核心观点
　　NAND：美光推出2600 NVMeSSD。根据DRAMexchange，上周（20250630-0704）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.67%至5.08%，平均涨跌幅为1.44%。其中3个料号价格持平，18个料号价格上涨，1个料号价格下跌。根据科创板日报报道，美光宣布，推出美光2600 NVMeSSD，专为原始设备制造商设计的高性价比客户端存储解决方案。2600 SSD搭载业界首款应用于SSD的第九代QLCNAND（G9 QLCNAND），并采用美光创新的自适应写入技术。
　　DRAM：TrendForce称16Gb DDR4持续上涨，PC级DRAM价格或失去涨价动力。根据DRAMexchange，上周（20250630-0704）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.66%至20.85%，平均涨跌幅为1.96%。上周11个料号呈上涨趋势，7个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，16Gb DDR4消费级DRAM芯片现货价格持续上涨，而8Gb DDR4等PC级DRAM芯片则出现小幅回调。NANDFlash方面，随着供应商产能资源逐步释放，加之相关补贴政策效应减弱，导致现货市场低迷。
　　HBM：SK海力士称有望向英特尔AI芯片Jaguar Shores供应HBM4。根据科创板日报报道，SK海力士表示，正与英特尔在大带宽、大容量内存方面合作，有望向英特尔Jaguar Shores AI显卡加速器供应HBM4。
　　市场端：封装基板短缺致使LPDDR4X产品交付更加艰巨，现货价格再度大幅上扬。根据CFM闪存市场报道，封装基板等关键材料缺货持续发酵并传导至成品端，使本就受存储资源供应紧缺影响的LPDDR4X成品产出更加艰难，尤其8/16Gb等低容量LPDDR4X交付压力更为突出，带动LPDDR4X产品价格延续攀升态势。相关集成式eMCP和uMCP产品跟随LPDDR4X价格上扬调涨报价。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。