投资要点：
　　引言：AI加速存储需求爆发，存储行业开启新一轮上行周期，推动存储厂商产能扩张及技术迭代，无论是NAND和DRAM的存储-逻辑双晶圆架构，还是HBM的Base Die的工艺升级，共同打开存储领域对逻辑代工的需求增量。本文将聚焦DRAM、NAND及HBM三大核心产品，以及CoWoS中介层需求和成熟制程产能转移，测算大陆Fab逻辑代工的增长潜力。
　　DRAM：随着DRAM工艺制程逐步发展，其外围电路工艺从HKMG发展至FinFET。据YOLE数据，行业目前正在推进CMOS键合阵列（CBA）技术研发与落地，泛林也表示在4F2中CMOS部分将会与存储列阵以Bonding形式相结合，海力士也在推动此类技术发展，CBA架构为存储密度的持续提升开辟新的技术路径。据我们测算，在CMOS逻辑晶圆与DRAM晶圆1:1键合的模式下，DRAMCBA架构预计在2030年为全球逻辑代工市场新增71万片/月产能需求，其中本土逻辑代工需求将达到49万片/月。
　　NAND：在3DNAND领域，国际市场长期以PNC、PUC架构为主流，而长江存储依托独创的Xtacking架构实现技术突围。该架构可搭载更先进的逻辑工艺，进而大幅提升NAND产品的性能。随着NAND外围电路要求逐步提高至HKMG，分离架构是一种更好的选择，海外厂商正逐步跟进布局类似Xtacking的CBA架构，其中铠侠已率先将CBA技术导入3DNAND量产产品线，据我们预计，在2030年NAND将会给逻辑晶圆代工需求带来142.8万片/月的需求，其中本土厂商带来的需求为59万片/月。
　　HBM及CoWoS：在HBM3E及之前的版本中，Base Die均由存储厂商自主采用DRAM制程完成制造，但是随着AI服务器性能不断增长，Base Die要求也随之升级。我们预计到2030年HBM将会带来的12寸晶圆产能需求大约为7万片/月，本土需求大约为1.4万片/月。CoWoS需求持续火热，据我们预计，CoWoS中介层对12寸晶圆的需求在2030年将会达到15.6万片/月，其中本土需求为3.9万片/月。
　　产能转移：据TrendForce数据，受台积电、三星主动削减8英寸产能影响，2025年全球8英寸产能同比下降约0.3%，2026年收缩幅度预计扩大至2.4%。结合SEMI、TrendForce及Omdia数据测算，若台积电、三星全面退出8英寸晶圆制造，将导致全球8英寸产能减少约10%。在12英寸领域，台积电亦逐步缩减其成熟制程产能。随着台、韩厂商成熟制程产能持续收缩，国内晶圆厂有望承接更多外溢需求。
　　投资建议：在NAND与DRAM向存储-逻辑双晶圆（CBA）架构升级的明确趋势下，其将拉动大陆本土逻辑代工行业景气度上行，台积电和三星的产能调整也会为大陆Fab带来代工存量市场需求，推荐：晶合集成，同时建议关注：华润微、华虹公司、燕东微、芯联集成。与此同时，HBM产品升级也推动其Base Die制程的升级，CoWoS产能大幅扩张，其中介层也带动了12寸硅基的需求，具备先进制程优势的中芯国际有望深度受益于这一产业趋势。
　　风险提示：行业技术发展不及预期，资本开支不及预期，终端需求不及预期。