核心观点：
　　Transformer架构引发了AI革命，同时对内存提高了更高的要求。Transformer机制核心创新为自注意力机制（Self-Attention），对序列中的每个元素（token）与序列中所有其他元素之间的关系进行建模，用于捕获序列元素之间的依赖关系；该架构的兴起导致AI模型的程序性记忆（即模型权重）容量需求呈指数级增长，其速度远远超过了单个GPU上高带宽内存（HBM）的增长速度，对内存提出了更高的要求与更多的需求。
　　AI将有效带动存储芯片尤其是DRAM/HBM的增长。根据《MemoryMarket overview 2025 Update》（Josephine Lau），2024年全球存储市场约1700亿美元，DRAM约970亿美元，其中HBM 174亿美元，在AI的带动下HBM到2030年将增长至到980亿美元，CAGR约33%。
　　中国存储晶圆厂的市占率与中国存储市场的占比还有较大差距，中国存储晶圆厂仍有较大的发展空间，设备厂商将明显受益。根据《MemoryMarket overview 2025 Update》（Josephine Lau），2024年DRAM市场中国占比26%（250亿美元），NAND市场中国占比33%（220亿美元）；再结合Counterpoint的市占率数据（25Q2），中国DRAM厂商CXMT（长鑫存储）只有5%的市占率，只考虑中国市场其产能扩张还有5倍的空间，中国厂商YMTC（长江存储）市占率只有9%，产能扩张3-4倍的空间（只考虑中国市场）；不可否认，中国存储厂商的技术距离世界先进水平还有差距，我国设备厂商将受益于下游的扩产进程，同时将积极配合下游的技术追赶进程以及并受益于国产化进程。
　　投资建议。推荐长川科技，测试机和分选机等产品已获得长电科技、华天科技、通富微电、士兰微、华润微电子、日月光等多个一流集成电路厂商的使用和认可。推荐精智达，在DRAM老化测试修复设备、MEMS探针卡等产品实现出货量稳步提升，KGSDCP测试机、高速FT测试机等核心测试设备的客户验证工作同步推进。推荐华峰测控，公司产品广泛应用于模拟、数模混合、功率器件及第三代半导体等集成电路的性能验证与品质保障环节，公司于2023年成功推出了面向SoC及高端数字芯片测试的全新一代平台STS8600面向SOC测试机市场，打开新的成长曲线。关注微导纳米，ALD设备已涵盖了行业所需主流ALD薄膜材料及工艺，在高介电常数材料、金属化合物薄膜等领域均实现了产业化应用；CVD设备在硬掩膜等关键工艺领域已实现产业化突破。关注迈为股份，致力于半导体刻蚀与薄膜沉积高端装备的国产化。其他关注北方华创*、中微公司*、拓荆科技*、中科飞测*、精测电子、金海通*、矽电股份等（带*公司为电子组覆盖）。
　　风险提示。行业资本不及预期的风险，半导体技术推进不及预期的风险，半导体设备国产化不及预期的风险。