>> 华鑫证券-半导体行业周报:寒武纪上半年营收高增,SK海力士投资新建DRAM/NAND晶圆厂-260810
| 上传日期: |
2026/8/10 |
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pdf 共42页 |
来源: |
华鑫证券 |
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作者: |
庄宇 |
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投资要点 寒武纪上半年营收高增,国产AI芯片龙头持续兑现业绩 8月7日晚间,国产AI芯片龙头寒武纪发布2026年半年度报告,业绩持续高增。上半年实现营业收入59.96亿元,同比增长108.13%;归属于上市公司股东的净利润23.11亿元,同比增长122.61%;扣非净利润约21.66亿元,同比增长137.30%;基本每股收益3.68元,同比提升119.05%。公司表示,营收增长主要系持续拓展市场、积极助力人工智能应用落地所致。截至2026H1,公司总资产达181.99亿元,较上年末增长35.43%;净资产135.55亿元,增长14.53%。 SK海力士投资约54.3万亿韩元新建龙仁Y2及清州M17晶圆厂 8月7日消息,韩国存储芯片大厂SK海力士宣布,公司董事会决议通过,将投资54.3万亿韩元(约合人民币2600亿元)分别在韩国龙仁和清州新建晶圆厂。其中龙仁"Y2"晶圆厂投资35.2万亿韩元,清州"M17"晶圆厂投资19.1万亿韩元。该计划是落实公司2026年6月公布的中长期投资策略的关键进展。 龙仁Y2晶圆厂总建筑面积约113万平方米,计划2026年7月开工,2029年6月启用首个无尘室,主要生产HBM等新一代DRAM产品。清州M17晶圆厂总建筑面积约68万平方米,计划2027年2月动工,2028年12月启用首座无尘室。SK海力士此前已将龙仁半导体集群的整体竣工时间由原定的2045年大幅提前至2033年,完成四座晶圆厂的全部建设。根据市场调查机构Omdia预测,从2025年至2030年,DRAM和NANDFlash市场需求年平均增长率将达19%。SK海力士表示,存储芯片已从普通零部件升级为决定AI性能的核心基础设施,进入结构性增长阶段。 建议关注:长鑫科技、华虹宏力、兴森科技、寒武纪。 风险提示 半导体出口管制及制裁加码风险 晶圆厂扩产进度不及预期风险 核心技术研发进展不及预期风险 地缘政治环境不稳定风险 重点覆盖公司业绩不及预期风险
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