我们认为荷兰、日本的半导体出口管制核心目标为限制先进制程，与美国2022年10月7日的出口管制目的相似，主要压制了中国大陆半导体制造环节未来技术节点升级（走向7nm及以下）的进程，而对于国内主流的成熟制程产线（28nm及以上）扩产影响有限。我们预计“小院高墙”式管制策略未来还将延续。国内科技突围有赖于国内全产业链的配合协同，聚焦上游的设备、零部件、材料等环节。建议关注国内头部设备企业在“卡脖子”领域的潜在布局。
　　▍日本政府、荷兰政府相继于2023年5月23日、6月30日发布半导体相关出口管制措施。受此影响，列入管制清单内的物项（日本为6大类23种半导体设备或物项，荷兰为6种半导体设备或物项以及相关的软件和技术）在对华出口时需要申请许可，日本、荷兰政策将分别于7月23日、9月1日正式实施。
　　▍我们认为荷兰6.30出口管制措施主要以限制先进制程为目的，主要针对16nm及以下制程。荷兰具体限制范围涉及光刻机、ALD原子层沉积、EPI外延、等离子增强沉积等，主要受影响荷兰企业为ASML和ASMInternational。管制涉及到的技术指标与对应设备型号有较为明确的指向性，例如（1）光刻机方面限制NXT:2000i、2050i及后续型号，不影响1980Di，主要限制通过多重图案化实现先进制程的能力；（2）限制TiAlC和功函数金属的ALD设备，影响16nmHKMG及更先进节点；（3）限制用于硅、硅锗的低温（≤685℃）高真空外延设备，可能影响部分先进制程节点；（4）限制金属间隙≤25nm的低介电常数（Low k）电介质材料的PECVD，影响3nm及以下先进逻辑节点，而目前国内尚无相关量产产线。因此整体短期增量影响有限，但长期制约我国半导体节点迭代能力。
　　▍我们认为日本5.23出口管制措施也针对先进制程，具体指标具有较强指向性。例如，（1）限制硅锗（SiGe）与硅（Si）的刻蚀选择性之比为100倍以上的各向同性干法刻蚀设备，是形成3nm以下GAA晶体管所必需的设备；（2）限制深宽度比超过30:1的干法刻蚀设备，主要为了限制3DNANDFlash。（3）限制钴/钨等金属接触层的沉积设备，我们认为主要针对10nm以下先进制程。而光刻胶等日本优势的半导体材料则未在限制行列之中。东京电子（TEL）、迪恩士（DNS）和尼康公司（Nikon）三家设备公司2022年报（财年截至当年3.31），来自中国大陆客户的营收占比分别为28.3%、26.2%、28.4%，均为其最大收入来源地区。我们预计在成熟制程相关设备后续仍有较大合作空间。
　　▍荷兰6.30出口管制清单可看作日本5.23出口管制清单的子集，重合部分的物项说明存在极大相似度。荷兰的6种产品均在日本清单中可找到对应表述。部分环节如浸没式ArF光刻机，荷兰进行了更加细致的指标说明，除分辨率≤45nm外，增加了DCO值≤1.5nm的条件，将限制范围设定在NXT:2000i及以上的光刻机型。日本方面则是所有分辨率≤45nm的机型均需要申请许可。但我们预期在光刻机许可的实际判定尺度上，日本有望与荷兰保持一致。
　　▍荷兰、日本出口管制主要压制了中国大陆半导体制造环节未来技术节点升级（走向7nm及以下）的进程，而对于国内主流的成熟制程产线（28nm及以上）扩产几乎无影响。这与美国2022年10月7日的出口管制目的相似。我们认为限制先进制程技术提供，同时保持成熟制程商业合作的“小院高墙”式管制策略将延续，保持技术代差或成为美国及盟友在相当一段时间内的高科技竞争策略。对于国内而言，科技突围有赖于国内全产业链的配合协同，时下短板和竞争焦点越来越聚焦上游的设备、零部件、材料等环节，此领域具有极大的内生替代动力。同时上游创新必须紧密配套头部下游客户，建议关注中芯产业链、长存产业链华为产业链等国内领先但受到实体清单影响的Fab厂和终端企业的积极变化。
　　▍从管制清单可以归纳出日本及荷兰厂商当前占有领先地位的、受管制措施影响的相关领域，是国内未来有待突破的方向，如：ArF浸没式光刻机、EUV光刻机以及配套涂胶显影/掩膜制造，SiGe刻蚀、高深宽比刻蚀等高端刻蚀，金属及有机金属化合物ALD、Si和SiGe外延、低k介质PECVD、钨/钴/钼/钌等金属CVD/PVD等高端薄膜沉积，晶圆表面改性后单片清洗等高端清洗等。（1）光刻领域，上海微电子（非上市）攻关国产光刻机，涂胶显影机领域芯源微领先，盛美上海亦有相关布局；（2）刻蚀设备领域，中微公司、北方华创各有所长；（3）薄膜沉积领域，拓荆科技、中微公司、北方华创、微导纳米、盛美上海在细分品类中积极开拓；（4）清洗设备领域，盛美上海领先，至纯科技、北方华创、芯源微均有布局。此外，量测、离子注入设备也是国产化率尚低、有待突破的领域，相关厂商包括精测电子、中科飞测，华海清科等。
　　▍风险因素：后续对华半导体技术限制超预期风险；国内先进技术创新不及预期；国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险；先进制程技术变革风险；下游需求波动风险。
　　▍投资策略：持续关注国内设备企业在“卡脖子”领域的新品布局和订单增量，建议关注国内头部设备企业如中微公司、

研究报告全文：近期荷兰日本半导体出口管制清单措施分析电子行业半导体设备板块专题2023717中信证券研究部核心观点我们认为荷兰日本的半导体出口管制核心目标为限制先进制程与美国2022年10月7日的出口管制目的相似主要压制了中国大陆半导体制造环节未来技术节点升级走向7nm及以下的进程而对于国内主流的成熟制程产线28nm及以上扩产影响有限我们预计小院高墙式管制策略未来还将延续国内科技突围有赖于国内全产业链的配合协同聚焦上游的设备零部件材料等环节建议关注国内头部设备企业在卡脖子领域的潜在布局徐涛科技产业联席首席日本政府荷兰政府相继于2023年5月23日6月30日发布半导体相关出口分析师管制措施受此影响列入管制清单内的物项日本为6大类23种半导体设备S1010517080003或物项荷兰为6种半导体设备或物项以及相关的软件和技术在对华出口时需要申请许可日本荷兰政策将分别于7月23日9月1日正式实施我们认为荷兰630出口管制措施主要以限制先进制程为目的主要针对16nm及以下制程荷兰具体限制范围涉及光刻机ALD原子层沉积EPI外延等离子增强沉积等主要受影响荷兰企业为ASML和ASMInternational管制涉及到的技术指标与对应设备型号有较为明确的指向性例如1光刻机方面限制NXT2000i2050i及后续型号不影响1980Di主要限制通过多重图案化王子源实现先进制程的能力2限制TiAlC和功函数金属的ALD设备影响16nm半导体分析师HKMG及更先进节点3限制用于硅硅锗的低温685高真空外延S1010521090002设备可能影响部分先进制程节点4限制金属间隙25nm的低介电常数Lowk电介质材料的PECVD影响3nm及以下先进逻辑节点而目前国内尚无相关量产产线因此整体短期增量影响有限但长期制约我国半导体节点迭代能力我们认为日本523出口管制措施也针对先进制程具体指标具有较强指向性例如1限制硅锗SiGe与硅Si的刻蚀选择性之比为100倍以上的各向同性干法刻蚀设备是形成3nm以下GAA晶体管所必需的设备2限制深宽度比超过301的干法刻蚀设备主要为了限制3DNANDFlash3限制钴钨等金属接触层的沉积设备我们认为主要针对10nm以下先进制程而光刻胶等日本优势的半导体材料则未在限制行列之中东京电子TEL迪恩士DNS和尼康公司Nikon三家设备公司2022年报财年截至当年331来自中国大陆客户的营收占比分别为283262284均为其最大收入来源地区我们预计在成熟制程相关设备后续仍有较大合作空间电子行业荷兰630出口管制清单可看作日本523出口管制清单的子集重合部分的物项说明存在极大相似度荷兰的6种产品均在日本清单中可找到对应表述部分评级强于大市维持环节如浸没式ArF光刻机荷兰进行了更加细致的指标说明除分辨率45nm外增加了DCO值15nm的条件将限制范围设定在NXT2000i及以上的光刻机型日本方面则是所有分辨率45nm的机型均需要申请许可但我们预期在光刻机许可的实际判定尺度上日本有望与荷兰保持一致荷兰日本出口管制主要压制了中国大陆半导体制造环节未来技术节点升级走向7nm及以下的进程而对于国内主流的成熟制程产线28nm及以上扩产几乎无影响这与美国2022年10月7日的出口管制目的相似我们认为限制先进制程技术提供同时保持成熟制程商业合作的小院高墙式管制策略将延续保持技术代差或成为美国及盟友在相当一段时间内的高科技竞争策略对于国内而言科技突围有赖于国内全产业链的配合协同时下短板和竞争焦点越来越聚焦上游的设备零部件材料等环节此领域具有极大的内生替代动力同时上游创新必须紧密配套头部下游客户建议关注中芯产业链长存产业链证券研究报告请务必阅读正文之后第20页起的免责条款和声明电子行业半导体设备板块专题2023717华为产业链等国内领先但受到实体清单影响的Fab厂和终端企业的积极变化从管制清单可以归纳出日本及荷兰厂商当前占有领先地位的受管制措施影响的相关领域是国内未来有待突破的方向如ArF浸没式光刻机EUV光刻机以及配套涂胶显影掩膜制造SiGe刻蚀高深宽比刻蚀等高端刻蚀金属及有机金属化合物ALDSi和SiGe外延低k介质PECVD钨钴钼钌等金属CVDPVD等高端薄膜沉积晶圆表面改性后单片清洗等高端清洗等1光刻领域上海微电子非上市攻关国产光刻机涂胶显影机领域芯源微领先盛美上海亦有相关布局2刻蚀设备领域中微公司北方华创各有所长3薄膜沉积领域拓荆科技中微公司北方华创微导纳米盛美上海在细分品类中积极开拓4清洗设备领域盛美上海领先至纯科技北方华创芯源微均有布局此外量测离子注入设备也是国产化率尚低有待突破的领域相关厂商包括精测电子中科飞测华海清科等风险因素后续对华半导体技术限制超预期风险国内先进技术创新不及预期国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险先进制程技术变革风险下游需求波动风险投资策略持续关注国内设备企业在卡脖子领域的新品布局和订单增量建议关注国内头部设备企业如中微公司拓荆科技北方华创盛美上海芯源微微导纳米至纯科技华海清科精测电子中科飞测等此外考虑到设备配套零部件环节的国产化趋势同时建议关注半导体设备零部件公司富创精密新莱应材江丰电子英杰电气等重点公司盈利预测及投资评级EPSPE简称代码收盘价评级2223E24E25E2223E24E25E北方华创002371SZ28476444611828106464473427买入中微公司688012SH1426819022529834075634842买入富创精密688409SH1011214516324833870624130买入盛美上海688082SH1032015418321726567564839买入芯源微688037SH15180092296426610165513625买入资料来源Wind中信证券研究部预测注股价为2023年7月12日收盘价货币单位人民币请务必阅读正文之后的免责条款和声明2电子行业半导体设备板块专题2023717目录荷兰近期半导体出口管制清单分析4日本近期半导体出口管制清单分析及对比7潜在突破方向梳理及投资策略11风险因素13附录从荷兰日本出口管制看光刻机发展14为何限制光刻机的套刻精度14光刻机迭代历程15光刻机市场竞争格局16插图目录图1先进逻辑制程路线图及最小金属间距MinMP对应关系7图2特征尺寸与光刻工艺k1参数的对应关系示意图14图3光刻机发展历程示意图16图42021年全球光刻机市场份额17图52021年三大厂商各类光刻机销量17表格目录表1荷兰半导体设备出口管制清单梳理2023年6月30日公布9月1日实施4表2ASML典型浸没式DUV光刻机参数对比5表3常见金属及功函数对应表6表4日本半导体设备出口管制清单梳理2023年5月23日公布7月23日实施标黄部分代表与荷兰限制范围相似7表5Intel10nm后段内连接各层工艺参数10表6尼康典型浸没式DUV光刻机参数及与ASML相关产品对比11表7各多重曝光技术工艺实际光刻精度14表8主流高端工艺多重曝光技术路径15表9各代光刻机详细情况16表10国内外主要厂商各类别典型光刻机产品对比17请务必阅读正文之后的免责条款和声明3电子行业半导体设备板块专题2023717荷兰近期半导体出口管制清单分析荷兰政府2023年6月30日发布出口管制主要受影响荷兰企业为ASML和ASMInternational列入清单内的物项在出口时需要申请许可该出口管制措施的生效日期为2023年9月1日具体限制范围涉及光刻机ALD原子层沉积EPI外延等离子增强沉积等表1荷兰半导体设备出口管制清单梳理2023年6月30日公布9月1日实施涉及序潜在国产代码细分设备品类具体工艺环节技术指标荷兰代表厂商工序号替代厂商EUV光罩护膜极紫外EUV光刻设备使用的光罩护膜Pellicle框13B001lASML无Pellicle架模组EUV光罩护膜制极紫外EUV光刻设备使用的光罩护膜Pellicle的23B001m无造设备制造设备步进重复或步进扫描光刻设备具备以下一或两种特性1光源波长小于193nm指EUV光刻机波长135nm2光源波长等于或大于193nm如DUV光刻机同时满足a可生成图案的最小可分辨特征尺寸MRF光刻minimumresolvablefeaturesize为45nm及以下且b最大DCO值dedicatedchuckoverlay小ASML光刻设备EUV及于等于15nm受影响包括上海微电33B001f4部分DUVNXT2000i2050i子技术说明及后续型号1最小可分辨特征尺寸MRF根据以下公式计算MRF光刻机光源波长K参数最大数值孔径其中K参数025MRF与分辨率相同2DCO是通过同一光刻系统在晶圆上曝光的现有图案上对准新图案的精确度功函数金属的原子层沉积ALD设备a具备以下所有条件1多种金属源其中一种已开发用于铝Al前驱体并且拓荆科技2原料容器设计温度高于45并且北方华创3B001d1特定功函数金属4b专为沉积具有以下所有特性的功函数金属而设计ASMInternational微导纳米2的ALD设备1沉积碳化钛铝TiAlC以及中微公司2功函数可能高于40eV的金属等技术说明薄膜1功函数金属是一种调节晶体管阈值电压的材料沉积设计用于硅Si碳掺杂硅硅锗SiGe或碳掺杂部分外延生长设SiGe外延生长的设备具备以下所有条件ASMInternational备硅Si碳1多个腔室和在工艺步骤之间保持高真空小于或等于中微公司其Intrepid53B001a4掺杂硅硅锗001Pa或惰性气氛水和氧分压小于001Pa的装置北方华创ESEpitaxy外SiGe或碳掺杂2至少一个预处理室设计用于清洁晶片表面的表面处等延设备涉及SiGe理和3外延沉积工作温度685ASMInternational在金属线之间的宽度小于25nm深宽比AR113B001d1等离子增强沉积其Dragon拓荆科技6的间隙中使用无空隙的等离子增强方法沉积介电常数9LowK电介质XP8PECVD设备等小于33的LowK电介质的设备涉及请务必阅读正文之后的免责条款和声明4电子行业半导体设备板块专题2023717专门为开发生产或使用本法规标题3B001l以上设备相关软73D0073B001m3B001f43B001d123B001a4或软件件3B001d19规定的设备而设计的软件及技开发生产或使用本法规标题3B001l3B001m术以上设备相关技83E0053B001f43B001d123B001a4或3B001d19规术定的设备所需的技术资料来源荷兰政府网站httpszoekofficielebekendmakingennlstcrt-2023-18212html中信证券研究部具体影响来看1EUV光刻机EUV光罩护膜EUVPellicle及相关生产设备限制对中国暂不存在增量影响目前中国大陆尚无EUV光刻机中芯国际曾于2018年向ASML提交EUV光刻机采购单但始终未获得交付2DUV光刻机方面本次限制a图案最小可分辨特征尺寸MRFminimumresolvablefeaturesize45nm及以下且b最大DCO值dedicatedchuckoverlay小于等于15nm的光刻设备其中DCO值指通过同一光刻系统在晶圆上曝光的现有图案上对准新图案的精确度ASMLNXT1980Di光刻机的DCO值小于等于16nm不受影响而NXT2000i及后续机型则需申请许可ASML浸没式DUV光刻机各个型号之间最大差异在于套刻精度和产出率在本次荷兰限制范围中ASML的浸没式DUV光刻机均满足最小分辨率小于等于45nm的条件但其中1980Di及先前机型的DCO单机台套刻精度最大值超过15nm不满足标准因此未在限制行列2000i2050i及未来后续型号由于DCO最大值小于15nm需申请许可这与我们在3月13日外发报告电子行业半导体重大事项点评美荷或将推出政策进一步限制对华半导体设备出口关注半导体国产化机遇中的预期一致表2ASML典型浸没式DUV光刻机参数对比光刻机型号最小可分辨特征尺寸最大数值孔径DCO套刻精度nm产出率片小MRFnmk1025NA时NXT2050i1nm295NXT2000i14nm275NXT1980Di3813516nm275NXT1970Ci20nm250NXT1950i25nm175资料来源ASML官网中信证券研究部注红色表示受到2023年6月30日荷兰出口管制影响绿色表示不受影响ASML于2023年6月30日发布公告称相关影响与3月初公司所宣布的预期一致荷兰的额外出口管制仅适用于TWINSCANNXT2000i和后续浸入式系统需要提醒的是ASML的EUV系统的销售此前已经受到限制公司预计这些措施不会对公司发布的2023年财务前景或2022年11月投资者日期间传达的长期情景产生重大影响3原子层沉积ALD设备方面主要影响用于沉积碳化钛铝TiAlC和功函数高于40eV的金属的ALD设备功函数材料通常用于晶体管栅极在HKMG中TiAlC是调整栅极功函数的材料28nmHKMG尚可以采用PVD方法但16nmHKMG需要使用ALD对于栅极长度低于10nm的极小尺寸器件具有高功函数的单一材料栅极材料是实现高效器件性能的合适方法此类材料亦通常采用ALD方法沉积因此该限制主要请务必阅读正文之后的免责条款和声明5电子行业半导体设备板块专题2023717影响16nm及以下先进制程表3常见金属及功函数对应表金属元素功函数金属元素功函数金属元素功函数Ag426474Al铝406426As375Au510547B445Ba252270Be498Bi431C5Ca287Cd408Ce29Co钴5Cr45Cs195Cu453510Eu25Fe467481Ga432Gd29Hf39Hg4475In409Ir500567K229La35Li29Lu33Mg366Mn41Mo436495Na236Nb395487Nd32Ni504535Os593Pb425Pd522560Pt512593Rb2261Re472Rh498Ru471Sb455470Sc35Se59Si460485Sm27Sn442Sr259Ta400480Tb3Te495Th34Ti钛433Tl384U363390V43W钨432455Y31Yb26Zn36349Zr405资料来源CRCHandbookofChemistryandPhysicsversion2007-2008DavidRLidep12124中信证券研究部标黄为部分半导体常见金属材料4用于硅Si包含碳掺杂硅锗SiGe包含碳掺杂的低温685高真空001Pa外延生长设备传统的硅器件的外延反应采用高温CVDVPE气相外延系统而低温高真空外延技术可以保证原子级的生长表面防止引入缺陷和杂质获得更好的生长表面可以用于先进制程CMOS晶体管例如3nmGAA晶体管的沟道层及源漏区域形成以及先进的3D-NAND和DRAM存储芯片我们认为此限制对国内现有产线的增量影响也较小5窄间隙填充低介电常数Lowk电介质材料的等离子增强沉积设备LowK材料主要用于层间介质减小寄生电容从而减小RC信号延迟提高器件的工作频率由于出口管制只限制金属间隙宽度小于25nm的情形我们推测基本只适用于3nm及以下先进逻辑节点等应用场景目前中国大陆尚不具有3nm芯片量产能力请务必阅读正文之后的免责条款和声明6电子行业半导体设备板块专题2023717图1先进逻辑制程路线图及最小金属间距MinMP对应关系资料来源东京电子含预测注2nm后节点14A埃米14nm整体来看荷兰出口管制措施主要以限制先进制程为目的主要针对16nm及以下制程其中部分环节如EUV光刻机3nm级别PECVD设备等目前国内尚无相关量产产线因此短期增量影响有限但长期制约我国半导体量产能力上限日本近期半导体出口管制清单分析及对比2023年5月23日日本经济产业省发布省令正式出台针对6大类23种半导体制造设备或物项的出口管制措施并将于7月23日开始实施在清单内的受管制物品在向中国大陆俄罗斯等非白名单地区出口时需要获得日本经济产业省的许可证清单主要针对高端半导体制造设备特别是聚焦了ArF浸没式光刻EUV配套设备及部件钴钨等金属沉积高深宽比刻蚀和硅锗刻蚀等技术指标较高材料特殊在先进制程有针对性应用的半导体设备品种而光刻胶等日本优势的半导体材料则未在限制行列之中表4日本半导体设备出口管制清单梳理2023年5月23日公布7月23日实施标黄部分代表与荷兰限制范围相似涉及工序序号细分设备品类具体工艺环节技术指标日本代表厂商潜在国产替代厂商光刻41ArF浸没式光刻机步进重复法或步进扫描型光源的波长为193nm或尼康佳能上海微电子未种更大以纳米表示的光源波长乘以025并除以数值上市孔径数的数值即光刻分辨率为小于等于45nm即浸没式ArF光刻机2EUV涂胶显影设备极紫外EUV光刻所使用的光刻胶涂胶成膜东京电子迪恩士芯源微盛美上加热显影设备海至纯科技3EUV光罩护膜极紫外EUV光刻设备使用的光罩护膜Pellicle三井化学无框架模组4EUV光罩护膜制造极紫外EUV光刻设备使用的光罩护膜Pellicle无设备的制造设备刻蚀35干法刻蚀硅锗等各向同性干法刻蚀设备硅锗SiGe与硅Si东京电子日立高中微公司北方种的刻蚀选择性之比为100倍以上新华创屹唐股份请务必阅读正文之后的免责条款和声明7电子行业半导体设备板块专题2023717涉及工序序号细分设备品类具体工艺环节技术指标日本代表厂商潜在国产替代厂商各向异性干法刻蚀设备符合以下所有条件未上市1具有一个或多个高频脉冲输出电源的电源2具有一个或多个切换时间小于300ms的高速气体切换阀3具有静电卡盘仅限于具有20个或更多可单独控制温度的区域的静电卡盘6湿法刻蚀硅锗硅锗SiGe与硅Si的蚀刻选择性之比为100东京电子日立高盛美上海芯源倍以上新微7高深宽比干法刻蚀各向异性刻蚀设备其中介电材料的刻蚀深度与宽度东京电子日立高中微公司北方比值超过30倍宽度尺寸小于100nm且新华创1具有一个或多个高频脉冲输出电源的电源2具有一个或多个切换时间小于300ms的高速气体切换阀薄膜沉积8电镀钴钴Co电镀薄膜设备盛美上海11种金属Contact层自下而上沉积钴Co或钨W的化学气相沉积东京电子中微公司拓荆CVD钴或者钨等设备填充的金属空隙或接缝最大尺寸为3nm或以科技北方华下创微导纳米一种用于在单一腔室Chamber中通过多道工艺东京电子中微公司拓荆沉积金属接触层Contact的设备并且符合以下科技北方华所有条件创微导纳米1在晶片的基板温度保持在100500的同时使用有机金属化合物沉积钨W层2使用氢气含有氢气与氮气或氨的混合物等离子体的工艺其设计成通过在多个腔室或工位中通过多个步骤形东京电子中微公司拓荆成薄膜并在多个过程间保持001Pa或更小的真空科技北方华状态或惰性环境并通过以下所有过程形成金属接触创微导纳米层Contact的1在将晶圆衬底温度保持在100500的同时使用氢气包括氢气和氮气或氨的混合物等离子体进行表面处理2在将晶圆基板温度保持在40500的同时使用氧气或臭氧等离子体进行表面处理3在将晶圆基板温度保持在100500的同时形成钨层的工艺在指定的半导体制造设备中通过以下所有工艺设计东京电子中微公司拓荆为形成金属接触层Contact的设备不包括属于科技北方华2的设备创微导纳米1使用远程等离子体源和离子过滤器进行表面处理的工艺2使用有机金属化合物选择性地在铜上沉积钴层的工艺ALD钛碳化铝符合下列所有项的功函数金属指控制晶体管阈值电东京电子拓荆科技北方压的材料华创微导纳1在两种或两种以上的金属源中具有一种或多种米中微公司为铝前体设计的金属源并具有设计在45以上温度下操作的前体容器2为形成功函数金属薄膜而设计的设备用于沉积钛碳化铝且功函数大于40eV金属Contact层沉在特定半导体制造设备中通过下列列举的全部工艺东京电子中微公司积氮化钛碳化钨使金属接触层Contact成膜而设计的设备钴等1将晶圆衬底温度维持在20500的同时使用有机金属化合物形成氮化钛或碳化钨层的工艺2将晶圆衬底温度维持在500以下的同时在01333Pa1333Pa的压力中下溅射形成钴层的工请务必阅读正文之后的免责条款和声明8电子行业半导体设备板块专题2023717涉及工序序号细分设备品类具体工艺环节技术指标日本代表厂商潜在国产替代厂商艺3将晶圆衬底温度维持在20500的同时在1333Pa1333kPa的压力下使用有机金属化合物形成钴层的工艺CVDPVD铜钴在特定半导体制造设备中通过下列列举的全部工艺东京电子爱发科拓荆科技北方钌形成铜线路的设备华创微导纳1将晶圆衬底温度维持在20500的同时米中微公司在1333Pa1333kPa的压力下使用有机金属化合物形成钴或钌层的工艺2在维持晶圆衬底温度低于500的同时在01333Pa1333Pa的压力下使用物理气相沉积法形成铜层ALD阻挡层绝缘为使用有机金属化合物选择性地形成阻挡层东京电子拓荆科技北方层Barrier或者线性层Liner的原子层沉积设备华创微导纳米中微公司在维持晶圆衬底温度小于500的同时设计为在绝东京电子拓荆科技北方缘层与绝缘层的间隙深度相对于宽度的比率超过5华创微导纳倍且该宽度小于40nm中填充钨或钴以不产生空隙米中微公司的原子层沉积设备9LPCVD氮化钨设计用于在001Pa或更低的真空状态下或在惰性东京电子拓荆科技北方钨气体环境中沉积金属层的装置符合以下所有情况华创微导纳1通过化学气相沉积或周期性沉积形成氮化钨层米中微公司同时保持晶圆基板温度在20500之间2在1333Pa和5333kPa之间的压力环境中通过化学气相沉积或周期性沉积形成钨层同时保持晶圆基板温度在20500之间10LPCVD钨钼设计用于在001Pa或更低的真空状态下或在惰性东京电子拓荆科技北方气体环境中沉积金属层的装置属于以下任何一种华创微导纳1不使用阻挡层Barrier选择性生长钨的米中微公司2不使用阻挡层Barrier选择性生长钼的11钌沉积设计用于使用有机金属化合物沉积钌层的设备同时东京电子中微公司将晶圆基板温度保持在20500之间12空间式ALD符合以下任意一项的空间原子层沉积设备仅限于带东京电子拓荆科技北方有旋转轴的晶圆支撑台华创微导纳1通过等离子体形成原子层米中微公司2具有等离子原3在等离子照射区域设有等离子屏蔽罩或限制等离子的设备13CVD硅和碳薄膜在400650的温度下形成薄膜的装置或通过促东京电子拓荆科技北方进与在不同于安装晶圆的空间中产生的自由基的化华创微导纳学反应而形成薄膜的设备并且设计为符合以下所有米中微公司项的形成含有硅和碳薄膜的设备1介电常数小于532水平开孔尺寸小于70nm深度相比于该尺寸的比率超过5倍的图案3图案间距Pitch小于100nm的结构14PVDEUV用的多为用于掩膜的多层反射膜通过离子束蒸镀或物理气东京电子爱发科北方华创层反射膜相沉积法形成膜的设备仅限用于EUV光刻设备的掩膜15EPI硅硅锗为硅包括碳掺杂或硅锗包括碳掺杂的外延生东京电子中微公司北方长而设计的设备并具有以下所有特性华创1拥有多个腔室且在多个工序间能够维持在001Pa以下的真空状态或水氧分压小于001Pa的惰性环境2具有一个或多个设计用于清洁晶圆表面的腔室请务必阅读正文之后的免责条款和声明9电子行业半导体设备板块专题2023717涉及工序序号细分设备品类具体工艺环节技术指标日本代表厂商潜在国产替代厂商3外延生长使用温度低于68516PECVD碳硬掩膜为厚度大于100nm和应力小于450MPa的碳硬掩膜东京电子拓荆科技北方的等离子体沉积而设计的设备华创微导纳米中微公司17PEALDPECVD设计为通过利用等离子体的原子层沉积法或化学气东京电子拓荆科技北方钨相沉积法沉积钨薄膜的设备氟原子数小于1019个华创微导纳cm2米中微公司18PECVDLow-k介金属配线的间隙仅限于宽度小于25nm且深度大于东京电子拓荆科技北方质50nm的间隙以不产生空隙的方式使用等离子体华创微导纳成膜相对介电常数小于33的低介电层的设备米中微公司热处理119真空退火铜钴在001Pa以下的真空状态下运行且属于以下任何一东京电子日立高北方华创盛美种钨项的退火设备新日立国际电气上海屹唐股份1通过进行铜回流最大限度地减少或消除铜配未上市线中的空隙或接缝2可以通过回流钴或钨填充金属来最大限度地减少或消除空隙或接缝清洗320铜氧化膜清洗在001Pa或更小的真空中去除聚合物残留物和氧迪恩士东京电子盛美上海至纯种化铜膜并能够形成铜膜的设备日立国际电气科技北方华创芯源微21腔室间干法清洗氧具有多个腔室或工序间通过干法工艺进行除去表面迪恩士东京电子盛美上海至纯化物氧化物的预处理或者通过干法工艺除去表面的污染日立国际电气科技北方华物创芯源微22晶圆表面改性后单在晶片表面改性后进行干燥工序的单片式湿式清洗迪恩士东京电子盛美上海至纯片湿法清洗设备科技北方华创芯源微检测123EUV掩膜版检测用于检测EUV光刻设备的掩膜坯料或掩膜图案的Lasertec日立高新精测电子中科种设备飞测资料来源日本经济产业省官网httpswwwmetigojppolicyanpolaw09-2html230523中信证券研究部注标黄部分代表与荷兰630管制限制范围相似日本出口管制物项清单虽未明确说明设备对应的制程节点但技术指标应用于具体材料和工艺的描述均具有较强的针对性主要面向与先进制程相关的设备品种例如针对刻蚀领域限制硅锗SiGe与硅Si的刻蚀选择性之比为100倍以上的各向同性干法刻蚀设备列表第5项可从Si和SiGe的叠层膜中去除SiGe是形成3nm以下GAA晶体管所必需的设备限制高深宽比干法刻蚀设备介电材料的刻蚀深宽度比超过301列表第7项主要为了限制3DNANDFlash针对薄膜沉积领域日本管制清单花较大篇幅描述钴钨等金属接触层的相关沉积设备我们认为主要也是针对10nm以下先进制程特征尺寸在10nm以下时钴Co较铜钨更具优势英特尔在10nm节点的Contact层和M1金属层首次采用了金属钴表5Intel10nm后段内连接各层工艺参数金属层间距Pitchnm光刻方法金属材料M040SAQP-unidirectional钴CoM136SAQP-unidirectional钴CoM3M444SAQP-unidirectional铜钴并用CuwithColinerandcap请务必阅读正文之后的免责条款和声明10电子行业半导体设备板块专题2023717M552SAQP-unidirectional铜钴并用CuwithColinerandcapM684Single-bidrectional铜CuM7M8112Single-bidrectional铜CuM9M10160Single-bidrectional铜CuTMO1080Single-bidrectional铜CuTM111000Single-bidrectional铜Cu资料来源IntelIEDM2017中信证券研究部荷兰630出口管制清单基本可看作日本523出口管制清单的子集重合部分的物项说明存在极大相似度荷兰限制了两大类领域的6种产品光刻机光刻配套光罩护膜及生产设备三种薄膜沉积不考虑配套软件和技术日本则限制了六大类23种产品荷兰的6种产品均在日本清单中可找到对应表述部分环节如浸没式ArF光刻机荷兰进行了更加细致的指标说明除分辨率在45nm以下外增加了DCO值15nm的条件将限制范围设定在NXT2000i及以上的光刻机型日本方面则是所有分辨率在45nm以下的机型均需要申请许可但我们预期在光刻机许可的实际判定尺度上日本有望与荷兰保持一致表6尼康典型浸没式DUV光刻机参数及与ASML相关产品对比光刻机型号最小可分辨特征尺寸最大数值孔径DCO套刻精度产出率片MRFnmk1025NAnm小时NSR-S635E15275NikonNSR-S625E3813517280NSR-S622D20220NXT2050i10295NXT2000i14275ASML38135NXT1980Di16275NXT1970Ci20250资料来源Nikon官网ASML官网中信证券研究部中国大陆为日本主要半导体设备厂商的重要收入来源地区之一成熟制程相关我们预计正常合作以日本半导体设备公司东京电子TEL迪恩士DNS和尼康公司Nikon为例根据三家公司2022年报202141-2022331来自中国大陆客户的营收占比分别为283262284均为其最大收入来源地区本次出口限制主要针对先进半导体制造否则若日本对华成熟芯片相关的半导体设备也实际施加限制则将会影响日本相关设备公司的营收长期削弱日本在半导体设备领域的份额优势同时中国本土技术生态链有望在重压下加速本土替代潜在突破方向梳理及投资策略荷兰日本出口管制主要压制了中国大陆半导体制造环节未来技术节点升级走向7nm及以下的进程而对于国内主流的成熟制程产线28nm及以上扩产几乎无影响这与美国2022年10月7日的出口管制目的相似我们认为限制先进制程技术提供同时保持成熟制程商业合作的小院高墙式管制策略将延续保持技术代差或成为美国及盟友在相当一段时间内的高科技竞争策略对于国内而言科技突围有赖于国内全产业链的请务必阅读正文之后的免责条款和声明11电子行业半导体设备板块专题2023717配合协同时下短板和竞争焦点越来越聚焦上游的设备零部件材料等环节此领域具有极大的内生替代动力同时上游创新必须紧密配套头部下游客户建议关注中芯产业链长存产业链华为产业链等国内领先但受到实体清单影响的Fab厂和终端企业的积极变化从管制清单可以归纳出日本及荷兰厂商当前占有领先地位的受管制措施影响的相关领域是国内未来有待突破的方向如ArF浸没式光刻机EUV光刻机以及配套涂胶显影掩膜制造SiGe刻蚀高深宽比刻蚀等高端刻蚀金属及有机金属化合物ALDSi和SiGe外延低k介质PECVD钨钴钼钌等金属CVDPVD等高端薄膜沉积晶圆表面改性后单片清洗等高端清洗等国内企业方面1光刻相关ArF浸没式光刻机EUV光刻机以及配套涂胶显影掩膜制造检测设备国内光刻机整机厂商为上海微电子非上市目前已经量产分辨率90nm的SSA60020型号ArF光刻机涂胶显影机方面芯源微领先公司已完成28nm及以上工艺节点覆盖盛美上海亦有布局已推出ArF和i-line型号设备着手研发KrF型号设备2刻蚀设备高深宽比刻蚀SiGe选择性刻蚀等高端刻蚀中微公司在国内刻蚀设备领域布局领先已研发高深宽比刻蚀设备PrimoHD-RIE型号在3D-NAND及DRAM中高深宽比沟槽及深孔刻蚀上表现优异北方华创亦有相关刻蚀领域布局SiGe选择性刻蚀用于3nm后GAA晶体管我们暂未了解到国内相关布局3薄膜沉积金属及有机金属化合物ALDSi和SiGe外延低k介质PECVD钨钴钼钌等金属CVDPVD等高端薄膜沉积国内薄膜沉积领域拓荆科技布局领先PECVD产品可用于部分低k介质等十余种工艺环节同时在ALD方面已量产SiO2等介质薄膜工艺PE-ALD可用于Al2O3等金属化合物薄膜工艺的Thermal-ALD在客户端验证中微公司在金属CVD和ALD设备积极布局钨WCVD设备已付运至关键存储客户端验证产品立项到客户产线核准用时仅18个月用于高端存储和逻辑器件的氮化钛TiNALD设备进入实验室测试阶段公司组建了EPI外延设备团队SiGe外延设备进入样机设计制造调试阶段北方华创在PVDCVDLPCVDAPCVDALD均有布局其中PVD领域国内领先2022年公司成立了PECVD事业部进行相关研发微导纳米在ALD方面布局较为集中可用于逻辑和存储芯片的高k栅极介质层等工艺环节同时PECVD产品可用于SiO2等多种薄膜盛美上海在2022年推出的PECVD设备可以用于SiO2SiNxCarbonNDCSiCN等薄膜工艺4清洗设备晶圆表面改性后单片清洗等高端清洗国内清洗设备方面盛美上海为龙头企业在先进制程相关高端产品布局领先此外至纯科技北方华创芯源微在清洗机领域均有布局此外量测离子注入设备领域也是国产化率尚低有待突破的领域建议关注精测电子中科飞测华海清科等建议关注国内头部设备企业如中微公司拓荆科技北方华创盛美上海芯源微微导纳米至纯科技华海清科精测电子中科飞测等此外考虑到设备配套零部件请务必阅读正文之后的免责条款和声明12电子行业半导体设备板块专题2023717环节的国产化趋势同时建议关注半导体设备零部件公司富创精密新莱应材江丰电子英杰电气等风险因素后续对华半导体技术限制超预期风险国内先进技术创新不及预期风险国际产业环境变化和贸易摩擦加剧风险先进制程技术变革风险下游需求波动风险请务必阅读正文之后的免责条款和声明13电子行业半导体设备板块专题2023717附录从荷兰日本出口管制看光刻机发展为何限制光刻机的套刻精度荷兰出口管制对于浸没式ArF光刻机限制了最大DCO值dedicatedchuckoverlay小于等于15nm其中DCO值指通过同一光刻系统在晶圆上曝光的现有图案上对准新图案的精确度即单机台的套刻精度光刻机套刻精度的改善有利于通过多重图案化实现更精细的特征尺寸根据瑞利判据公式特征尺寸CriticalDimensionCDk1NA其中浸没式ArF光刻机的光波长193nm数值孔径NA135而k1作为关键工艺参数影响了CD的水平解析度增强技术RET以及光学临近效应矫正OPC的采用使得光刻k1参数可以达到0206区间而采用多重图案化后k1参数可进一步降至02以下从而使特征尺寸进一步向下推进在多重图案化技术中最重要的是套刻精度多套图形必须非常精确地对准以避免电路错误而光刻机套刻精度的改善则有利于实现多重图案化从而实现更小的特征尺寸此外高对比度非线性光刻胶合理的掩膜设计亦是多重图案化实现的关键图2特征尺寸与光刻工艺k1参数的对应关系示意图资料来源IMEC比利时微电子研究中心中信证券研究部通过浸没式ArF光刻机的四重图案化可以实现7nm7nm节点出现两条技术路径浸没式ArF光刻SAQP自对准四重图案化或EUV单次图案化其中前者被Intel10nm和台积电初代7nm采用后者被台积电第二代7nm采用7nm以后四重以上图案化的工艺实现变得非常困难EUV光刻机的采用成为主流表7各多重曝光技术工艺实际光刻精度技术方案SELELELELELELESADPSAQPSEEUV极限光刻分辨率nm806442402026最小金属间距MMPnm16012884804052资料来源Intel三星台积电公司官网中信证券研究部请务必阅读正文之后的免责条款和声明14电子行业半导体设备板块专题2023717表8主流高端工艺多重曝光技术路径工艺节点最小金属间距MMPnm光刻方案FinPitchnmIntel10nm36SAQP34Samsung5LPE36EUV27Samsung7LPP36EUV27TSMCN740EUV30TSMCN7P40SAQP30TSMCN1044SAQP36Samsung10LPP8LPP48LELELE42Intel14nm52SADP42Samsung14LPP48LELE64TSMCN1664SADP48TSMCN2064SADP48lntel22nm80SADP60lntel22FFL90SADP45TSMCN2890SADPNAIntel32nm1125SADPNAlntel45nm160SENAlntel65nm210SENA资料来源Intel三星台积电公司官网中信证券研究部光刻机迭代历程光刻机历经5次迭代已发展至EUV光刻机光刻机在商用场景主要为有掩膜光刻机按照光源波长进行划分第一二代为UV型均为接触接近式光刻机使用光源分别为436nm的g-line和365nm的i-line对应800-250nm工艺第三代为扫描投影式光刻机采用248nm的KrF光源对应180-130nm工艺第四代为DUV型采用193nm的ArF光源分步进扫描投影式光刻机干式和浸没式步进扫描投影式光刻机浸没式分别对应130-65nm和45-7nm工艺7nm需经过多重曝光实现第五代发展至EUV型为极紫外光刻机采用135nm的EUV光源对应7nm及以下工艺预计2024年ASML将推出高数值孔径055NA的EUV光刻机目前为033NA分辨率将提升至8nm可以对更高制程工艺提供支持此外还存在少量无掩模光刻机包括电子束直写光刻机激光直写光刻机离子束直写光刻机等主要用于小批量特定芯片制造科学研究等用途请务必阅读正文之后的免责条款和声明15电子行业半导体设备板块专题2023717表9各代光刻机详细情况光刻机代际光源光源发生器波长曝光方式光刻分辨率CD工艺节点步进扫描投影式光刻第一代可见光g-line高压汞灯436nm250nm以上800-250nm最初为接触接近式光刻步进扫描投影式光刻第二代UVi-line高压汞灯365nm220-500nm800-250nm最初为接触接近式光刻第三代KrF准分子激光器248nm步进扫描投影式光刻80-150nm180-130nmDUV准分子激光器步进扫描投影式光刻57-90nm130-65nm第四代ArF193nm准分子激光器浸没式步进扫描投影式光刻38nm45-7nm第五代EUVEUV激发光源135nm极紫外一体式光刻13-22nm22-3nm资料来源ASML官网华经产业研究院中信证券研究部图3光刻机发展历程示意图资料来源OfWeek光刻机市场竞争格局全球主要光刻机市场由三家荷日企业垄断ASML高端全面尼康跟进中端佳能深耕低端根据中商产业研究院数据2021年ASMLCanonNikon在全球光刻机市场中的份额分别为6548486其他厂商份额为1765ASML绝对领先在EUV领域ASML拥有100份额掌握绝对核心技术目前为满产满销状态在ArF领域尼康有少量出货正致力于在ArFIm领域追赶ASML在低阶的KrF和i-line领域佳能占据较多份额并已放弃尖端光刻机研发专攻低阶市场请务必阅读正文之后的免责条款和声明16电子行业半导体设备板块专题2023717图42021年全球光刻机市场份额图52021年三大厂商各类光刻机销量ASMLNikonCanon其他ASMLNikonCanonEUV42176ArFIm81484ArfDry22386654KrF131538i-line3317102050100150200资料来源中商产业研究院中信证券研究部资料来源中商产业研究院中信证券研究部表10国内外主要厂商各类别典型光刻机产品对比最小分最大光刻机曝光光曝光圆片尺套刻精度nm产出率首次推出年公司型号辨率数值代际源方式寸mmSMOMMO片小时份nm孔径EXE500052008055NA1115020232024极紫NXE3800E13033300NA11195-2202023EUV第五代外曝ASMLNXE3600D13NA11nm1602021135nm光NXE3400C130331415135-1452017NXE3300B22NA31252013NXT2100i08132952022NXT2050i10152952020NXT2000i14202752018ASMLNXT1980Ei30016252952021浸没NXT1980Di16252752015式步NXT1970Ci20352502013进扫38135NXT1950i25NA1752008描曝NSR-S635E15212752017ArF准光NSR-S631E1723250-2702016分子激第四代尼康NSR-S625E20030017252802024光器NSR-S622D20352202013193nmNSR-S621D20NA2002012NXT147057NA403002020ASMLXT1460K09330035502052016干式57XT1450H501622006步进ASMLPAS55001150C9007520012201351991扫描尼康NSR-S322F6509220502302014曝光上海微200300SSA600209007520801352018电子KrF准步进XT1060K3550205NA80093第三代分子激扫描ASMLXT1000K300NA6180光器曝光NXT870110080NA75330请务必阅读正文之后的免责条款和声明17电子行业半导体设备板块专题2023717248nmXT860N200300NA75260XT860M080NA12240-250300XT860KNA12210PAS5500850D11008020015145NSR-S220D08230602302017尼康110NSR-S210D0829176FPA-6300900868200NAES6a佳能200300FPA-6300ESW1300709-FPA-3030EX6150-25-上海微SSC60010110---NA电子XT400L200300NA20230NA220065XT400K200300NA35220ASMLPAS5500220065200NA25150i-line高450F步进压汞灯尼康NSR-SF155280062200252002007第二代扫描光源FPA-5550iZ2350057-1520-NA曝光365nm佳能FPA-5510ix500037-50-FPA-3030i5350063-40-上海微SSB60010280-120800--NA电子资料来源各公司官网中信证券研究部注标黄表示较上一代主要升级点SMOSingleMachineOverlay表示单机台内套刻精度MMOMatchedMachineOverlay为同一机型的不同机台间套刻精度NA代表暂无数据请务必阅读正文之后的免责条款和声明18电子行业半导体设备板块专题2023717相关研究电子行业半导体设备跟踪点评SEMICONChina火热开展建议关注设备零部件品类扩张逻辑2023-07-10半导体行业重大事项点评从原厂复苏节奏看国产存储发展空间2023-07-04模拟芯片系列深度报告之二AI应用拉动长期需求扩张多相电源国产替代正当时2023-06-13电子行业VRAR行业跟踪点评苹果发布AppleVisionPro开启空间计算新时代2023-06-06电子行业科技安全专题半导体产业链安全浅析及投资策略PPT2023-06-02电子行业专题从周期及国产化看存储行业投资机遇2023-06-02电子行业专题消费电子板块复苏与创新展望PPT2023-06-01电子行业半导体重大事项点评日本半导体设备出口限制正式公告长期带动国产化加速2023-05-24半导体行业重大事项点评从美光受审结果看国产存储发展空间2023-05-22电子行业半导体板块跟踪点评持续看好半导体行业建议关注核心卡脖子环节2023-04-18电子行业2023Q2投资策略寻找低估值下的确定性2023-04-05半导体行业重大事项点评从美光被审查看国产存储发展空间2023-04-03电子行业半导体重大事项点评日本限制半导体设备出口持续看好半导体设备国产化机会2023-04-03电子行业存储行业跟踪报告从美光财报复苏指引看国产存储发展空间2023-03-31电子行业专题AI的iphone时刻云端算力奔腾终端泛音频AloT扩张2023-03-22电子行业PCB专题底部明确关注布局景气增量的优质公司2023-03-22电子行业VRAR跟踪专题苹果或年内发布MR产品关注核心零组件供应商2023-03-14电子行业半导体重大事项点评美荷或将推出政策进一步限制对华半导体设备出口关注半导体国产化机遇2023-03-13产业链安全再平衡系列之二半导体产业政策梳理与分析集成电路政策力度有望加大持续看好半导体产业国产化机遇2023-03-08电子行业半导体重大事项点评集成电路产业政策力度有望加大分析政策深化可能路径2023-03-03电子行业科技安全专题半导体与消费电子产业链安全浅析及投资策略2023-03-01一张图初探禾赛科技HSAIUS激光雷达量产龙头2023-02-27半导体行业专题ChatGPT对GPU算力的需求测算与相关分析2023-02-16电子行业消费电子专题行业底部明确看好消费电子拐点向上2023-02-14电子行业半导体设备板块跟踪点评美联合日荷加码设备限制倒逼半导体设备国产化加速2023-01-31请务必阅读正文之后的免责条款和声明19分析师声明主要负责撰写本研究报告全部或部分内容的分析师在此声明i本研究报告所表述的任何观点均精准地反映了上述每位分析师个人对标的证券和发行人的看法ii该分析师所得报酬的任何组成部分无论是在过去现在及将来均不会直接或间接地与研究报告所表述的具体建议或观点相联系一般性声明本研究报告由中信证券股份有限公司或其附属机构制作中信证券股份有限公司及其全球的附属机构分支机构及联营机构仅就本研究报告免责条款而言不含CLSAgroupofcompanies统称为中信证券本研究报告对于收件人而言属高度机密只有收件人才能使用本研究报告并非意图发送发布给在当地法律或监管规则下不允许向其发送发布该研究报告的人员本研究报告仅为参考之用在任何地区均不应被视为买卖任何证券金融工具的要约或要约邀请中信证券并不因收件人收到本报告而视其为中信证券的客户本报告所包含的观点及建议并未考虑个别客户的特殊状况目标或需要不应被视为对特定客户关于特定证券或金融工具的建议或策略对于本报告中提及的任何证券或金融工具本报告的收件人须保持自身的独立判断并自行承担投资风险本报告所载资料的来源被认为是可靠的但中信证券不保证其准确性或完整性中信证券并不对使用本报告或其所包含的内容产生的任何直接或间接损失或与此有关的其他损失承担任何责任本报告提及的任何证券或金融工具均可能含有重大的风险可能不易变卖以及不适合所有投资者本报告所提及的证券或金融工具的价格价值及收益可跌可升过往的业绩并不能代表未来的表现本报告所载的资料观点及预测均反映了中信证券在最初发布该报告日期当日分析师的判断可以在不发出通知的情况下做出更改亦可因使用不同假设和标准采用不同观点和分析方法而与中信证券其它业务部门单位或附属机构在制作类似的其他材料时所给出的意见不同或者相反中信证券并不承担提示本报告的收件人注意该等材料的责任中信证券通过信息隔离墙控制中信证券内部一个或多个领域的信息向中信证券其他领域单位集团及其他附属机构的流动负责撰写本报告的分析师的薪酬由研究部门管理层和中信证券高级管理层全权决定分析师的薪酬不是基于中信证券投资银行收入而定但是分析师的薪酬可能与投行整体收入有关其中包括投资银行销售与交易业务若中信证券以外的金融机构发送本报告则由该金融机构为此发送行为承担全部责任该机构的客户应联系该机构以交易本报告中提及的证券或要求获悉更详细信息本报告不构成中信证券向发送本报告金融机构之客户提供的投资建议中信证券以及中信证券的各个高级职员董事和员工亦不为前述金融机构之客户因使用本报告或报告载明的内容产生的直接或间接损失承担任何责任评级说明投资建议的评级标准评级说明报告中投资建议所涉及的评级分为股票评级和行业评级买入相对同期相关证券市场代表性指数涨幅20以上另有说明的除外评级标准为报告发布日后6到12个增持相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于520之间月内的相对市场表现也即以报告发布日后的6到12个股票评级月内的公司股价或行业指数相对同期相关证券市场代持有相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于-105之间表性指数的涨跌幅作为基准其中A股市场以沪深300卖出相对同期相关证券市场代表性指数跌幅10以上指数为基准新三板市场以三板成指针对协议转让标的或三板做市指数针对做市转让标的为基准香港市场强于大市相对同期相关证券市场代表性指数涨幅10以上以摩根士丹利中国指数为基准美国市场以纳斯达克综合行业评级中性相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于-1010之间指数或标普500指数为基准韩国市场以科斯达克指数或韩国综合股价指数为基准弱于大市相对同期相关证券市场代表性指数跌幅10以上20