投资要点：
　　DRAM作为现代计算系统的存储器，其重要性不言而喻。但受限于电容物理特性，过去十年密度提升速度较慢，平面微缩难以进展。同时，AI算力爆发推动内存需求，HBM其成本达DDR5的3倍以上，HBM在NVIDIAH100/Blackwell的成本中占比超50%/60%。为突破成本与性能瓶颈，DRAM行业内聚焦4F2垂直晶体管架构（提升平面微缩密度）与CMOSBonding技术（优化存储阵列面积）等新技术。
　　4F2 DRAM: 4F2架构通过垂直沟道晶体管实现单元面积的进一步缩减，其核心创新在于将源极、栅极及漏极结构由平面布局转为垂直堆叠。具体而言，下层源极直接连接位线，中间栅极与字线相连，上层漏极则与电容器集成，该设计有效降低了电气干扰。4F2技术可使单元面积缩小，同时兼具高速与低功耗特性。东京电子预测，基于垂直沟道晶体管（VCT）与4F2架构的DRAM产品将于2027至2028年间实现商业化落地。国内厂商长鑫存储2023年也发表了相关4F2 DRAM的专利。
　　CBA技术：据YOLE数据，DRAM未来有望采用4F2+CBA技术混合方案。行业在4F2单元架构实现平面结构微缩的基础上，目前同步发展出CMOS键合阵列（CBA）技术方案。该技术通过分离式制造工艺，将外围电路与存储阵列分别置于独立晶圆完成加工，随后通过混合键合工艺实现集成。通过将CMOS电路转移至专用Logic晶圆，CBA架构有效释放了存储阵列的平面空间资源，为存储密度的持续提升提供了新的技术路径。YOLE预计4F2+CBA技术相结合的方案将于2028年实现应用，届时头部DRAM制造商将通过4F2+CBA技术组合，在存储密度与性能指标上实现突破性提升。
　　之前国际市场上主流的3DNAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构，国内长江存储通过Xtacking架构，在3DNAND上走出独特的技术特点。依靠Xtacking技术在3DNAND上优势，长江存储在全球NAND的份额正在逐步提高，据锐芯闻援引的Techinsights数据，其份额在2025Q1达到了6%，其NAND层数也达到国际领先水平。未来DRAM技术发展路径或将借鉴NAND闪存的3D技术演进模，国内厂商有望通过类似长存Xtacking的创新技术方案，在DRAM领域实现突破。
　　投资建议：随着CBA架构的兴起，需要在CMOS晶圆上集成HKMG和FinFET等先进逻辑电路，所以对于Logic芯片的代工需求也随之提升。随着存储厂商技术的不断发展，其有望采用的CBA架构的需求将会给国内代工厂带来新的机遇和发展。建议关注：晶合集成、中芯国际、华虹公司；CBA架构需要混合键合。在DRAM领域，相较于融合键合，混合键合在W2W领域具备工艺复杂度低，成本更低的优势，故对于众多DRAM制造商来说，混合键合是4F2 DRAM+CBA方案的首选，适合高密度制造需求。随着国内DRAM厂商的不断发展，将会给国内半导体设备厂商带来新的需求。建议关注：拓荆科技。
　　风险提示：技术发展不及预期，资本开支不及预期，终端需求不及预期。