投资逻辑
　　我们认为受益于人工智能基础设施建设周期，内存和存储行业将迎来量价齐升的快速增长期，HBM和企业级高容量SSD的需求呈现出指数级爆发，结构性产能短缺带来定价权转移。投资DRAM本质上是投资存储行业的确定性Beta，规避个股良率不达标、新产品不及预期、市场竞争博弈的风险。
　　ETF简介
　　Roundhill内存ETF（DRAM）旨在投资于一篮子全球内存芯片公司，于2026年4月2日开始交易。DRAM是首只存储行业主动ETF，为投资者提供全球领先的内存生产商组合的投资机会，这些生产商处于人工智能驱动的更快、更高效的数据处理和存储需求的核心。ETF管理费率为0.65%，预计仅在季度再平衡时进行换手。
　　主要持仓
　　DRAM主要持仓为SK海力士、美光（通过互换协议Swap持有）及三星电子，三者为头部的存储芯片制造商，业务涵盖HBM、DRAM、NAND等，三大原厂占据了约73%的权重。铠侠及闪迪为领先的NAND制造商；西部数据及希捷为领先的HDD制造商；南亚科技为专注生产DRAM的台湾地区制造商；华邦电子为生产DRAM及Flash的台湾地区制造商。
　　溢价率
　　由于DRAM投资于多市场，因此在美股交易时段的股价包含对第二天韩日台股票的预期，做市商会通过ADR或掉期合约（Swap）进行对冲，并根据底层资产的公允价值（Fair Value）进行盘中定价。因此，虽然盘中可能出现微小的流动性点差，但收盘后的净值折溢价依然会收敛至极低水平，不会出现动辄5%-10%的单边溢价损耗。溢价率当前为1.5%。
　　风险
　　行业周期风险、AI需求不确定性的风险、扩产不及预期的风险