电子
　　688012.SH
　　中微公司
　　1、两存扩产叠加国产化产线加速建设，半导体设备需求持续放量。随着制程演进、3D堆叠层数提升及HBM放量，刻蚀在先进制程、DRAM、HBM中的工序占比与价值量显著抬升，是最受益的设备环节之一。
　　2、公司2025年针对先进逻辑和存储器件关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑中段关键刻蚀及先进存储超高深宽比刻蚀实现量产，2026年全年订单增速上修至50%。公司竞争优势突出，有望充分受益本轮两存扩产与国产替代共振
　　电子
　　 688072.SH
　　拓荆科技
　　 1、AIAgent驱动以HBM、DRAM为代表的存储芯片全面通胀，随着存储芯片向3D集成演进、3DNAND堆叠层数提升，混合键合的重要性愈发提升、单位晶圆设备价值量增加，国内两存加速扩产将直接拉动薄膜沉积与键合设备需求。
　　2、公司晶圆对晶圆混合键合已获重复订单、新一代产品送客户验证，在手订单饱满，国产替代与存储扩产双重红利下成长确定性较强。公司竞争优势突出，有望充分受益本轮两存扩产与国产替代共振