>> 中信建投-微导纳米(688147)光伏与半导体设备系列报告:先进薄膜设备供应商,光伏半导体齐开花-230613
| 上传日期: |
2023/6/13 |
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5704KB |
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pdf 共50页 |
来源: |
中信建投 |
| 评级: |
增持(首次) |
作者: |
吕娟 |
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核心观点 公司形成了以原子层沉积(ALD)技术为核心,CVD等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系,产品覆盖半导体、光伏、新型显示等多个领域。①光伏领域:公司是光伏ALD设备龙头,并全力推进工艺整线策略提升产品覆盖价值量,有望充分受益于TOPCon电池大扩产实现订单的快速增长。②半导体领域:公司实现了国产ALD设备在28nm集成电路制造关键工艺(高介电常数栅氧层材料沉积环节)中的突破,并基于客户关键工艺开发的战略需求拓展CVD设备打开市场空间,彰显了公司在半导体薄膜沉积设备领域平台化拓展的能力。在国产化进程加速以及先进制程发展的趋势下,薄膜沉积设备重要性将持续提升,公司凭借技术和工艺积累,有望实现订单和业绩的快速增长。 摘要 先进薄膜沉积设备供应商,研发驱动产品多元布局 微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商,形成了以原子层沉积(ALD)技术为核心,CVD等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系。目前已开发出多款薄膜沉积设备,涵盖ALD、PEALD二合一、PECVD等系列产品,下游应用领域包括半导体、光伏、新型显示、微机电等领域。 公司高度重视研发,研发支出从2018年的0.35亿元大幅提升至2022年的1.38亿元,年复合增速达到41.34%。核心技术人员具有坚实的研发背景和多年技术研发经验,带领公司不断打破技术壁垒、实现突破,并积极推动成果在光伏、半导体等领域实现产业化应用。首席技术官LIWEIMIN博士拥有25年以上原子层沉积技术的研发和产业化经验,是最早开始研究ALD技术的华人之一,指导实现了公司ALD技术在光伏领域的产业化,并推广至半导体等其他领域。 薄膜沉积技术应用广泛,ALD工艺镀膜效果优异 薄膜沉积设备按照工艺原理不同可分为物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)三种工艺,满足不同材料的镀膜要求。基于ALD技术表面反应具有自限性的特点,其拥有多项独特的薄膜沉积特性:①三维共形性,广泛适用于不同形状的基底;②大面积成膜的均匀性,且致密、无针孔;③可实现亚纳米级的薄膜厚度控制,因此ALD技术在诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。 光伏设备:ALD设备龙头充分受益于TOPCon扩产,丰富产品矩阵打开成长空间 目前光伏行业正处于N型电池逐步替代P型电池的技术变革期,以TOPCon为主的新型高效电池需求将持续推动光伏薄膜沉积设备市场空间提升。公司作为ALD设备龙头,在氧化铝镀膜环节保持较高市占率,并积极推进工艺整线策略,原子层沉积技术GW级TOPCon整线项目已通过客户验收。我们预计2023年TOPCon扩产超过300GW,目前单GW设备价值量约1.6亿元,公司产品(ALD设备、PECVD设备、PEALD二合一平台、扩散炉、退火炉等)可覆盖近50%价值量,推算市场空间达到240亿元,公司有望充分享受下游扩产红利实现订单的快速增长。 半导体设备:先进制程趋势下薄膜沉积设备大有可为,公司有望受益国产替代浪潮实现快速突破 半导体薄膜沉积设备国产化率低,美日荷等外部制裁升级有望助推半导体设备国产化进程加速。根据SEMI数据,薄膜沉积设备作为半导体前道核心工艺设备之一,在晶圆制造设备中价值量占比约为22%(2022年),我们估算2022年中国大陆薄膜沉积设备市场空间约53.5亿美元。在先进制程和工艺进步的大趋势下,薄膜要求提高衍生更高性能沉积设备需求,ALD设备占比有望提升,CVD设备占比仍将保持较高水平。目前公司已实现了国产ALD设备在28nm集成电路制造关键工艺(高介电常数栅氧层材料沉积环节)中的突破,已与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作,并基于客户关键工艺开发的战略需求拓展CVD设备,打开了长期市场空间,也进一步彰显了公司在半导体薄膜沉积设备领域平台化拓展的能力。 投资建议:我们预计2023-2025年公司实现营收15.04、35.61、45.14亿元,同比分别增长119.73%、136.73%、26.77%;归母净利润分别为1.20、3.57、5.37亿元,同比分别增长121.66%、197.45%、50.51%,当前市值对应PE分别为188.02、63.21、42.00倍,首次覆盖给予“增持”评级。 风险提示:技术迭代及新产品开发风险,新产品验证进度及市场发展不及预期的风险,盈利预测假设不成立风险。
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