>> 中信证券(香港)-华虹半导体(1347.HK)AI驱动扩张-260515
| 上传日期: |
2026/5/15 |
大小: |
645KB |
| 格式: |
pdf 共3页 |
来源: |
中信证券(香港) |
| 评级: |
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作者: |
吴俊豪 |
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中信证券财富管理与中信里昂研究观点一致。根据中信里昂研究在2026年5月15日发布的题为《AI-fuelledexpansion》的报告,华虹半导体2026年一季度业绩及二季度指引基本符合预期。Fab9A将于2026年三季度完成产能爬坡,Fab9B计划于2026年底开始设备搬入,总资本支出达60亿美元。受人工智能需求驱动,公司正积极布局碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)等化合物半导体、硅光技术、高密度电容器及中介层领域。中信里昂预计华虹将持续受益于AI高速增长及国产替代趋势。 2026年一季度业绩与二季度指引基本符合预期 华虹2026年一季度营收同比增长22%至6.61亿美元,处于6.50-6.60亿美元的指引区间上限。毛利率同比提升3.8个百分点至13.0%,处于13%-15%指引区间下限。净利润为2,090万美元,低于市场一致预期的2,680万美元。2026年一季度晶圆均价同比+4.5%/环比-0.1%至438美元。公司预计二季度营收6.90-7.00亿美元,中值为6.95亿美元,较市场一致预期的7.15亿美元低2.9%。毛利率指引14%-16%,中值为15%,较市场一致预期的14.6%高出0.4个百分点。公司预计至2026年底晶圆均价将上涨10%-15%。 Fab9B计划投入60亿美元资本支出,2027年开始产能爬坡 华虹Fab9A预计2026年三季度完成产能爬坡,2026年底或2027年初实现满产。2026年3月启动Fab9B建设,计划2026-2027年间投入60亿美元的资本支出。公司预计2026年底开始设备搬入,2027年启动量产。Fab9B将专注于40纳米节点的特色工艺。 拓展化合物半导体、硅光、电容器与中介层技术 华虹正在通过碳化硅(SiC)合资企业与氮化镓(GaN)合作来发展化合物半导体量产能力,以补充现有硅基功率器件业务。公司积极布局硅光技术,预计与其BCD工艺优势形成协同。分析指出,华虹亦在探索高密度电容器与中介层技术,目前仍处早期阶段。研究显示,华虹持续受益于AI需求与本土化趋势,AI驱动业务增长及新产品拓展。 催化因素 平均售价提升。功率分立器件需求复苏。计划收购华虹五厂。电源管理集成电路/微控制单元芯片等半导体国产替代进展。
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