◆手握大量优质客户资源，盈利能力行业领先。
　　公司作为国内领先的IDM光芯片企业，目前产品包括2.5G、10G和25G及更高速率激光器芯片系列产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域，已实现向中际旭创等国内外主流光模块厂商批量供货,并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信、AT&T等国内外知名运营商网络中。公司近年来实现盈利能力高速成长，2019-2021年营业收入CAGR为69%，归母净利润CAGR为169%; 2022年1-6月，营收同增.40.32%，净利润同增51.01%。公司2019年度、2020年度、2021年度和2022年1-6月的综合毛利率分别为4.9996/68.1596/65.16%6/63.80%，自2020年以来，毛利率水平显著高于境内外同行业可比公司。
　　◆技术储备应用于CPO、800G光模块等先进领域，助力AI时代高算力基础设施。
　　在ChatGPT掀起的人工智能浪潮下，指数级增长的复杂应用场景应运而生,正不断提高对数据中心中数据传输速率的要求。计算巨头数万台交换机的部署正在推动数据速率从100GbE向400GbE和800GbE更高速的数据:链路的方向发展据LightCounting统计,2021年,200G.400G和800G的高速以太网光模块发货量达222万只，2022年预计将达600万只,同比170%以上,800G的产品有望在2022年开始逐步放量。新型的光电子集成技术CPO将有效解决高速高密度互连传输场景下，电互连受能耗限制难以大幅提升数据传输能力的问题已经成为业界共识。公司在CPO领域前瞻性的布局使其有望较早融入生态，相关产品已向众多客户送样测试。此外,公司在研项目技术储备丰富,包括大功率硅光激光器芯片、可应用于200G.400G.800G高速光模块的50G/100G激光器芯片等,处于国内领先、国际先进的水平。
　　◆光芯片作为光通信核心器件，有望受益于国家网络强国战略中“双千兆”网络、数据中心等基础设施建设。
　　光芯片的性能直接决定光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等主要应用领域网络系统的信息传输速度和网络可靠性，是整个光通信的基础与核心器件之- -。我国高度重视网络强国战略,工信部近日再次提出深入实施千兆城市建设行动,加快城市地区双千兆网络深度覆盖,统筹布局双千兆网络、数据中心、人工智能等基础设施建设。随着政策指引的“新基建”加速推进，光芯片作为光通信核心器件,需求有望持续拉升。
　　◆2.5G高技术壁垒打造差异化优势,10GDFB光芯片全球市场份额领先。
　　在技术成熟、国产化程度高的2.5G市场，公司通过长期研发积累实现差异化特性,聚焦技术壁垒与附加值更高的产品,如国内稀缺用于PON(GPON)数据下传光模块的2.5G 1490nm DFB激光器芯片,2020年度公司占据80%的市场份额。在全球10GDFB激光器芯片市场中,2021年公司发货量占比为20%，已超过住友电工、三菱电机等国际知名光芯片厂商;其中用于10GPON数据上传光模块的10G 1270nm DFB激光器芯片2020年已占全球市场近509%份额。
　　◆25G率先打破国外垄断，高端光芯片百亿空间国产替代大有可为。
　　25G及以上光芯片市场前景广阔，2021年全球市场规模已达到107.55亿元。但受制于工艺稳定性、可靠性、供货能力及下游客户认证等因素,我国.在25G及以上高速率光芯片方面国产化率较低,25G光芯片的国产化率约20%，但25G以上国产化率仅约5%。公司2020年在国内率先实现了25G激光器芯片的规模化生产和商业应用，2021年完成50GDFB开发，填补国内稀缺高端激光器芯片空白,未来随着相关募投项目达产，高端光芯片国产替代进程将进一一步加快
　　◆投资建议:公司所在的光通信产业在政策指引下景气度保持高位，公司作为国内高端激光器芯片破局者，国产替代空间未来可期。我们预计公司2022-2024年营收分别为2.83/3.91/5.30亿元，归母净利润分别为1.01/1.58/2.13亿元，对应当前股价PE分别为125/79/59x,首次覆盖,给予“买入”评级。
　　◆风险提示:研发进度不及预期风险、核心人才流失和技术泄密风险、存货跌价风险、下游市场需求变化导致的经营业绩波动风险、国际贸易摩擦风险等。
　　

研究报告全文：1产品速率产品类型应用领域1310nmDFB激光器芯片光纤接入PONGPON1490nmDFB激光器芯片25G1270nmDFB激光器芯片光纤接入10G-PONXG-PON光纤接入1550nmDFB激光器芯片光纤接入40km80km1270nmDFB激光器芯片光纤接入10G-PONXGS-PON1310nmFP激光器芯片4G移动通信网络10G1310nmDFB激光器芯片4G5G移动通信网络CWDM6波段DFB激光器芯片4G5G基站CWDM6波段DFB激光器芯片LWDM12波段DFB激光器芯片5G移动通信网络25GMWDM12波段DFB激光器芯片CWDM4波段DFB激光器芯片数据中心100GLWDM4波段DFB激光器芯片50GPAM4CWDM4波段DFB激光器芯片数据中心200G数据中心1270129013101330nm大功率硅光直流光源数据中心100G200G400G255070mW激光器芯片技术类别核心技术名称技术来源技术优势晶圆外延技术异质化合物半导体材料对接生长技术自主研发高可靠性非气密应用芯片结构技术自主研发高速调制激光器芯片技术自主研发高速调制晶圆外延技术电吸收调制器集成技术自主研发晶圆工艺技术小发散角技术自主研发成本优势抗反射技术自主研发大功率激光器芯片技术自主研发高光电转换相移光栅技术自主研发高信噪比晶圆工艺技术掩埋型激光器芯片制造平台自主研发高电光转化效率脊波导型激光器芯片制造平台自主研发高速率产品类别工作波长光结构分类材料体系产品特性应用场景线宽窄功耗低调制500米以内的短距离传输如数据VCSEL800-900nm面发射芯片GaAs速率高耦合效率高中心机柜内部传输消费电子领传输距离段线性度差域3D感应面部识别主要应用于中低速无线接入短距调制速率高成本低离市场由于存在损耗大传输FP1310-1550nm耦合效率低线性度差距离短的问题部分应用场景逐步被DFB激光器芯片取代中长距离的传输如FTTx接入网边发射芯片InP谱线窄调制速率高DFB1270-1710nm传输网无线基站数据中心波长稳定耦合效率低内部互联等调制频率高稳定性长距离传输如高速率远距离EML1270-1610nm好传输距离长成本的电信骨干网城域网和数据中高心互联