核心观点
　　NAND：集邦咨询预计2025Q1 NAND平均合约价预测降10~15%。根据DRAMexchange，上周（20250113-0117）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.82%至2.15%，平均涨跌幅为0.30%。其中6个料号价格持平，11个料号价格上涨，5个料号价格下跌。根据IT之家援引TrendForce集邦咨询报告，预测2025年第1季度NANDFlash平均合约价环比下降10~15%；DRAM合约价环比下降8~13%。集邦咨询预测，2025年第1季度NANDFlash市场将面临严峻挑战，供货商库存持续上升，订单需求下降，平均合约价预计将环比下降10%至15%。
　　DRAM:南亚科预计DRAM市场第2季开始复苏。根据DRAMexchange，上周（20250113-0117）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.57%至0.79%，平均涨跌幅为-0.27%。上周8个料号呈上涨趋势，10个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。南亚科技总经理李培瑛表示，随着区域经济体发布刺激方案，客户态度已转趋积极，预计DRAM市场可望于第2季开始复苏。
　　HBM：美光科技在新加坡兴建HBM先进封装厂。根据CFM闪存市场报道，美光科技位于新加坡的高带宽存储器（HBM）先进封装厂于1月8日破土动工，这是新加坡第一家同类工厂。新工厂计划于2026年开始运营，并从2027年开始扩大美光的先进封装总产能，以满足人工智能增长的需求，并将与美光在新加坡的现有业务产生协同效应。美光在HBM先进封装方面的投资约为70亿美元（95亿新元）。
　　市场端：存储现货行情整体表现平稳。根据CFM闪存市场报道，近期渠道SSD价格涨跌各异。其中，在低价颗粒货源短缺持续发酵下，带动渠道市场少数低容量SATASSD和PCIe SSD止跌反涨，但随着后续供应端低价资源逐渐释出，2025年上半年渠道市场向下趋势仍然较为清晰明朗；而受QLC资源增多冲击叠加市场现降价行为，令部分大容量PCIe4.0 SSD价格小跌。嵌入式和行业市场因年关将至整体变化不大，价格较为稳定。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。