核心观点
　　NAND：铠侠UFS 4.1开始送样512GB和1TB版本采用BiCS 8NAND。根据DRAMexchange，上周（20250707-0711）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.33%至3.37%，平均涨跌幅为0.51%。其中4个料号价格持平，13个料号价格上涨，5个料号价格下跌。根据科创板日报报道，铠侠宣布其符合最新UFSVer.4.1规范的嵌入式闪存设备现已出样，提供256GB、512GB和1TB容量选择，采用小型BGA封装。其中，512GB和1TB版本采用最新的第八代BiCSFLASH 3D闪存。
　　DRAM：Trendforce称DDR4现货价格大幅上涨后出现温和回调。根据DRAMexchange，上周（20250707-0711）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.96%至5.55%，平均涨跌幅为0.20%。上周7个料号呈上涨趋势，10个料号呈下降趋势，1个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据Trendforce集邦咨询的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，虽然DDR4现货价格出现间歇性上涨，但这主要反映的是此前涨幅过快的回调，而非供应过剩。NAND闪存方面，消费市场需求已显露出疲态，买家目前正密切关注美国关税措施可能对下一阶段造成的影响。
　　HBM：三星电子与博通推进12层HBM3E供应，预计供应量达10亿Gb。根据科创板日报报道，三星电子近期已完成与博通就12层HBM3E产品的质量测试，正就量产供应展开磋商。当前协商的供应量按容量计算约为10亿Gb级别左右，量产时间预计最早从2025年下半年延续至2026年。
　　市场端：CFM更新DDR4 RDIMM 7月价格，服务器市场渐趋恢复理性下仅零星急单成交。根据CFM闪存市场报道，近段时间来，服务器DDR4 RDIMM现货价格连续快速拉涨后，较2025年一季度低点呈翻倍式增长；然而，高价DDR4 RDIMM已引发服务器终端客户抵触心理日渐强烈，除零星急单外，服务器终端客户普遍不愿高位”接盘“，服务器现货市场整体交易氛围趋于冷清。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。