事件：今年9月10日，氮化铝粉体龙头日本德山官宣将于日本山口县新建氮化铝粉体生产设施，预计2028年4月正式商业化投产，粉体产能将提升约30%。
　　氮化铝粉体需求旺盛，国内厂商加速发力高端领域。作为陶瓷基板的上游原材料，氮化铝粉体下游需求旺盛，主要是因为AI服务器、光模块等领域对散热的需求爆发式增长，氮化铝因其高导热成为这些高端场景的重要耗材，2026H1日本高端氮化铝粉体龙头德山对华客户报价同比暴涨45%-50%。全行业国产替代正当时，中低端粉体的技术、产能、成本全面成熟，自给率100%；高端粉体的核心指标已接近国际一流水平，头部企业具备稳定批量供货能力，国产化率突破60%，良率与批次稳定性的差距正在逐步收窄。国内主要粉体厂商有福建华清、厦门钜瓷、旭光电子、艾森达等。
　　氮化铝陶瓷基板散热性能优异，打开新兴市场应用场景。陶瓷基板是一种以陶瓷材料（如氧化铝、氮化铝、氮化硅等）为基体，通过特殊工艺在表面形成金属电路层的电子封装基板，主要功能有散热、机械支撑、电路互联等。热导率是衡量陶瓷基板性能最关键的指标，氮化铝基板的热导率通常在170-230W/（mK），是氧化铝基板的数倍，因此氮化铝基板更适用于AI服务器、光模块等高端场景：1）作为AI服务器PCB的核心散热层，支撑高密算力，此外还可以作为GPU载板材料，解决大尺寸、高功率芯片的散热与封装难题，目前英伟达已明确下一代GPU采用陶瓷基板方案；2）用于400G/800G光模块的激光器封装，解决高功率下的散热问题，如Lumentum的100GPAM4模块采用氮化铝基板，热阻降低40%。陶瓷基板行业壁垒主要来自上游粉体材料的提纯以及工艺，从而影响热导率。当前，国内厂商的氮化铝陶瓷基板的热导率逐步提高，正在缩小与国际厂商的差距，相关国内厂商有福建华清、无锡海古德、旭光电子、艾森达等。
　　下游技术路线丰富，有望充分受益AI和光通信发展。氮化铝陶瓷基板下游技术路线丰富，通常被进行高附加值的金属化处理和HTCC工艺。金属化处理是在陶瓷基板表面通过烧结或溅射在基板上附着金属层并蚀刻成电路，主要涉及AMB、DPC和TFC三种工艺：1）AMB（活性金属钎焊覆铜陶瓷载板）适用于高功率、大温变电力电子器件封装领域，富乐德是AMB领先企业，主要客户为意法半导体、比亚迪、中车时代、富士电机等；2）DPC（直接镀铜陶瓷载板）精度高，主要应用于激光制冷器、半导体制冷片TEC的上下层等，并向光通信拓展，相关厂商有国瓷材料、富乐德、昀冢科技等，其中富乐德是高端光模块Micro TEC的核心基板供应商，深度绑定头部TEC和光模块厂商；3）TFC（薄膜工艺）布线精度高，但基板表面金属层厚度较小，主要用于激光与光通信的小电流器件封装，TFC行业正处于积极扩产状态，中瓷电子作为薄膜基板市占率全球领先的厂商，正积极推进产线建设与产能释放来承接旺盛的市场需求，并与多家世界知名光通信厂商建立了良好的合作关系。HTCC（高温共烧陶瓷）是另一种与金属化并行的技术路线，是将高温烧结陶瓷粉制成厚度精确且致密性好的生瓷，优势在于多层布线，能处理布线复杂的产品设计，劣势在于线路精度不高，常用于光模块管壳等场景。预计随着光通信行业保持高景气需求，各类金属化基板和HTCC基板有望进一步放量增长。
　　风险提示：下游AI需求不及预期；技术路线迭代风险；行业竞争加剧风险。