核心观点
　　NAND：CFM称256Gb及以下容量NANDWafer产出缩减。根据DRAMexchange，上周（20250714-0718）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.43%至2.36%，平均涨跌幅为0.36%。其中11个料号价格持平，9个料号价格上涨，2个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，随着存储原厂NANDFlash技术不断向更高密度、更大存储容量的TLC/QLC加速迁移，256Gb及以下容量的NAND产出同步大幅收缩，部分产品已逐步进入停产状态。在无其他替代方案情况下，未来将倒逼适用于低容量嵌入式产品的相关应用终端升级存储配置，以适应供应端的变化。
　　DRAM：楷登电子称业内首个LPDDR6/5X内存IP系统解决方案完成流片。根据DRAMexchange，上周（20250714-0718）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.82%至3.51%，平均涨跌幅为0.60%。上周13个料号呈上涨趋势，5个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据科创板日报报道，楷登电子（Cadence）宣布，业内首个LPDDR6/5X内存IP系统解决方案完成流片。据介绍，该解决方案已经过优化，运行速率高达14.4Gbps，比上一代LPDDRDRAM快50%；经过扩展之后，AI基础架构可以适应新一代AILLM、代理AI及其他垂直领域计算密集型工作负载对于内存带宽和容量的需求。
　　HBM：TrendForce称英伟达H20出口解禁助力需求释放，带动HBM需求同步增加。根据科创板日报报道，TrendForce集邦咨询表示，美国有望允许NVIDIA（英伟达）恢复对中国市场销售H20GPU，政策转折将有助带动当地AI与云端业者的需求回补，预期H20将重新成为该市场高端AI芯片主力，带动HBM需求同步增加。
　　市场端：NANDWafer现货行情多数走扬，上周存储成品端整体以持平为主。根据CFM闪存市场报道，近期存储现货市场逐渐回归冷静，多数传统消费类DRAM成品高位横盘整理；同时，时值三季度上旬，行业SSD、嵌入式eMMC等市场采购询价积极性普遍不高。整体上看，本周存储现货成品端基本以持稳的基调为主。供应端上，原厂普遍对于现货市场NAND资源调涨态度坚决，带动部分主流NAND资源现货价格稳中有涨。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。