508960是阿特斯97507070是江苏中宇90005000是江西展宇捷泰82005640是资料来源公司招股说明书平安证券研究所公司光伏ALD镀膜设备在手订单充裕为后期公司业务发展提供保障根据2022年9月末的公司IPO推介会数据公司在手订单近50来自TOPCon产线30以上来自XBC产线15左右来自传统PERC产线根据公司2023年半年报截止2023年年中公司光伏在手订单达5621亿元在手订单极为充裕为公司光伏业务的长期增长提供充分保障图表26公司光伏领域部分订单情况合同公司合同标的签署时间合同金额万元无锡尚德太阳能管式扩散炉管式氧化退火炉PEALD镀膜系统PECVD镀膜系统202104061995000通威太阳能管式扩散炉PEALD多晶硅镀膜管式氧化退火炉ALD钝化设备20210626465900请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容1526微导纳米公司首次覆盖报告思尔德科技卷对卷ALD柔性镀膜装备20211118450000晶科能源ALD钝化设备20211124623700沐邦高科新能源原子层沉积设备20220906-捷泰新能源ALD钝化设备20220907-资料来源公司招股说明书平安证券研究所四半导体ALD设备领军者深度受益国产化替代41半导体ALD设备市场空间广阔国产替代机遇渐显2015年以来全球半导体销售额及设备市场持续扩容2015年以来云计算汽车电子AI等产业蓬勃发展带动全球半导体行业景气度不断提升全球半导体销售规模持续上行2015年全球半导体销售额为3352亿美元2022年增长至5833亿美元期间CAGR为824下游半导体销售规模增加驱动上游晶圆厂扩产进程不断加速半导体设备市场随之呈现增长趋势根据SEMI数据全球半导体设备销售额从2015年的约365亿美元增长至2022年的1076亿美元期间CAGR为1670图表27全球半导体销售额亿美元图表28全球半导体设备市场规模亿美元700012006000100050008004000600300040020001000200002015201620172018201920202021202220152016201720182019202020212022资料来源SEMI平安证券研究所资料来源SEMI平安证券研究所外部打压叠加政策支持国内晶圆厂持续扩产半导体设备市场规模增长迅速外部环境方面美国联合日本荷兰等持续打压中国半导体产业目前对华半导体管制已经从最初的针对某些特定公司扩大到对半导体整个行业的全面限制在此背景下国内半导体产业自主可控诉求不断加强国内政策方面国家以及各地方政府从财政优惠投融资环境人才培养等多个维度连续出台了多项扶持政策大力支持和引导半导体产业发展推动国内半导体产业国产化稳步前行在外部持续打压以及政策大力扶持下国内晶圆厂快速拓展半导体设备市场规模也随之迅速增长根据SEMI数据2015年国内半导体设备市场规模约为49亿美元2022年增长至约283亿美元期间CAGR为2845请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容1626微导纳米公司首次覆盖报告图表29国内半导体设备市场规模亿美元35030025020015010050020152016201720182019202020212022料来源SEMI平安证券研究所图表30近年海外对国内半导体行业制裁情况部分管制推出时间管制措施主要内容2018年4月美国商务部发布公告在未来7年内禁止中兴通讯向美国企业购买敏感产品2019年5月华为及68家附属关联公司被美国列入实体名单2020年5月BIS限制华为购买使用美国技术软2019-2020年件设计制造的半导体2020年8月BIS在实体清单中新增38家华为附属公司并修订外国制造直接产品规则进一步限制华为使用基于美国软件技术生产的半导体2020年12月中芯国际被纳入实体名单对用于10nm技术节点的产品或技术美国商务部采取推定拒绝的审批政策进行审核美国众议院通过芯片与科学法案主要内容包括1分5年提供527亿美元用于半导体制造激励计划研发投资税收抵免其中美国芯片基金共500亿美元390亿美元用于鼓励半导体制造企业110亿美元补贴芯片研发2法2022年7月案授权在未来十年拨款2000亿美元增加关键领域科技研发的投资3法案要求获得补贴的半导体企业未来10年内不得在中国大陆新建或扩建先进制程的半导体工厂2022年7月美国半导体厂商收到美国商务部规定要求不得向中国供应用于制造14nm芯片的设备2022年8月BIS公告美国准备对EDA等四项技术实行出口管制2022年8月美国通知英伟达向中国和俄罗斯出口A100和H100芯片需新的许可证要求BIS对中国进行超级计算机计算芯片和包含此类芯片的计算机商品加入CCL中对受到许可证要求限制的外国生产项目的范围扩大到实体名单上中国境内的28家现有实体针对18nm的DRAM128层的NAND存储芯片增加了新的许可2022年10月证要求限制美国人员在没有许可证的情况下支持在某些位于中国的半导体制造设施研发和制造集成电路将包括长江存储中国科学院大学等科研院校在内的31家实体列入未经核实名单UVL2023年3月美国商务部将浪潮集团龙芯中科等公司列入实体名单资料来源美国商务部平安证券研究所全球半导体ALD设备市场规模增长迅速半导体前道设备包括光刻刻蚀薄膜沉积检量测涂胶显影热处理离子注入清洗等设备其中薄膜沉积设备价值量占比约为23随着薄膜沉积工艺的不断发展目前基于不同的应用演化出了PECVD溅射PVDALDLPCVD等不同的设备用于晶圆制造的不同工艺流程从薄膜沉积设备价值量占比来看PECVD在薄膜设备中价值量占比最高占据33的价值量ALD设备占比为11溅射PVD和电镀ECD属于PVD合计占比为23SACVD是新兴的设备类型目前占比较小从市场规模增速来看根据SEMI预测ALD设备市场规模在2020-2025年CAGR将达到263在各类关键晶圆生产设备中增速最快请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容1726微导纳米公司首次覆盖报告图表312022年半导体前道设备价值量占比图表32薄膜沉积各类设备价值量占比光刻刻蚀薄膜沉积量测涂胶显影PECVDALD溅射PVD电镀ECD热处理离子注入清洗CMP其它管式CVD非管式LPCVDMOCVD其它资料来源Gartner平安证券研究所资料来源Gartner平安证券研究所半导体ALD设备的国产化率处于较低水平国产化替代为国内ALD设备厂商提供了充足的市场机会全球半导体ALD设备市场主要由ASMTEL等国外厂商占据国内厂商微导纳米拓荆科技北方华创中微公司等也推出了相关产品但与国外还存在较大的差距国产化率较低根据公司官网信息2020年ALD设备的国产份额几乎为0在当前外部环境紧张的背景下国产替代诉求持续强化国产ALD设备厂商有望迎来良好的发展契机图表33ALD设备市场格局2021图表34国内外半导体薄膜沉积设备厂商基本情况对比公司名称企业介绍ASMTEL其他总部位于荷兰产品涵盖了晶圆加工技术的重要方面包括光刻ASM沉积离子注入和单晶圆外延总部位于日本是日本最大的半导体成膜刻蚀设备公司该公司TEL产品线中包含ALD设备总部位于美国产品横跨ALDCVDPVD刻蚀CMPRTP等AMAT除光刻机外的几乎所有半导体设备国内领先的半导体设备供应商其刻蚀机PVDCVDALD氧北方华创化扩散炉退火炉等产品在泛半导体领域实现量产应用产品涵盖PECVDALDSACVD三类半导体薄膜沉积设备是国拓荆科技内唯一一家产业化应用的集成电路PECVDSACVD设备厂主要为集成电路LED芯片MEMS等半导体产品的制造企业提供中微公司刻蚀设备MOCVD设备2020年非公开发行股票的募投项目中包括了半导体LPCVDALD等设备的开发资料来源Gartner平安证券研究所资料来源公司招股说明书平安证券研究所42ALD设备在先进制程中地位凸显广泛应用于逻辑存储TSV封装半导体先进制程快速发展所需的ALD工艺数量大幅提升集成电路制造不断向先进制程发展芯片立体结构日趋复杂这对绝缘介质薄膜导电金属薄膜的材料种类和性能指标不断提出更高的要求同时薄膜沉积工艺的数量也在不断增长90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工艺但在3nmFinFET工艺产线上薄膜沉积工序则增长到100道沉积所需的薄膜材料也由6种增加到近20种同时对薄膜颗粒的要求也由微米级提高至纳米级先进制程前道工艺对薄膜均匀性颗粒数量控制金属污染控制的要求逐步提升驱动具备高阶梯覆盖率膜厚精准控制能力的ALD设备应用于先进制程产线根据微导纳米IPO公开路演资料逻辑芯片ALD设备应用环节由40nm工艺的1道增长到7nm工艺的11道增幅十分迅猛请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容1826微导纳米公司首次覆盖报告图表35逻辑芯片各制程ALD应用环节数量个图表36存储芯片ALD应用环节数量个121010886644220040nm28nm14nm7nmFeRAMReRAM3DNANDDRAM其他资料来源公司IPO公开路演资料平安证券研究所资料来源公司IPO公开路演资料平安证券研究所ALD技术在28nm以下逻辑芯片先进制程DRAM3DNAND新型存储器等重要领域的优势明显应用面迅速扩大128nm制程以下的高K栅介质层沉积需要应用ALD技术在65nm及以上制程中主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介质但进入45nm制程特别是28nm之后传统的SiO2栅介质层薄膜材料厚度需缩小至1纳米以下将产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应导致漏电流急剧增加器件性能急剧恶化此时用高K材料替代SiO2可优化器件性能常见的高K材料包括TiO2HfO2Al2O3ZrO2Ta2O5等其中HfO2的介电常数为25且具有适合的禁带宽度58eV因此HfO2作为栅介质层得到了广泛应用高K材料的沉积要求原子级别的精确控制高覆盖率高均匀性需要应用ALD技术2SADP工艺需要应用ALD技术目前28nm以下先进制程的FinFET制造工艺中难点在于鱼鳍Fin形状的形成因为Fin的有源区并不是通过光刻和刻蚀直接形成的而是通过自对准双重成像技术SADPSelf-AlignedDoublePatterning工艺形成该技术利用Spacer层在心轴图案边缘覆盖的侧壁图形作硬掩膜实现空间倍频的效果因此Spacer层对新轴图案的覆盖形貌及厚度决定了Fin结构的宽度而ALD精准强大的膜厚控制能力是该技术的核心图表37ALD设备应用于SADP工艺料来源平安证券研究所3存储芯片DRAM3DNAND新型存储器结构对ALD技术的需求越来越大DRAM方面随着DRAM存储器容量不断增大其内部的电容器数量随之剧增而单个电容器的尺寸将进一步减小电容器内部沟槽的深宽比也越来越大深沟槽将需要更高的薄膜表面积例如45nm制程中的沟槽结构深宽比达到1001所沉积薄膜的有效面积大约是器件本身表面积的23倍这些给沉积技术提出了更高的要求得益于薄膜以单原子层为量级生长所带来的大面积均匀性高台阶覆盖率和对膜厚的精确控制ALD技术能够很好地满足这些要求请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容1926微导纳米公司首次覆盖报告3DNAND方面内部层数不断增加元器件逐步呈现高密度高深宽比结构PVD和CVD难以达到沉积效果ALD则可以实现高深宽比特征下的均匀镀膜以最具挑战性的向字线中填充导电钨为例3DNAND交替堆叠氧化物和氮化物介电层密集排列且具有高深宽比的孔渗透至这些层中按照高深宽比通道将排列分为字线为了创建存储单元必须移除氮化物层并以钨进行替换这种钨必须通过深通道垂直深度501引入然后横向扩散从而以无孔洞的超共形沉积方式填充氮化物水平面横向比约101而原子层沉积能够一次沉积一个原子级薄层这就确保了均匀填充并防止因堵塞而产生空隙图表38存储芯片高深宽比结构示意图图表39ALD设备在3DNAND中的应用资料来源公司公告平安证券研究所资料来源LamResearch公司公告平安证券研究所43半导体ALD设备全面开花将为公司业绩贡献巨大增量公司半导体ALD设备的应用场景代表国内半导体各细分领域的先进工艺发展方向已经与国内多家半导体厂商建立了深度合作关系在逻辑芯片存储芯片新型显示芯片化合物半导体领域均有设备订单多项设备关键指标达到国际先进水平已经获得客户验证或处于验证阶段具体情况如下1逻辑芯片领域公司已开发的28nm逻辑芯片中高K栅介质层是国内集成电路突破28nm先进制程节点要求最高的工艺之一公司ALD设备凭借原子级别的厚度控制能力及高覆盖率特性制备的高K材料HfO2较好的满足了28nm逻辑器件制造过程的需要相关设备已取得客户验收实现产业化应用并已获得重复订单同时公司还在逻辑芯片领域陆续开发新的设备工艺和材料应用2存储芯片领域公司ALD设备在高K栅电容介质层介质覆盖层电极阻挡层等工艺中的优势使其被广泛应用于DRAM3D-NAND新型存储器等半导体制造领域未来其在薄膜沉积环节的市场占有率将持续提高公司应用于该领域的设备已进入产业化验证阶段其中单片型ALD设备已获得多种工艺设备的重复订单批量型ALD设备也已获得客户订单且为行业首台批量型ALD设备在存储芯片制造领域的应用3新型显示芯片领域硅基微型显示芯片的阻水阻氧保护层应用于硅基OLED微型显示芯片该类显示芯片采用集成电路CMOS工艺作为半导体和OLED结合的一种新型显示技术具有较大发展前景公司应用于该领域的批量型ALD设备产品已获得多个客户订单处于产业化验证阶段公司半导体领域的设备产品主要包括iTomic系列iTomicMW系列iTomicPE系列iTronix系列镀膜系统等1iTomic系列原子层沉积镀膜系统适用于沉积多种氧化物和氮化物互相掺杂沉积工艺等薄膜材料可用于逻辑芯片传统及新型存储芯片的电容介质层高K栅介质覆盖层掺杂介质层芯片制造电极及阻挡层化合物半导体钝化和过渡层等多个应用领域该系列部分产品已取得客户验收实现产业化应用并取得重复订单2iTomicMW系列批量式原子层沉积镀膜系统适用于沉积多种氧化物和氮化物互相掺杂沉积工艺等薄膜材料可用于逻辑芯片传统和新型存储芯片电容介质层掺杂介质层新型显示器芯片制造电极及阻挡层化合物半导体钝化和过渡层等应用领域该系列部分产品已经取得客户验收实现产业化应用3iTomicPE系列镀膜系统适用于沉积多种氧化物和氮化物互相掺杂沉积工艺等薄膜材料可用于MEMS逻辑存储CMOS芯片的多重图案化和间隔层该系列部分产品已发往客户处进行试样验证请通过合法途径获取本公司研究报告如经由未经许可的渠道获得研究报告请慎重使用并注意阅读研究报告尾页的声明内容2026