26Q3高基数下DRAM/NAND价格涨幅放缓。据TrendForce预测，26Q3通用DRAM合约价上涨13-18%，NAND合约价上涨10-15%。现货价格方面，DDR3-DDR5大部分规格现货价维持上涨，部分DDR48Gb现货价小幅下跌。NAND方面，8月部分TLCNAND现货价止跌回升，QLCNAND现货价环比持平，MLCNAND现货价环比上涨12.1%-13.9%，原厂退出/减产导致MLCNAND现货价涨幅较大。我们认为26Q3合约价涨幅放缓并非周期见顶信号，AI需求驱动的结构性短缺贯穿全产业链，供需缺口仍在加深，我们预计涨价趋势有望延续至2027年。
　　7月韩国存储出口额同比增长超2.7倍，6月韩国半导体产量/销量/库存分别同比+2.2%/+3.1%/+3.0%。7月韩国存储出口额356.8亿美元，同比增长276.9%。其中DRAM出口额212.3亿美元，同比增长394.6%；NAND出口额17.8亿美元，同比增长285.6%。6月韩国半导体产量/销量/库存同比+2.2%/+3.1%/+3.0%。
　　中国台湾主要存储产业链厂商7月营收增幅扩大。中国台湾主要存储原厂、主控芯片厂商和品牌/模组厂商7月营收分别同比增长424.4%/371.0%/379.4%。华邦电预计DRAM供应紧张格局将在2027年进一步加剧，已有客户提前洽谈2029-2030年LTA。
　　投资建议：存储行业已经从AI算力投资的受益方转变为制约AI基建的关键瓶颈，AI需求驱动的结构性短缺贯穿全产业链，供需缺口仍在加深。价格端，26Q3合约价涨幅放缓并非周期见顶信号，我们预计涨价趋势有望延续至2027年；长期协议并非限制涨价空间，而是让价格趋势更可预判，以短期价格弹性换取长期盈利和现金流可见性。产能端，我们认为供给纪律性仍然被市场低估，原厂大部分新增资本开支投向新建厂房和洁净室建设，扩产计划呈梯度推进，26-27年实际新增产能有限。结构端，行业已经充分预期消费类终端需求疲软，而数据中心AI主线需求持续强劲，产能灵活调控下传统消费终端对行业供需格局的边际影响下降，不会改变供需失衡和价格温和上行的趋势。我们认为行业关注重点有望从单季度价格/利润弹性转向高盈利的多年持续性以及高现金流创造能力支撑的资本回报水平，推动行业估值中枢上行。推荐HBM4+SOCAMM2+企业级SSD全品类布局的美国本土存储龙头美光科技；建议关注受益于AI算力需求、兼具定价权和技术卡位的HBM/DRAM原厂SK海力士、三星电子；受益于企业级SSD需求旺盛的NAND厂商闪迪、铠侠；受益于大厂产能退出的利基型存储厂商南亚科、旺宏、华邦电等。
　　风险提示：技术发展不及预期风险；AI投资过热风险；宏观环境波动风险；地缘政治风险；供应链风险。