PERC时代龙头,全面布局电池片技术路线。公司是PERC时代电池片设备龙头,核心设备市占率50%+,产品包括PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备、自动化设备等。公司全面布局电池片新技术路线,具备TOPCon、HJT的整线设备供应能力,同时可提供IBC、钙钛矿关键设备,此外公司清洗设备拓展至半导体领域。
N型电池片时代到来,TOPCon是当下扩产主力。PERC型单晶电池转换效率已接近上限,N型电池片时代到来,TOPCon是目前N型电池片扩产主力,主要系:1)技术方面,TOPCon设备与PERC相似,整体技术成熟;2)经济性方面,目前TOPCon电池片成本端比PERC高约0.03元/W,售价端高约0.07/W,已体现出一定的盈利能力;3)扩产方面,据不完全统计,目前在建+规划产能近400GW;4)玩家类型方面,头部玩家、新势力均有布局。 公司在TOPCon时代有望保持高市占率,充分受益TOPCon扩产加速。首先,在TOPCon与PERC重合设备方面,公司在PERC时代积累的客户资源有望延续至TOPCon领域,从而保持较高市占率;其次,在TOPCon新增设备方面,公司先后推出的PE-Poly、激光SE、MAD设备,整体性能行业领先,已取得行业龙头订单,具备先发优势,预期公司充分受益TOPCon电池片扩产。 HJT、钙钛矿设备持续取得突破,进一步打开公司成长空间。HJT方面,公司板式PECVD量产中试线转换效率已达到25%以上,目前HJT成本偏高,下游玩家主要为新进厂商,设备采购方式以整线采购为主,大规模扩产仍需一定时间,未来随着:1)公司HJT设备持续迭代改进;2)头部玩家进场后分设备采购,同时考虑公司积累的客户资源,预期公司在HJT领域市场份额有望提升。钙钛矿方面,公司RPD、蒸发镀膜等设备已获订单,在狭缝涂布、晶硅叠层印刷、整线等方面均有布局,截止2023年2月22日,公司钙钛矿订单金额超过2亿元,未来随着钙钛矿技术逐步成熟落地,公司有望进一步打开成长空间。 盈利预测与估值:2023年TOPCon扩产加速,公司作为电池片设备龙头,有望充分受益,预计2022-24年归母净利润10.01/14.16/19.28亿元,对应PE45/32/23倍。综合相对估值和绝对估值,我们认为公司股票合理估值区间在154-171元之间,相对于公司目前股价(129.10)有19%-33%溢价空间,维持“买入”评级。 风险提示:光伏新增装机不及预期的风险,市场竞争加剧风险,贸易摩擦风险,技术被赶超或替代的风险。 研究报告全文:证券研究报告2023年03月01日捷佳伟创300724SZ买入充分受益TOPCon扩产异质结钙钛矿未来可期核心观点公司研究深度报告PERC时代龙头全面布局电池片技术路线公司是PERC时代电池片设备龙机械设备专用设备头核心设备市占率50产品包括PECVD设备扩散炉制绒设备刻蚀证券分析师吴双联系人年亚颂设备清洗设备自动化设备等公司全面布局电池片新技术路线具备0755-819813620755-81981159wushuang2guosencomcnnianyasongguosencomcnTOPConHJT的整线设备供应能力同时可提供IBC钙钛矿关键设备此S0980519120001外公司清洗设备拓展至半导体领域基础数据N型电池片时代到来TOPCon是当下扩产主力PERC型单晶电池转换效率已投资评级买入维持合理估值15400-17100元接近上限N型电池片时代到来TOPCon是目前N型电池片扩产主力主要收盘价12910元总市值流通市值4495735259百万元系1技术方面TOPCon设备与PERC相似整体技术成熟2经济性方52周最高价最低价168504720元面目前TOPCon电池片成本端比PERC高约003元W售价端高约007W近3个月日均成交额85000百万元已体现出一定的盈利能力3扩产方面据不完全统计目前在建规划产市场走势能近400GW4玩家类型方面头部玩家新势力均有布局公司在TOPCon时代有望保持高市占率充分受益TOPCon扩产加速首先在TOPCon与PERC重合设备方面公司在PERC时代积累的客户资源有望延续至TOPCon领域从而保持较高市占率其次在TOPCon新增设备方面公司先后推出的PE-Poly激光SEMAD设备整体性能行业领先已取得行业龙头订单具备先发优势预期公司充分受益TOPCon电池片扩产HJT钙钛矿设备持续取得突破进一步打开公司成长空间HJT方面公司板式PECVD量产中试线转换效率已达到25以上目前HJT成本偏高下游玩家主要为新进厂商设备采购方式以整线采购为主大规模扩产仍需一资料来源Wind国信证券经济研究所整理定时间未来随着1公司HJT设备持续迭代改进2头部玩家进场后分相关研究报告设备采购同时考虑公司积累的客户资源预期公司在HJT领域市场份额有捷佳伟创300724SZ-2022三季报点评业绩同比增长37PE-PolySE激光增强公司TOPCon竞争力2022-10-27望提升钙钛矿方面公司RPD蒸发镀膜等设备已获订单在狭缝涂布捷佳伟创300724SZ-2022年半年报点评全面布局电池片晶硅叠层印刷整线等方面均有布局截止2023年2月22日公司钙钛矿技术TOPCon扩产加速有望支撑订单增长2022-08-12订单金额超过2亿元未来随着钙钛矿技术逐步成熟落地公司有望进一步打开成长空间盈利预测与估值2023年TOPCon扩产加速公司作为电池片设备龙头有望充分受益预计2022-24年归母净利润100114161928亿元对应PE453223倍综合相对估值和绝对估值我们认为公司股票合理估值区间在154-171元之间相对于公司目前股价12910有19-33溢价空间维持买入评级风险提示光伏新增装机不及预期的风险市场竞争加剧风险贸易摩擦风险技术被赶超或替代的风险盈利预测和财务指标202020212022E2023E2024E营业收入百万元404450476182943412993-600248225526377净利润百万元523717100114161928-369372395416362每股收益元163206287407554EBITMargin170160162167164净资产收益率ROE172116142171194市盈率PE793627449317233EVEBITDA668610503352282市净率PB1366725637543451资料来源Wind国信证券经济研究所预测注摊薄每股收益按最新总股本计算请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容证券研究报告内容目录公司概况光伏电池片设备龙头全面布局N型电池技术5光伏电池片设备龙头全方位布局电池片技术路线5一致行动协议提高决策效率股权激励彰显长期发展信心8营收快速增长盈利能力企稳回升9行业分析N型电池片时代到来TOPCon率先放量13全球光伏新增装机容量持续增长N型电池片时代到来13TOPCon当下N型电池技术的扩产主力16HJT成本偏高制约HJT大规模产业化目前扩产以新玩家为主23钙钛矿叠层钙钛矿理论效率40目前仍处于产业早期阶段26行业空间预计20222025年电池片设备空间242615亿元CAGR为3629光伏设备竞争格局基于技术先发优势形成高集中度格局30公司分析当下受益TOPCon扩产加速HJT钙钛矿未来可期32回顾历史PERC时代龙头积累优质客户资源32聚焦当下受益TOPCon扩产加速PE-Poly激光SE助力公司提升市占率34展望未来HJT钙钛矿持续取得突破半导体湿法拓展成长空间35盈利预测38假设前提38未来3年业绩预测39估值与投资建议40绝对估值15672-17435元40相对估值15366-17094元41投资建议维持买入评级42附表财务预测与估值45免责声明46请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容2证券研究报告图表目录图1捷佳伟创发展历史7图2捷佳伟创客户资源优质7图3捷佳伟创股权结构稳定8图4捷佳伟创2022Q1-Q3营收同比13659图5捷佳伟创2022Q1-Q3归母净利润同比36919图6捷佳伟创盈利能力有所修复10图7捷佳伟创期间费用率持续下降10图8捷佳伟创海外收入占比下降10图9捷佳伟创境外境外业务毛利率10图10捷佳伟创不同产品收入占比11图11捷佳伟创分产品毛利率11图12捷佳伟创研发费用率维持在4-611图13捷佳伟创研发人员持续增长11图14捷佳伟创合同负债持续增长亿元12图15捷佳伟创存货发出商品持续增长亿元12图162009-2021年不同发电方式成本对比13图19SolarPowerEurope2011-2025全球光伏新增装机预测GW14图20BNFE2015-2030全球光伏新增装机预测GW14图212021年中国多晶硅产量占全球7915图222021年中国硅片产量占全球产量9715图232021年中国电池片产量占全球8815图242021年中国组件产量占全球8215图25TOPCon结构与PERC电池片结构相似16图26TOPCon主要工艺路径与PERC相似度较高17图27TOPCon主要通过隧穿氧化层掺杂多晶硅层提升效率18图28薄膜沉积技术分类18图29HJT电池结构24图30HJT主要工艺及价值量24图31钙钛矿电池27图32钙钛矿电池工作原理27图33钙钛矿电池生产工艺27图34钙钛矿电池生产设备及工艺流程28图35公司主要产品28图36钙钛矿与异质结叠层29图37捷佳伟创可提供TOPCon整线设备34请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容3证券研究报告表1捷佳伟创主要产品5表22021年股权激励分配情况9表3N型电池片效率高于P型16表4TOPCon主要设备价值量及主要供应商17表5TOPCon镀膜技术对比19表6PERCTOPConHJT电池片成本估算21表7部分TOPCon厂商扩产情况22表8部分HJT厂商扩产情况26表92022-2024电池片设备市场规模测算30表10光伏设备呈现高度集中的竞争格局31表11捷佳伟创PERC核心产品与国内外产品技术指标对比32表12捷佳伟创PERC设备市占率33表13捷佳伟创PERC产品市占率33表14捷佳伟创PE-Poly订单情况35表15捷佳伟创可提供HJT全线设备36表16捷佳伟创可提供HJT设备进展情况梳理36表17捷佳伟创可获得市场规模测算38表18捷佳伟创盈利预测39表19未来3年盈利预测表39表20公司盈利预测假设条件40表21资本成本假设41表22捷佳伟创FCFF估值表41表23绝对估值相对折现率和永续增长率的敏感性分析元41表24可比公司相对估值截至2022年2月28日42请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容4证券研究报告公司概况光伏电池片设备龙头全面布局N型电池技术光伏电池片设备龙头全方位布局电池片技术路线公司是光伏电池片设备制造龙头全方位布局电池片技术路线捷佳伟创成立于2003年总部位于深圳并在常州设有子公司主要产品包括PECVD设备扩散炉制绒设备刻蚀设备清洗设备自动化配套设备等目前公司设备主要用于光伏电池片环节具备PERCTOPConHJT的整线设备供应能力同时可提供IBC钙钛矿关键设备此外公司清洗设备也拓展至半导体设备表1捷佳伟创主要产品工艺环节设备名称设备用途技术路线图例主要对单晶硅太阳能电池用硅片进行绒面腐蚀和清单晶槽式制绒设备PERCTOPCon洗处理清洗制绒设备HJT制绒清洗设备对高效太阳能电池异质结电池片进行制绒清洗HJT主要用于晶体硅太阳能电池制造中硅片的掺杂形成管式扩散氧化退火炉PERCPN结扩散设备主要用于晶体硅太阳能电池制造中硅片的掺杂形成管式硼扩散炉TOPConPN结链式酸抛光清洗设备对单多晶硅片进行刻蚀抛光清洗干燥PERCTOPCon刻蚀设备用于扩散后的硅片抛光刻蚀清洗处理以及搭配槽式碱抛光清洗设备PERCTOPCon双面电池背面制绒清洗处理主要用于晶体硅太阳能电池制造中电池片的减反射管式等离子体淀积炉PERC膜生长也可用于在电池片的背面沉积钝化膜管式等离子体氧化铝用于在硅片背面通淀积氧化铝钝化介质膜提高电PERC淀积炉压和电流然后在氧化铝膜表面淀积氮化硅保护膜管式等离子体多晶硅本设备主要用于N-TOPCon电池制备隧穿氧化层本薄膜淀积炉TOPCon征Poly-si掺杂Poly-si掩膜层PE-Poly管式低压淀积炉本设备主要用于晶体硅太阳能电池制造中硅片表面TOPConLPCVD淀积多晶硅及原位掺杂镀膜设备HJT板式等离子体增制备本征及掺杂非晶硅薄膜HJT强化学气相沉积设备HJT管式PECVD制备本征及掺杂非晶硅薄膜HJTHJT反应式等离子体制备透明导电薄膜TCOHJT镀膜设备请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容5证券研究报告PVDRPD二合一设备制备透明导电薄膜TCOHJTPAR把铝浆银浆通过压力印刷至电池片表面经过烘PERCTOPConH印刷设备全自动卷纸印刷机干烧结后成为太阳能电池正负极JT把印刷好的前后电极烧融到PN结层形成欧姆接烧结设备网链式烧结炉触让电池片细栅线收集到的电能通过主栅线汇流PERCTOPCon出来激光设备TOPConSE用于TOPCon一次硼扩TOPCon集装片和卸片一体可从石英舟中把扩散后的硅片全自动石英舟装卸片PERCTOPConH卸到片篮中也可从片篮中将制绒后的硅片装入石机JT英舟中自动化设备实现石墨舟的自动传输和硅片自动装卸满足在太阳能电池片生产过程中的PECVD工艺前后将片篮全自动石墨舟装卸片PERCTOPConH中的硅片自动装载到石墨舟并将石墨舟输送到机JTPECVD设备中或将PECVD设备中的石墨舟输送到本设备并将石墨舟中的硅片自动装载到片篮中PVDRPD镀膜设备钙钛矿钙钛矿设备涂布设备制备钙钛矿层钙钛矿蒸镀设备钙钛矿材料及金属电极材料的蒸镀设备钙钛矿晶体硅电池线交钥适用于单多晶硅光伏电池片生产企业的新线建设匙工程解决方案对客户实施交钥匙工程晶硅电池AGV智能生取代人工搬运片篮信息智能交互资源智能管控交钥匙工程产线实现整线自动化生产工厂智能化管理高效异质结HJT太适用于单晶硅异质结HJT太阳能电池片生产企业阳能电池智能生产线的新线建设半导体设备湿法刻蚀清洗设备6寸8寸12寸半导体刻蚀清洗设备资料来源捷佳伟创官网国信证券经济研究所整理深耕光伏产业积极向半导体产业拓展公司2003年在深圳成立成立之初公司产品主要包括汽车发动机部件压缩机零部件金属器件玻璃器件的清洗设备等2005年6月公司正式进军光伏行业推出单晶槽式制绒酸洗设备凭借产品高性价比公司开始迅速抢占市场2006-2008年公司先后进入硅片硅料硅芯硅棒清洗领域并成功研制出高温扩散炉2009年公司PECVD设备推向市场性能达到国际先进水平提高光电转换效率022010年公司收购常州捷佳创并将市场拓展至印度2011-2017年公司持续研发提高清洗镀膜设备性能和产能同时成功推出自动化设备正反面电池片色差分选等设备2018年公司在创业板成功上市同年产品进入土耳其埃及新加坡市场2019年常州捷佳创智能装备有限公司成立2020-2021年公司实施股权激励并相继推出HJT关键设备RPDPECVD2022年公司推出PE-Poly设备钙钛矿RPD设备同时公司研发的半导体清洗设备成功导入积塔半导体请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容6证券研究报告图1捷佳伟创发展历史资料来源公司公告公司官网国信证券经济研究所整理公司客户资源优质公司是较早进入太阳能光伏行业的设备提供商之一公司凭借在技术研发产品性能服务质量方面的综合优势使得公司产品的稳定性和高效率在行业中位居领先地位公司能够把握客户对设备的需求主要产品已经获得龙头厂商的充分认可客户覆盖国内外大多数电池片厂商客户包括隆基股份晶科能用天合光能通威太阳能等图2捷佳伟创客户资源优质资料来源公司官网国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容7证券研究报告一致行动协议提高决策效率股权激励彰显长期发展信心实控人签订一致行动协议有助提高决策效率2022年公司管理层调整李时俊先生辞去其担任的公司董事总经理等职务后续将在公司担任战略研究办公室主任及荣誉董事伍波先生辞去董事副总经理等职务后续将在公司担任事业部总经理目前左国军先生为公司副董事长余仲先生为公司总经理公司实控人为余仲左国军梁美珍三人在2022年签订一致行动人协议提高公司决策效率截止2022年06月30日三人合计直接间接持有11093万股占总股本3185蒋婉同蒋泽宇为梁美珍子女享有的股东权利由梁美珍代为行使整体股权结构稳定深圳捷佳伟创主要生产干法设备常州子公司负责湿法设备公司直接持股四个子公司两个联营公司常州捷佳创主要生产光伏湿法设备半导体湿法设备等离子体增强化学气相沉积设备捷佳创智能装备公司主要生产丝网印刷激光自动化设备深圳捷佳有限主要生产干法光伏设备扩散炉PECVDRPDPVD蒸发镀膜设备等联营公司中湖北天合光能控股股东为常州天合光能属于公司中试基地现为纯财务投资不参与经营与管理晟光硅研主要产品包括围绕第三代半导体晶圆材料的滚圆切片划片等设备图3捷佳伟创股权结构稳定资料来源公司公告国信证券经济研究所整理股权激励员工持股彰显长期发展信心公司先后于20192021年推出两次股权激励计划在2021年推出的股权激励计划中公司向副总经理金晶磊董秘谭湘萍等123位公司核心管理及技术骨干授予的限制性股票5890万股价格60元请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容8证券研究报告股占总股本的0172021-2023年考核目标为净利润增长率相较2020年分别不低于306080此外公司2022年2月推出员工持股计划计划筹资不超过1亿元融资金额与员工持股计划员工自筹金额的比例不超过11公司控股股东余仲董事长总经理和左国军副董事长副总经理拟以自筹资金分别认购1500万份占总份额的60彰显对公司长期发展的信心表22021年股权激励分配情况姓名职务获授的限制性股票梳理万股占授予限制性股票总数金晶磊副总经理财务负责人226383谭湘萍董事会秘书副总经理026044陈麒麟等17位外籍激575976励对象核心管理人员及核心技50638596术骨干104人合计5890100资料来源公司公告国信证券经济研究所整理营收快速增长盈利能力企稳回升公司业绩维持快速增长2018-2021年营收净利润CAGR为500932822016年公司营收和净利润大幅增长主要系2015-2016年国内光伏市场全面回暖印度等海外市场蓬勃兴起同时为规避双反国内企业到境外投资设厂对光伏设备需求大幅增长公司2015-2016订单大幅增长2019-2020年公司受益PERC产线持续扩产营收和净利润维持快速增长2021年公司营收5047亿元同比增长2480净利润717亿元同比增长3716图4捷佳伟创2022Q1-Q3营收同比1365图5捷佳伟创2022Q1-Q3归母净利润同比3691资料来源Wind国信证券经济研究所整理资料来源Wind国信证券经济研究所整理2021年公司净利率有所回升盈利能力有所修复2018年之前公司盈利能力呈现上升趋势主要系PERC技术处于导入阶段公司新产品毛利较高同时高毛利的境外销售占比较高所致2019-2021年公司毛利率为320626432460净利率148212651414整体呈现下滑趋势2019年毛利率下降主要系12019Q4确认的531订单较多毛利率较低2公司海外销售占比有所下降3PERC技术逐步成熟单GW设备投资额下降2020年毛利率下降主要系1请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容9证券研究报告PERC技术逐步成熟单GW设备投资额下降2新会计准则下现场安装服务费重分类到成本2021年毛利率下降主要系自动化设备业务毛利率由2184下降至938拉低公司整体毛利率公司自动化设备与主工艺设备搭配销售标准化程度较低竞争激烈2022Q1-Q3毛利率净利率回升至25461924同比变动-024324盈利能力有所回升未来随着TOPCon产品逐步放量公司盈利能力有望持续改善公司期间费管控良好呈现持续下降趋势销售费用率方面2015-2018年公司销售费用率8左右波动2016年大幅上升主要系公司新签境外订单金额增长较快差旅费运输费销售佣金快速上涨所致2019-2021公司销售费用率随着公司规模扩大持续下降其中2020年下降507主要系新会计准则下现场安装服务费重分类到成本所致管理费用率方面2015年公司管理费用率较高主要系营业收入相对较小2016-2021公司管理费用率呈现稳中有降的趋势主要系公司规模效应所致财务费用率方面公司整体财务费用率较为稳定2022Q1-Q3财务费用率大幅下降主要系汇兑收益所致图6捷佳伟创盈利能力有所修复图7捷佳伟创期间费用率持续下降资料来源Wind国信证券经济研究所整理资料来源Wind国信证券经济研究所整理图8捷佳伟创海外收入占比下降图9捷佳伟创境外境外业务毛利率资料来源Wind国信证券经济研究所整理资料来源Wind国信证券经济研究所整理工艺设备占比超过802021年工艺设备毛利率企稳公司产品包括工艺设备和自动化设备两类工艺设备包括刻蚀设备PECVD制绒设备清洗设备激光设备等自动化设备主要指自动化装卸片机自动化上下片机等辅助设备从营收请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容10证券研究报告占比来看公司工艺设备占比保持在80以上是公司主要的收入来源从毛利率角度来看工艺设备毛利率2019-2020呈现下降趋势主要系PERC技术成熟设备投资额下降所致2021年工艺设备毛利率企稳自动化设备由于竞争激烈公司产品标准化程度较低因此毛利率整体呈现持续下降趋势目前光伏电池片行业处于技术迭代交替期未来随着TOPCon产品逐步放量毛利率有望回升图10捷佳伟创不同产品收入占比图11捷佳伟创分产品毛利率资料来源Wind国信证券经济研究所整理资料来源Wind国信证券经济研究所整理公司研发费用率稳定研发人员持续增长捷佳伟创研发费用率维持4-6研发费用绝对值持续上升2018-2021年CAGR为45932021年捷佳伟创研发费用238亿元研发费用率471研发人员698人占公司员工2307图12捷佳伟创研发费用率维持在4-6图13捷佳伟创研发人员持续增长资料来源Wind国信证券经济研究所整理资料来源Wind国信证券经济研究所整理存货合同负责持续增长反映公司在手订单充足公司结算模式为预收款发货款一验收款质保金预收款计入合同负债发货款记入发出商品因此发出商品合同负债能够体现公司在手订单情况公司20212022Q3年合同负债37494617亿元同比增长1275276920212022H1发出商品33033441亿元均处于历史高位说明公司在手订单充足未来业绩确定性较高请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容11证券研究报告图14捷佳伟创合同负债持续增长亿元图15捷佳伟创存货发出商品持续增长亿元资料来源Wind国信证券经济研究所整理资料来源Wind国信证券经济研究所整理注2017-2019数值为预收账款2020年之后预收账款计入合同负债请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容12证券研究报告行业分析N型电池片时代到来TOPCon率先放量全球光伏新增装机容量持续增长N型电池片时代到来气候变化成本下降能源安全驱动光伏持续发展气候变化已成为全球亟待解决的问题光伏作为清洁能源在全球减排作用受到认可2021年全球可再生能源装机容量为302GW光伏占比56超过一半同时近两年随着光伏技术的不断发展发电成本不断下降根据Lazard测算全球光伏发电成本2009-2021年降幅约902021年相较2020年降低3地面集中式光伏发电成本已低于其他可再生能源以及传统能源此外2022年爆发的俄乌冲突引发欧洲各国的能源供应危机进一步加速各国对清洁独立能源的需求从而加速光伏发展根据SolarPowerEurope统计全球前19个光伏发展地区中有16个对光伏持有积极态度图162009-2021年不同发电方式成本对比资料来源SolarPowerEurope国信证券经济研究所整理全球光伏装机容量持续增加2011-2020年全球光伏新增装机容量持续上升根据中国光伏行业协会统计2021年全球光伏新增装机容量为170GW同比增长30772016-2021年全球光伏新增装机容量CAGR为1941根据CPIA预计20222026年全球光伏新增装机205-250GW310-370GW根据SolarPowerEurope预测20222026年181-271GW244-459GW彭博BNFE中性预期20222026年全球光伏新增装机容量预计268GW391GW请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容13证券研究报告图17CPIA2011-2025全球光伏新增装机预测GW图18CPIA2011-2025中国光伏新增装机预测GW资料来源CPIA国信证券经济研究所整理资料来源CPIA国信证券经济研究所整理图19SolarPowerEurope2011-2025全球光伏新增装机预测GW资料来源SolarPowerEurope国信证券经济研究所整理图20BNFE2015-2030全球光伏新增装机预测GW资料来源BNFE国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容14证券研究报告全球80光伏产品来源于中国2021年中国光伏产业链各环节产量全球第一其中多晶硅产量占全球79硅片产量占全球97电池片产量占全球88组件产量占全球82因此全球光伏装机容量的增加带动中国光伏产业链的快速发展进而带动光伏相关设备企业发展图212021年中国多晶硅产量占全球79图222021年中国硅片产量占全球产量97资料来源CPIA国信证券经济研究所整理资料来源CPIA国信证券经济研究所整理图232021年中国电池片产量占全球88图242021年中国组件产量占全球82资料来源CPIA国信证券经济研究所整理资料来源CPIA国信证券经济研究所整理N型电池片提效空间广阔已成扩产主流根据CPIA统计2021年P型单晶电池平均转换效率达到231N型TOPCon电池平均转换效率达到24HJT电池平均转换效效率242N型电池片转换效率明显高于P型电池根据德国哈梅林太阳能研究所ISFH的研究PERCHJTTOPCon电池的理论极限效率分别为245285287双面单面效率极限271目前PERC型单晶电池平均转换效率已接近理论效率上限未来提升空间有限而N型未来均有较大提升空间目前来看TOPCon是扩产主力HJT虽理论效率更高但目前成本较高大规模扩产仍需一段时间请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容15证券研究报告表3N型电池片效率高于P型202120222023202520272030BSFp型多晶黑硅电池195195197P型多晶PERCp型多晶黑硅电池210211213215217219PERCp型铸锭单晶电池224226228230233236p型单晶PERCP型单晶电池231233235237239241TOPCon单晶电池240243246249252256n型单晶电池异质结242246250253256260IBC电池241245248253257262资料来源CPIA国信证券经济研究所整理TOPCon当下N型电池技术的扩产主力我们认为TOPCon是目前N型电池片扩产主力主要基于1技术成熟度高2具备一定的经济性3已有一定扩产规模4新老玩家均有布局一技术成熟性TOPCon可兼容PERC生产线工艺设备成熟TOPCon工艺设备兼容性好成熟度高TOPCon基本结构与PERC相似主要区别在于1TOPCon为N型硅片2TOPCon多了隧穿氧化层和掺杂非晶硅层结构相似决定了TOPCon工艺中大部分设备与PERC一样因此TOPCon产线可基于现有PERC生产线升级改造实现从而相较其他N型电池技术TOPCon工艺和设备都更为成熟TOPCon工艺与PERC不同点主要体现在两个技术上1隧穿氧化层以及掺杂非晶硅层镀膜技术2硼扩技术镀膜技术主要包括PECVD和LPCVD两种路线目前整体技术和设备较为成熟硼扩技术方面目前二次扩硼能够满足TOPCon需求同时激光SE技术的突破进一步提高TOPCon效率降低成本因此从技术角度来看TOPCon技术不存在技术瓶颈图25TOPCon结构与PERC电池片结构相似资料来源晶科能源公告国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容16证券研究报告图26TOPCon主要工艺路径与PERC相似度较高资料来源CPIASOLARZOOM中科院宁波材料所微导纳米招股说明书国信证券经济研究所整理表4TOPCon主要设备价值量及主要供应商清洗制绒硼扩设备刻蚀设备背面隧穿氧化层多晶硅磷扩正背氧化铝氮化硅镀膜设备丝网印刷扩散炉LP路径PE路径PECVDALD单GW投资额万800200012004500350032003500价值量占比5127222022扩散炉捷佳伟创激光微损金辰股份拉普拉斯普乐新能源赛瑞达帝尔激光海目星激光微损英诺激光激光微损迈为股份资料来源各公司公告公司官网SOLARZOOM高效晶体硅太阳能电池技术国信证券经济研究所整理1镀膜技术PECVDLPCVD是主流工艺目前较为成熟TOPCon主要通过隧穿氧化层掺杂多晶硅层提升效率相比PERC电池TOPCon电池通过在电池片背面制备超薄氧化硅层隧穿层掺杂多晶硅薄层从而形成钝化接触结构该结构作用1允许多子电子隧穿进入阻挡少子空穴2减少金属半导体接触面积进而降低金属接触复合电流提升电池转化效率请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容17证券研究报告图27TOPCon主要通过隧穿氧化层掺杂多晶硅层提升效率资料来源中科院宁波材料所国信证券经济研究所整理LPCVD和PECVD是制备隧穿氧化硅层掺杂多晶硅薄层主要工艺TOPCon的核心工艺在于氧化硅层多晶硅层制备基本过程为1制备氧化硅层2制备本征非晶硅磷扩制备掺杂非晶硅原位掺杂薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积PVD化学气相沉积CVD和原子层沉积ALD目前TOPCon钝化层制备方法主要有LPCVDPECVDPVD和PEALD其中LPCVD和PECVD是主流工艺LPCVD路线市占率约47PECVD路线占比约46根据PV-InfoLink统计目前在建在产的TOPCon产能中47的用户选择了LP主要用户为晶科和捷泰两者占LPCVD路线的85PECVD路线占比约46主要厂商包括润阳沐邦通威和天合相对比较分散PVD占比较低用户主要是中来日升图28薄膜沉积技术分类资料来源微导纳米招股说明书国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容18证券研究报告1LPCVD主要利用热场进行镀膜产业化进展领先LPCVD是通过降低压强提高温度方式实现化学气象沉积降低气体压强能够减缓气体的传输扩散速度让气体有充足的时间反应提高薄膜纯度致密度和均匀性但低压强会降低气体活性LPCVD通过提高气体温度增加气体活性从而进行有效沉积LPCVD优点是技术成熟成膜质量好电池效率高缺点主要是成膜速率低耗材石英管损耗大绕度严重LPCVD目前路线较多主要区别在于扩磷方式LPCVD可分为两大类第一类是先进行本征非晶硅镀膜然后进行扩磷具体扩磷方式又包括高温扩磷以及离子注入两种方式第二类是制备多晶硅薄膜的同时进行原位掺杂即在沉积多晶硅的同时通入含有杂质的气体2PECVD利用等离子体场进行镀膜设备技术优势明显与LPVCD不同PEVCD是通过降低压强外加电场方式实现化学沉积因此是在较低的环境温度下实现薄膜沉积PECVD优点是沉积速率快绕度较轻且容易去除无石英管耗材可大幅降低成本缺点主要是稳定性仍有待提升存在脱膜现象目前已逐步解决3PVD在真空条件下用真空溅射镀膜技术物理方法完成薄膜制备PVD是指在真空条件下采用物理方法将材料源固体或液体表面气化成气态原子或分子或部分电离成离子并通过气压气体或等离子体过程在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术PVD镀膜技术主要分为三类真空蒸发镀膜真空溅射镀膜和真空离子镀膜PVD的优点是工艺少不涉及石英器件因此运维成本低不存在绕度现象缺点是目前技术仍不够成熟均匀性较差且退火温度相对较高资本支出和占地面积较大4PEALD结合ALD和PECVD目前处于产业验证阶段PEALD是将PECVD与ALD设备相结合同一台设备可完成电池Al2O3膜和SiNx膜以及TOPCon电池超薄SiOx隧穿层和掺杂多晶硅薄膜的制备目前该技术已处于产业化应用表5TOPCon镀膜技术对比LPCVD路线PECVD路线PVD借助微波或射频等使含有薄膜组成原子将一种或数种气态物质在较低压力下在真空条件下用物理方法真空溅射的气体在局部形成等离子体而等离子工作原理用热能激活使其发生热分解或化学反镀膜使材料沉积在被镀工件上的薄膜体化学活性很强很容易发生反应在应沉积在衬底表面形成薄膜制备技术基片上沉积出薄膜图示工艺成熟控制简单容易厚度均匀性优点原位掺杂绕度轻低温成膜速度快原位掺杂无绕度低温成膜速率快好致密度搞成膜速率慢有绕度需要高温石英器厚度均匀性略差纯度低膜层致密的设备成本高靶材用量大方阻均匀性缺点件沉积严重度不高差3-6nmminintrinsic成膜速度10nmminin-situdoping10nmminin-situdoping1-3nmminin-situdoping请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容19证券研究报告掺杂方式二次掺杂磷扩散or离子注入结合退火原位掺杂原位掺杂绕度需要额外配备刻蚀设备且刻蚀较镀膜绕度绕度较轻容易清洗预期无绕度为复杂掺杂非晶硅沉积20-40min工艺时间大于120min退火30min产品良率90-95预期高于LPCVD97中来常见问题绕度石英器件损耗气泡掉粉方阻均匀性拉普拉斯SEMCOTempress普乐捷捷佳伟创金辰微导纳米PEALD实现设备厂商江苏杰太佳伟创北方华创等隧穿氧化层PECVD实现原位掺杂电池厂商晶科钧达一道新能源等通威天合晶澳润阳等微导纳米资料来源PVinfoLink中科院宁波材料技术与工程研究所国信证券经济研究所整理2硼扩激光SE突破实现一次扩硼有望持续提高转换效率TOPCon硼扩难于传统磷扩硼扩TOPCon与磷扩PERC工艺相似但硼在硅中的固溶度较低因此硼扩相较磷扩难度更高扩散的温度需要达到900-1100扩硼的硼源包括三溴化硼和三氯化硼其中三溴化硼扩散性好但副产物对石英器件损伤严重三氯化硼的副产物对石英器件损伤低但扩散均匀性较弱二次硼扩是目前TOPCon的硼扩方式但存在能耗大性价比低的缺点激光SE一次掺杂为PERC掺杂标配但由于硼扩散难度高因此TOPCon激光SE掺杂困难目前TOPCon使用二次掺杂方案较多二次硼扩的主要工序为1使用硼扩散炉进行第一次硼扩2激光开槽将表面BSG硼硅玻璃击穿露出掺杂区域3使用硼扩炉进行第二次硼扩形成重掺区域二次硼扩的温度高能耗大并且需要增加额外的硼扩炉清洗设备TOPCon激光SE技术已实现大幅突破有望成为TOPCon标配工艺一次硼扩的主要工序为1使用硼扩炉进行一次硼扩散2提高表面硼浓度方法有硼浆印刷改变温度进行二次沉积3激光掺杂形成重参区域一次硼扩的核心难点有两个1提高表面硼浓度2激光扩硼时需要避免高功率带来额外电池片损伤目前针对第一个难点各公司已研发出各类解决方案针对第二个难点目前海目星帝尔激光捷佳伟创英诺激光均推出了针对一次硼扩设备激光SE设备目前TOPCon提效大约在03未来有望提高到04截止2023年2月15日根据各家公司的公告海目星取得晶科能源TOPCon激光微损设备中标通知书中标金额为1067亿元含税帝尔激光TOPConSE订单产能累计突破100GW预期TOPCon激光SE技术有望快速发展成为TOPCon技术标配二经济性TOPCon电池已体现出一定的盈利能力TOPCon理论效率为271-287量产效率约25未来仍有较大提升空间理论效率方面背面钝化接触结构的TOPCon电池的理论极限效率为271双面钝化TOPCon电池最高287PERC理论效率为245HJT理论效率为285实验室效率方面目前晶科能源实验室TOPCon电池的转化效率高达264截止2022年12月09日量产效率方面晶科TOCPon量产效率已达251其他厂家量产效率集中在24-25其中头部厂商接近25相较理论效率仍有较大提升空间TOPCon非硅硅片成本相较PERC增加约003元W已体现出一定的盈利能力硅片成本方面N型硅片比P型硅片贵6-8但TOPCon硅片厚度相较PERC更请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容20
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