天岳先进：国产碳化硅衬底领跑者，产能释放盈利拐点或至。天岳先进成立于2010年，是国内领先的碳化硅衬底生产商。公司通过自主研发，掌握了设备设计、温场设计、粉料合成、晶体生长和衬底加工等核心技术。公司主要生产半绝缘型和导电型碳化硅衬底，广泛应用于微波电子、电力电子、新能源汽车和轨道交通等领域。受益于上海临港新工厂产能释放与济南工厂产能结构优化调整，公司业绩表现有望迎来拐点。公司2023H1实现营收4.38亿元，同比增长172.38%，归母净利润-0.72亿元，亏损同比有所收窄。
　　碳化硅行业：新能源引领需求增长，碳化硅迎来广阔蓝海。相比于硅基半导体材料，碳化硅材料体现出耐高温、耐高压等优良物理性质。伴随新能源汽车、光伏发电等行业快速发展，碳化硅应用场景加速拓展。在碳化硅产业链中，衬底制造价值占比最高，接近50%。根据Yole数据，预计2026年，全球碳化硅导电型衬底市场规模将达17亿美元，2022-2026年CAGR达24.8%，未来前景广阔。同时，碳化硅衬底制造工艺复杂，准入门槛高，行业集中度较高。据Yole数据，2020年在半绝缘衬底市场中，Wolfspeed、II-VI及天岳先进合计市占率高达98%；在导电型衬底市场中，Wolfspeed、II-VI及SiCrystal 2021年合计市占率达81%，国产替代空间较大。当前碳化硅衬底市场处于技术突破的关键阶段，随着衬底尺寸逐步向8英寸大尺寸化突破，产出率及边缘损耗均将有明显的进步，因而衬底制备成本有望迎来明显改善，行业规模化指日可待。
　　新能源汽车市场：乘新能源汽车风起，碳化硅渗透率迎快速提升。据英飞凌数据，受政策驱动影响，2022年中国新能源车渗透率达25.6%。据安森美预测，2028年全球新能源车渗透率将达到51.5%。为解决新能源汽车“充电慢、续航低”关键痛点，800V高压快充即首选方向，碳化硅材料因其耐高压、大功率的优良特质，为800V快充应用提供稳定支持。据材料深一度预测，当前市场500km续航里程的车型中，碳化硅在电机控制器的渗透率有望于2024年达到100%。随着碳化硅成本下降及技术的提升，更多车企将在电机控制器导入碳化硅，2025年有望迎来增长机会。根据TrendForce数据，2020-2025年新能源汽车市场对碳化硅晶圆需求逐步提升，预计在2025年将达到169万片，CAGR达94.96%。
　　天岳先进：技术处于国内领先地位，导电型衬底产能加快释放。技术上，天岳先进逐步向大尺寸演进，奋力追赶海外龙头企业，核心技术涵盖碳化硅衬底制备全过程，在8英寸液相法技术突破上领先国内同行。产品上，不断加码技术创新与设备升级，制备高质量高良率产品，对标国际领先水平。产能上，济南工厂优化调整产能结构以满足市场需求。同时，上海临港新工厂开始交付，其年产30万片6英寸导电型碳化硅衬底产品的产能，原计划为2026年投产，公司预计将提前实现达产。此外，根据《中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会关于碳化硅半导体材料项目（调整）环境影响报告书的审批意见》，天岳先进拟将上海临港工厂生产规模扩大至年产碳化硅晶片96万片。客户上，公司与博世、英飞凌等国际大厂达成合作，不断稳固客户关系，巩固产业链内竞争优势。
　　盈利预测和投资评级
　　作为国内碳化硅衬底领军企业，公司在技术及产品端优势明显，目前已经实现6英寸导电型及半绝缘型衬底的批量供应，在大尺寸化布局上，公司已经采用液相法制备出低缺陷的8英寸晶体。在技术端领跑国内市场，同时加速追赶海外龙头企业。客户端，公司与英飞凌、博世等海外知名大厂签署长期供应协议，稳定的客户资源铸就了公司强劲的市场竞争力。产能端从今年开始，公司济南工厂顺利完成产能结构优化，同时上海临港新工厂开始投产，伴随产能的加速释放，公司营收及盈利能力有望迎来快速提升。我们预计公司2023-2025年营业收入分别为11.42/20.39/29.30亿元，同比增速为173.84%/78.52%/43.74%；2023-2025年归母净利润分别0.23/1.73/3.23亿元，同比增速为113.26%/643.90%/86.56%。2023-2025年PS分别为20.81/11.66/8.11倍。公司作为国内碳化硅领先企业，在产品、产能均将迎来明显突破进展的情况下，未来成长空间较大。因此，首次覆盖，给予“买入”评级。
　　风险提示
　　1）新能源行业需求不及预期2）SiC降本速度不及预期3）SiC衬底行业竞争加剧4）大尺寸碳化硅衬底国产替代进程不确定性风险5）公司产能释放不及预期6）公司技术突破不及预期7）引用数据仅供参考8）国内外公司不具备完全可比性

研究报告全文：2023年09月14日公司研究评级买入首次覆盖研究所TableTitle证券分析师葛星甫S0350522100001导电型衬底释放在即国产碳化硅龙头业绩拐点gexfghzqcomcn联系人高力洋S0350123050039或至gaoly01ghzqcomcn天岳先进688234深度报告最近一年走势投资要点天岳先进沪深30003392天岳先进国产碳化硅衬底领跑者产能释放盈利拐点或至天岳01727先进成立于2010年是国内领先的碳化硅衬底生产商公司通过自00063主研发掌握了设备设计温场设计粉料合成晶体生长和衬底-01601加工等核心技术公司主要生产半绝缘型和导电型碳化硅衬底广-03266泛应用于微波电子电力电子新能源汽车和轨道交通等领域受-04930益于上海临港新工厂产能释放与济南工厂产能结构优化调整公司229221022112212231232233235236237238239业绩表现有望迎来拐点公司2023H1实现营收438亿元同比增长17238归母净利润-072亿元亏损同比有所收窄相对沪深300表现20230913表现1M3M12M碳化硅行业新能源引领需求增长碳化硅迎来广阔蓝海相比于天岳先进-109-269-446硅基半导体材料碳化硅材料体现出耐高温耐高压等优良物理性沪深300-38-33-91质伴随新能源汽车光伏发电等行业快速发展碳化硅应用场景加速拓展在碳化硅产业链中衬底制造价值占比最高接近50市场数据20230913根据Yole数据预计2026年全球碳化硅导电型衬底市场规模将当前价格元5531达17亿美元2022-2026年CAGR达248未来前景广阔同52周价格区间元5009-13750时碳化硅衬底制造工艺复杂准入门槛高行业集中度较高据总市值百万2376732Yole数据2020年在半绝缘衬底市场中WolfspeedII-VI及天岳流通市值百万1234993先进合计市占率高达98在导电型衬底市场中WolfspeedII-VI总股本万股4297110及SiCrystal2021年合计市占率达81国产替代空间较大当前流通股本万股2232856碳化硅衬底市场处于技术突破的关键阶段随着衬底尺寸逐步向8日均成交额百万10659英寸大尺寸化突破产出率及边缘损耗均将有明显的进步因而衬近一月换手050底制备成本有望迎来明显改善行业规模化指日可待新能源汽车市场乘新能源汽车风起碳化硅渗透率迎快速提升据英飞凌数据受政策驱动影响2022年中国新能源车渗透率达256据安森美预测2028年全球新能源车渗透率将达到515为解决新能源汽车充电慢续航低关键痛点800V高压快充即首选方向碳化硅材料因其耐高压大功率的优良特质为800V快充应用提供稳定支持据材料深一度预测当前市场500km续航里程的车型中碳化硅在电机控制器的渗透率有望于2024年达到100随着碳化硅成本下降及技术的提升更多车企将在电机控制器导入碳化硅2025年有望迎来增长机会根据TrendForce数据2020-2025年新能源汽车市场对碳化硅晶圆需求逐步提升预计在2025年将达到169万片CAGR达9496国海证券研究所请务必阅读正文后免责条款部分证券研究报告天岳先进技术处于国内领先地位导电型衬底产能加快释放技术上天岳先进逐步向大尺寸演进奋力追赶海外龙头企业核心技术涵盖碳化硅衬底制备全过程在8英寸液相法技术突破上领先国内同行产品上不断加码技术创新与设备升级制备高质量高良率产品对标国际领先水平产能上济南工厂优化调整产能结构以满足市场需求同时上海临港新工厂开始交付其年产30万片6英寸导电型碳化硅衬底产品的产能原计划为2026年投产公司预计将提前实现达产此外根据中国上海自由贸易试验区临港新片区管理委员会关于碳化硅半导体材料项目调整环境影响报告书的审批意见天岳先进拟将上海临港工厂生产规模扩大至年产碳化硅晶片96万片客户上公司与博世英飞凌等国际大厂达成合作不断稳固客户关系巩固产业链内竞争优势盈利预测和投资评级作为国内碳化硅衬底领军企业公司在技术及产品端优势明显目前已经实现6英寸导电型及半绝缘型衬底的批量供应在大尺寸化布局上公司已经采用液相法制备出低缺陷的8英寸晶体在技术端领跑国内市场同时加速追赶海外龙头企业客户端公司与英飞凌博世等海外知名大厂签署长期供应协议稳定的客户资源铸就了公司强劲的市场竞争力产能端从今年开始公司济南工厂顺利完成产能结构优化同时上海临港新工厂开始投产伴随产能的加速释放公司营收及盈利能力有望迎来快速提升我们预计公司2023-2025年营业收入分别为114220392930亿元同比增速为17384785243742023-2025年归母净利润分别023173323亿元同比增速为113266439086562023-2025年PS分别为20811166811倍公司作为国内碳化硅领先企业在产品产能均将迎来明显突破进展的情况下未来成长空间较大因此首次覆盖给予买入评级风险提示1新能源行业需求不及预期2SiC降本速度不及预期3SiC衬底行业竞争加剧4大尺寸碳化硅衬底国产替代进程不确定性风险5公司产能释放不及预期6公司技术突破不及预期7引用数据仅供参考国内外公司不具备完全可比性8预测指标TableForcast12022A2023E2024E2025E营业收入百万元417114220392930增长率-161747944归母净利润百万元-17523173323增长率-29511364487摊薄每股收益元-041005040075ROE-3036PE102266137477369PB638451436412PS803720811166811EVEBITDA-379071196164864498资料来源Wind资讯国海证券研究所请务必阅读正文后免责条款部分2证券研究报告内容目录1天岳先进国产碳化硅衬底领跑者产能释放盈利拐点或至611发展历程半绝缘导电型衬底并行十载行业龙头之旅612股权结构公司股权架构稳定核心团队背景深厚613业务布局发力导电型衬底上海临港产能打开成长天花板814财务状况产能结构调整完成新产能释放开启公司营收回升明显112碳化硅行业新能源引领需求增长碳化硅迎来广阔蓝海1321物理性质卓越新兴应用需求打造碳化硅成长曲线13211物理性能碳化硅材料出色卓越渗透多种应用场景13212市场情况汽车带动碳化硅市场快速增长碳化硅材料渗透具备潜力1522碳化硅衬底壁垒较高产业链各环节布局如火如荼15221产业链衬底处于产业链上游国内外企业积极布局15222制造工艺碳化硅衬底制备工艺复杂行业拥有较高壁垒17223衬底市场碳化硅市场维持高增长衬底价值占比近一半19224发展趋势大尺寸化趋势明显成本优化指日可待2023乘新能源汽车风起碳化硅渗透率迎快速提升21231新能源汽车提升充电效率迫在眉睫800V高压快充应运而生21232碳化硅应用800V快充核心解决方案助力新能源汽车降本续航23233碳化硅新能源汽车领域需求市场规模迎来快速增长期主驱逆变器为主要上车点253技术处于国内领先地位导电型衬底产能加快释放2631先发优势国内位居第一梯队加速追赶海外龙头26311天岳先进VS国际龙头技术创新协同政策支持国产替代进度加速27312天岳先进VS国内同行大尺寸化进展顺利坐拥优质客户资源2732产能优势上海临港工厂产能开始释放规划年产能扩大至96万片2833产品优势高质量高良率衬底产品对标国际领先水平2934客户优势客户关系稳定打造产业链竞争力314盈利预测与评级345风险提示34请务必阅读正文后免责条款部分3证券研究报告图表目录图1公司发展历程6图2公司股权结构截至2023年半年报7图3公司主要业务及其应用9图4公司技术产品示意图10图5公司济南上海工厂11图62019-2023H1营业收入左轴及同比增速12图72019-2023H1归母净利润左轴及同比增速12图8公司毛利率净利率变化情况12图9公司历年期间费用单位亿元左轴及费用率右轴13图10公司研发费用单位亿元左轴及同比增速13图11以碳化硅为代表的第三代半导体覆盖领域14图12碳化硅应用领域14图13全球碳化硅功率半导体市场份额15图14全球主要半导体材料渗透率及预测15图15碳化硅各环节及龙头企业介绍16图16国内碳化硅产业链布局16图172022-2023Q3碳化硅行业重大收购及合作17图18碳化硅衬底制备流程18图19物理气相传输法生长碳化硅晶体示意图18图20碳化硅三种制备方法优缺点对比18图21全球碳化硅衬底市场规模单位百万美元20图222022年碳化硅器件制造成本占比20图232020年半绝缘型碳化硅衬底市场格局20图242021年导电型碳化硅衬底市场格局20图25碳化硅衬底尺寸发展趋势21图26碳化硅衬底价格发展趋势RMBcm21图27全球主要地区碳排放规划进程22图28全球车企对新能源汽车投入22图29全球主要地区新能源车销量千辆及渗透率22图30全球新能源汽车渗透率变化图22图31消费者关注新能源车的吸引点调研结果23图32消费者对新能源车的顾虑调研结果23图332015年与2023年最高电压对应充电桩功率对比单位KW23图34碳化硅在新能源汽车上应用24图35碳化硅功率半导体发展趋势24图36碳化硅器件与Si器件对比24图37Rohm第四代碳化硅MOSFET与IGBT用电量对比24图38国内新能源汽车电机控制器碳化硅渗透率预测25图39碳化硅在新能源汽车中的导入进度25图40新能源车碳化硅市场规模单位百万美元26图41单车中碳化硅价值量拆分26图42新能源汽车市场对碳化硅晶圆需求左轴及同比增速26图432025年碳化硅车身应用组件占比26图44公司业务发展历程28请务必阅读正文后免责条款部分4证券研究报告图45公司举行上海工厂交付仪式29图46公司6英寸导电型碳化硅衬底32图47关于英飞凌与天岳先进衬底和晶棒供应协议的新闻稿32图48博世汽车电子苏州有限公司总经理AndaryGeorges致辞33图49公司碳化硅产品33表1公司核心人员背景及主要职责7表2公司国家级奖项与认定称号9表3公司专利情况9表4各代半导体材料性能特点对比14表5不同种类衬底特点19表6公司与可比公司的半绝缘型碳化硅衬底各尺寸量产推出时间27表7公司与国内同行的8英寸技术进展与总体产能情况28表8公司核心技术名及其特点29表9公司6英寸半绝缘型碳化硅衬底产品主要指标与国内外竞争对手对比31表10公司6英寸导电型碳化硅衬底产品主要指标与国内外竞争对手对比31表11可比公司估值34请务必阅读正文后免责条款部分5证券研究报告1天岳先进国产碳化硅衬底领跑者产能释放盈利拐点或至11发展历程半绝缘导电型衬底并行十载行业龙头之旅天岳先进专攻碳化硅衬底制备是国内领先的碳化硅衬底生产商公司通过自主研发掌握了设备设计温场设计粉料合成晶体生长和衬底加工等核心技术公司主营业务涵盖半绝缘型和导电型碳化硅衬底广泛应用于微波电子电力电子新能源汽车和轨道交通等领域自2010年成立以来公司发展成果显著2015年公司实现了国内较早的4英寸碳化硅衬底量产2019年8月公司引进华为旗下子公司哈勃投资作为战略投资者2020年公司经多轮融资后估值突破百亿2021年上海临港新工厂开工建设2022年1月公司登陆A股科创板上市2022年7月公司签订重大合同约定将于2023年至2025年间向合同对方销售6英寸导电型碳化硅衬底产品预计含税销售三年合计金额为人民币1393亿元2023年5月公司上海临港工厂正式投交付同月公司与英飞凌签订全新衬底和晶棒供应协议同时与博世展开合作2023年6月公司采用液相法制备出低缺陷的8英寸晶体图1公司发展历程资料来源公司公告公司官网公司微信公众号英飞凌官网国海证券研究所12股权结构公司股权架构稳定核心团队背景深厚请务必阅读正文后免责条款部分6证券研究报告公司股权结构稳定宗艳民先生为实际控制人截至2023年半年报天岳先进董事长宗艳民持有公司3009股权其余股东结构多元包括多家私募基金和投资机构如辽宁中德哈勃投资海通新能源等重视人才激励员工持股平台增添活力天岳先进作为科技创新型企业高度重视人才的培养与激励通过设立上海麦明上海铸傲两个直接员工持股平台以及上海爵芃和上海策辉两个间接员工持股平台让公司主要核心员工共享企业发展的成果提高员工的忠诚度和创造力截至2022年年报公司有102名员工通过持股平台持股形成了与公司利益高度一致的合作伙伴关系为公司的长期稳定发展奠定了坚实的人才基础图2公司股权结构截至2023年半年报资料来源wind公司公告公司招股说明书国海证券研究所核心团队背景深厚产业经验丰富公司创始人及董事长宗艳民先生为享受国务院特殊津贴专家齐鲁工业大学特聘教授董事会秘书钟文庆先生曾在多家国内外知名的高科技企业担任要职为天岳先进的快速发展提供了坚实的财务保障和战略指导首席技术官高超先生深耕材料物理与化学领域主持了碳化硅单晶制备技术的开发和创新为公司的产品质量和技术水平的提升做出了重要贡献研发中心二级部负责人梁庆瑞先生现主持碳化硅衬底加工研发工作具体负责碳化硅衬底加工技术表1公司核心人员背景及主要职责姓名简介及主要工作履历公司职责和主要业务公司创始人本科学历工学学士学位硅酸盐工程专业正高级董事长总经理主持公司的整体工程师享受国务院特殊津贴专家全国劳动模范齐鲁工业大学管理和运营工作制定公司的发展宗艳民特聘教授山东省优秀企业家社会主义优秀建设者山东省工商战略和目标带领团队先后攻克了联副主席民建山东省委委员曾任第十届山东省政协委员第十原料提纯碳化硅材料生长及缺陷一届山东省政协常委1987年8月至2002年10月任济南灯泡控制衬底加工等一系列难题掌请务必阅读正文后免责条款部分7证券研究报告厂技术处工艺工程师2002年10月至2020年10月任济南天握了碳化硅半导体材料产业化核心业董事长兼总经理2010年11月至2020年11月历任天岳有关键技术实现2-6英寸宽禁带半限执行董事董事长总经理等职务2020年11月至今任天岳导体材料研发或产业化实现了国先进董事长总经理家核心战略材料的自主可控理学硕士学位1995年7月至1997年6月任美国特勒克斯公董事董事会秘书主要负责公司司财务及行政主管1998年1月至1999年2月任美国品食乐信息披露投资者关系管理等工作食品有限公司财务计划和分析经理1999年3月至2001年3月任美国施乐中国有限公司财务总监市场总监2001年7月至2003年11月任世纪愿景公司首席财务官2003年12月至2005年4月任美国电子数据系统公司UGSPLM大中华区财务总监2005钟文庆年5月至2010年11月历任沃尔沃建筑设备公司中国区首席财务官产品线首席财务官国际区业务发展副总裁2011年9月至2018年12月任瑞迈国际总裁2018年12月至2019年8月任天岳有限首席财务官2019年8月至2020年11月任天岳有限董事首席财务官2020年11月至2023年4月任天岳先进董事首席财务官董事会秘书2023年4月至今任天岳先进董事董事会秘书博士研究生学历工学博士学位材料物理与化学专业高级工程董事首席技术官现主持公司的师享受国务院特殊津贴专家获得山东省科学技术进步一等奖产品开发和技术研发工作具体负济南市科技进步一等奖主持参与过多项省部级以上重大科研及产责碳化硅单晶制备技术高超业化攻关项目2014年7月至2017年1月任天岳有限研发工程师2017年1月至2019年8月任天岳有限研发中心主任2019年8月至2020年11月任天岳有限董事研发中心主任2020年11月至今任天岳先进董事首席技术官工学博士学位材料学专业高级工程师主持碳化硅衬底加工研研发中心二级部负责人现主持碳发工作具体负责碳化硅衬底加工技术从事宽禁带半导体碳化硅化硅衬底加工研发工作具体负责衬底加工技术研究近十年带领加工研发团队开展碳化硅衬底材料碳化硅衬底加工技术加工应力控制二次高温退火微型晶体加工等理论和技术研究攻克了制约2-6英寸碳化硅衬底材料超精密加工关键核心技术瓶梁庆瑞颈实现了碳化硅衬底材料的批量稳定生产产品性能达到国内领先国际先进水平获得山东省科学技术进步一等奖济南市科技进步一等奖入选泉城产业领军人才主持和参与了多项省部级以上科研项目2016年1月至2020年11月任天岳有限研发总监2020年11月至2022年年报发布任天岳先进研发中心二级部负责人资料来源公司公告公司招股说明书国海证券研究所13业务布局发力导电型衬底上海临港产能打开成长天花板深耕碳化硅衬底应用领域广泛公司专门从事碳化硅衬底的研发生产和销售其半绝缘型产品广泛应用于5G基站建设除了主营业务外公司还销售生产过程中无法达到半导体级要求的晶棒不合格衬底等其他业务产品供给珠宝市场请务必阅读正文后免责条款部分8证券研究报告和科研测试等用途图3公司主要业务及其应用资料来源公司招股说明书国海证券研究所实验室研究中心建设科技专利成果颇丰公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心国家级博士后科研工作站山东省碳化硅材料重点实验室等国家和省级研发平台科研创新能力强大截至2022年末累计获得143项境内发明专利授权获得国家科学技术进步一等奖等多项国家级和省级荣誉表2公司国家级奖项与认定称号奖项名称认定称号获奖认定年度项目产品名称国家科学技术进步一等奖2019年度项目A国家级专精特新小巨人企业2020年度碳化硅衬底材料单项冠军示范企业2021年度半绝缘碳化硅衬底资料来源公司公告国海证券研究所表3公司专利情况2023H1新增累计数量申请数个获得数个申请数个获得数个发明专利1212228164实用新型专利32339324请务必阅读正文后免责条款部分9证券研究报告外观设计专利0000软件著作权006363其他024336合计1516673587资料来源公司公告国海证券研究所突破前沿生产技术满足高品质产品需求公司掌握设备设计热场设计粉料合成晶体生长衬底加工等各生产流程核心技术通过碳化硅单晶生长设备及热场设计制造技术高纯碳化硅粉料制备技术精准杂质控制技术及电学性能控制技术碳化硅单晶生长过程中的缺陷控制技术碳化硅单晶衬底超精密加工技术等五大核心技术满足不同尺寸不同类型晶体的生长需求为外延器件等下游产业提供高品质材料图4公司技术产品示意图资料来源公司官网国海证券研究所济南工厂贡献稳定产能上海临港新工厂贡献增量空间公司先后于2015年和2019年建成济南济宁两个工厂2022年公司通过整体吸收合并的方式合并子公司济宁天岳并予以注销2021年公司启动上海临港工厂建设进一步提升产能上海临港工厂于2023年5月展开产品交付将主要覆盖导电型碳化硅衬底临港工厂年产30万片6英寸导电型碳化硅衬底产品的产能原计划为2026年投产公司预计将提前实现达产此外根据中国上海自由贸易试验区临港新片区管理委员会关于碳化硅半导体材料项目调整环境影响报告书的审批意见天岳先进拟将上海临港工厂生产规模扩大至年产碳化硅晶片96万片请务必阅读正文后免责条款部分10证券研究报告图5公司济南上海工厂资料来源公司官网14财务状况产能结构调整完成新产能释放开启公司营收回升明显产能结构调整完毕2023H1公司收入大幅增长归母净利润亏损收窄公司2019-2022年营业收入分别为269425494417亿元同比增长972858181625-1556公司2019-2022年归母净利润分别为-201-64209-175亿元同比增长-37624-2197111402-294802019-2021年公司营收稳步上升但由于2019年和2020年股份支付使得管理费用大幅上升2019-2020年归母净利润为负2021年大额股份支付结束后归母净利润迅速回正实现盈利2022年因产线设备调整导致临时性产能下滑营收短期承压上海临港新工厂招聘培训费用支出较高以及研发投入增加导致公司归母净利润转亏2023年上半年公司实现营业收入438亿元同比增长17238受益于产能结构调整趋于完成以及导电型衬底产能销量同步增加公司营收同比增速明显升高实现归母净利润-072亿元同比增长129亏损有所收窄净利润增速低于营收增速的原因在于一方面公司新建产能前期费用支出及所储备的人员数量较大导致管理费用上涨另一方面公司8英寸导电型产品产业化研发液相法技术研发大尺寸半绝缘产品研发高品质导电型产品的持续研发投入较大未来随着上海临港新工厂投产以及需求端新能源汽车光伏储能领域的渗透率提升公司盈利能力有望迎来明显改善请务必阅读正文后免责条款部分11证券研究报告图62019-2023H1营业收入左轴及同比增速图72019-2023H1归母净利润左轴及同比增速归母净利润亿元同比增速营业总收入亿元同比增速2200620011005150020192020202120222023H104-11003-2-10050-32-200-410-300-50-50-6-40020192020202120222023H1-7-500资料来源ifind国海证券研究所资料来源ifind国海证券研究所2023H1毛利率转正未来仍存在较大上涨空间公司2019-2022年毛利率分别为376835282843-575净利率分别为-7482-151031821-42022019年和2020年因进行股份支付管理费用大幅上升导致净利率下滑2022年由于公司主要产品结构调整公司毛利率转负但随着济南工厂产能调整顺利进行导电型衬底产能释放上海临港新工厂建设取得阶段性成果研发投入带来的技术进步持续发力2023H1公司毛利率和净利率均实现反弹毛利率由去年同期的-10升至113净利率由去年同期的453升至1645由于公司新建产能上海临港工厂尚处于产能产量爬坡阶段单位产品成本较高毛利率仍低于正常经营水平未来随着产能的逐步提升公司盈利能力有望持续增长图8公司毛利率净利率变化情况毛利率净利率50020192020202120222023H1-50-100-150-200资料来源ifind国海证券研究所2022-2023H1管理费用增长系上海临港项目前期费用公司员工增加薪酬支出请务必阅读正文后免责条款部分12证券研究报告增加等因素公司销售费用率相对稳定2019-2023H1公司销售费用率及财务费用率分别为076077208334186及1712296-114-419-161相较于销售费用和财务费用管理费用在2019-2020年间快速攀升2020年管理费用率达16456主要系2019年和2020年进行股份支付使得管理费用大幅上升所致公司分别在2019年12月2020年1月2020年7月和8月进行4次对员工的股权激励进而使报告期内股份支付费用上升拉高管理费用率2021年管理费用回落低位后2022-2023H1由于上海临港项目前期费用公司员工增加薪酬支出增加等因素导致管理费用有所增长研发投入持续加码助力技术进步和产品优化2019-2023H1研发费用分别为019亿元046亿元074亿元128亿元090亿元同比增速分别为521114292620572996902公司研发费用占比不断提升2019年至2022年间公司研发投入占营业总收入比重从697逐步提升3059公司研发费用主要用于新产品的开发现有产品的改进新技术的探索和新设备的调试等方面公司在大尺寸衬底导电型碳化硅衬底和8英寸液相法等领域取得了重要突破为公司的技术创新和产品优化提供了有力支撑图9公司历年期间费用单位亿元左轴及费图10公司研发费用单位亿元左轴及同比用率右轴增速销售费用管理费用研发投入同比右轴财务费用销售费用率右轴管理费用率右轴财务费用率右轴1416082001214012061501100084100800660250044002002020192020202120222023H100-2-5020192020202120222023H1资料来源ifind国海证券研究所资料来源ifind国海证券研究所2碳化硅行业新能源引领需求增长碳化硅迎来广阔蓝海21物理性质卓越新兴应用需求打造碳化硅成长曲线211物理性能碳化硅材料出色卓越渗透多种应用场景领先一二代半导体材料碳化硅性能优势明显碳化硅SiC是一种化合物半导体单晶材料由碳和硅组成具有大禁带宽度高热导率高击穿场强和高请务必阅读正文后免责条款部分13证券研究报告电子饱和漂移速率等特点相较于以硅锗为主的第一代半导体砷化镓为主的第二代半导体以碳化硅为代表的第三代半导体材料能够克服传统硅基器件的物理限制实现更高功率密度更高工作温度和更低开关损耗的性能表4各代半导体材料性能特点对比材料代际第一代第二代第三代材料硅Si锗Ge砷化镓GaAs碳化硅SiC禁带宽度eV11214332饱和电子漂移速率cms101071010720107热导率WcmK150544击穿电场强度MVcm030435主要应用于低压低频适用于高电压高频率场相对硅基器件具有高频特点低功率的晶体管和探测景能在更高的温度下稳定高速的光电性能器中运行电能消耗更少光电子和微电子领域半应用领域集成电路导体发光二极管和通信功率器件通信等器件资料来源公司招股说明书国海证券研究所碳化硅材料应用行业广泛覆盖电动汽车光伏等新新兴产业碳化硅材料具备耐高压耐高温高功率适用高频等优良特点在电动汽车领域碳化硅器件广泛应用于直流交流逆变器和直流直流转换器实现高功率密度高工作温度和高效率的能量转换在工业领域碳化硅被应用于电力配送铁路运输光伏产业电机控制和风力涡轮机等领域其高功率承受能力高温运行能力和快速开关特性为工业系统提供了可靠性和高性能此外碳化硅还广泛应用于航空航天船舶工业能源储存和智能电网等领域图11以碳化硅为代表的第三代半导体覆盖领域图12碳化硅应用领域资料来源英飞凌官网资料来源英飞凌中国电子报请务必阅读正文后免责条款部分14证券研究报告212市场情况汽车带动碳化硅市场快速增长碳化硅材料渗透具备潜力全球碳化硅功率半导体市场快速增长预计2021-2027年CAGR可达34据Yole数据全球碳化硅功率半导体市场规模在2021年达1090亿美元预计2027年市场规模将达到6297亿美元2021-2027年CAGR达34其中汽车应用贡献主要增量预计市场规模从2021年的685亿美元升至2027年的4986亿美元2021-2027年CAGR达39碳化硅渗透率持续提升预计2028年接近25根据Yole数据以碳化硅为代表的第三代半导体在全球市场渗透率近年来逐年上升在硅基材料半导体仍占市场主流的现状下预计第三代半导体稳步提升2023年全球市场中碳化硅渗透率超10其中预计2028年碳化硅市场渗透率达到接近25若以20232028年碳化硅渗透率10及25计算2023-2028年全球碳化硅市场渗透率CAGR将接近20图13全球碳化硅功率半导体市场份额图14全球主要半导体材料渗透率及预测资料来源Yole资料来源Yole22碳化硅衬底壁垒较高产业链各环节布局如火如荼221产业链衬底处于产业链上游国内外企业积极布局碳化硅产业链衬底制造处最上游海外企业具备先发优势碳化硅产业链主要包括衬底外延芯片制造器件设计模块封装系统应用等环节其中衬底制造产业处在产业链最上游位置其制作工艺较为复杂衬底制备完成后由于碳化硅器件不可直接制作于衬底上需先使用化学气相沉积法在衬底表面生成所需薄膜材料即形成外延片再进一步制成器件放眼全球碳化硅产业链以美国日本为代表的的企业发展较早具备先发优势分布在产业链各环节中请务必阅读正文后免责条款部分15证券研究报告图15碳化硅各环节及龙头企业介绍资料来源Yole国内企业碳化硅产业链积极布局参与企业超50家纵观整个碳化硅产业链国内企业布局积极在各环节均有企业参与在上游衬底领域布局企业包括天岳先进天科合达三安光电同光晶体等外延领域布局企业包括瀚天天成东莞天域等芯片及器件制造环节布局企业包括泰科天润基本半导体华润微瞻芯电子等模块封装环节布局企业包括斯达半导臻驱科技爱仕特等图16国内碳化硅产业链布局资料来源Yole近两年碳化硅产业链各环节收购合作事件频发目前碳化硅行业各环节强强请务必阅读正文后免责条款部分16证券研究报告联合的收购及合作事件频发据Yole统计2022-2023Q3期间国内外企业签署收购协议投资协议LTA长单协议供应协议涉及企业包括Wolfspeed英飞凌ST瑞萨等大厂图172022-2023Q3碳化硅行业重大收购及合作资料来源Yole222制造工艺碳化硅衬底制备工艺复杂行业拥有较高壁垒制备流程复杂碳化硅衬底制造行业具有较高门槛制备碳化硅衬底需要经过粉料合成籽晶晶格稳定晶体生长切割衬底加工研磨抛光清洁检测6个制备环节如在粉料合成环节中粉料的粒度纯度都会直接影响晶体质量特别是半绝缘衬底的制备过程中对于粉料的纯度要求极高在切割衬底加工环节中由于碳化硅的硬度仅次于金刚石属于高硬脆性材料因此切割过程耗时久需要高强度工艺技术保护易裂片每个环节中均包含先进复杂工艺属于高科技技术产业请务必阅读正文后免责条款部分17证券研究报告图18碳化硅衬底制备流程资料来源公司官网国海证券研究所物理气相传输法PVT占生产主流商业普及程度高碳化硅的制备方法主要包括物理气相传输法PVT顶部籽晶溶液生长法TSSG和高温化学气相沉积法HT-CVD顶部籽晶溶液生长法主要用于实验室规模的小尺寸晶体生长而物理气相传输法和高温化学气相沉积法主要用于商业生产在这两种商业生产方法中PVT已发展的较为成熟更适用于产业化批量生产PVT法制备存在较多难度PVT法通过感应加热的方式在密闭生长腔室内在2300C以上高温接近真空的低压下加热碳化硅粉料使其升华产生包含SiSi2CSiC2等不同气相组分的反应气体通过固-气反应产生碳化硅单晶反应源由于固相升华反应形成的SiC成分的气相分压不同SiC化学计量比随热场分布存在差异需要使气相组分按照设计的热场和温梯进行分布和传输使组分输运至生长腔室既定的结晶位置为了避免无序的气相结晶形成多晶态碳化硅在生长腔室顶部设置碳化硅籽晶种子输运至籽晶处的气相组分在气相组分过饱和度的驱动下在籽晶表面原子沉积生长为碳化硅单晶PVT法制备碳化硅单晶的难度包含位错缺陷较难控制难以获得高纯度粉料等图19物理气相传输法生长碳化硅晶体示意图图20碳化硅三种制备方法优缺点对比资料来源中国粉体网资料来源电子发烧友国海证券研究所请务必阅读正文后免责条款部分18证券研究报告导电型衬底主要用于功率器件半绝缘型衬底主要用于射频器件与传统硅基器件不同碳化硅器件无法直接在衬底上制造而是需要利用化学气相沉积法在衬底表面生成所需的薄膜材料形成外延片然后再将其制成器件导电型衬底是在碳化硅衬底上生长碳化硅外延层在新能源汽车光伏储能等领域具有广泛应用导电型衬底能够提供较低的电阻使碳化硅器件能够承受高电流和高功率的要求半绝缘型衬底是在碳化硅衬底上生长氮化镓外延层在5G通信卫星通信等领域有重要应用半绝缘型衬底具有较高的电阻可以有效隔离电流实现高频信号的传输和处理表5不同种类衬底特点衬底种类衬底特征外延生长适用环境应用场景在导电型碳制成碳化硅二极管碳化硅MOSFET低电阻率电阻适用于高压化硅衬底上等功率器件主要应用于新能源汽导电型衬底率区间为高温工作环生长碳化硅车光伏发电轨道交通智能电网1530mcm境外延层航空航天等领域在半绝缘型制成HEMT等微波射频器件应用在适用于高频半绝缘型衬高电阻率电阻碳化硅衬底微波射频光电和中低压功率半导体高温工作环底率105cm上生长氮化等领域主要应用于5G通信卫星境镓外延层雷达等领域资料来源公司招股说明书JWInsights国海证券研究所223衬底市场碳化硅市场维持高增长衬底价值占比近一半全球碳化硅衬底市场规模保持高速增长预计2022-2026年CAGR将达248根据Yole及Wolfspeed数据2022年全球碳化硅衬底市场规模为7亿美元预计2024年市场规模将增长至125亿美元预计2026年市场规模将增长至17亿美元2022-2026年CAGR达248衬底制造工艺复杂在碳化硅晶圆中价值量最高占比达47在碳化硅晶圆制造中衬底外延芯片封测四部分价值量占比各不相同衬底制造由于其工艺复杂的性质价值量占比在其中最高接近50据中商情报网数据在6寸碳化硅晶圆中衬底的价值量最高占总晶圆价值量比例达到47在其余部分中外延占比23前端19研发费用6请务必阅读正文后免责条款部分19证券研究报告图21全球碳化硅衬底市场规模单位百万美元图222022年碳化硅器件制造成本占比全球可用晶圆市场规模衬底外延前段研发费用其他20005150061000194750023020222024E2026E资料来源YoleWolfspeed官网国海证券研究所资料来源中商情报网国海证券研究所全球碳化硅衬底市场集中度高2020年天岳先进占全球半绝缘衬底30市场份额全球碳化硅衬底市场中半绝缘型市场集中度高头部生产厂商较少WolfspeedII-VI天岳先进三足鼎立据Yole数据2020年半绝缘型市场CR3高达98天岳先进在其中位列第三占30市场份额导电型碳化硅衬底市场集中度2021年CR3为81其中Wolfspeed位居榜首占比487II-VI位居第二占比166罗姆位居第三占比152天岳先进占比较小仅为01伴随公司导电型产能加速释放市场份额有望迎来快速提升图232020年半绝缘型碳化硅衬底市场格局图242021年导电型碳化硅衬底市场格局WolfspeedII-VI罗姆WolfspeedII-VI天岳先进其他SK集团天科合达昭和电工3意法半导体天岳先进其他050104870833309048715235166资料来源Yole华经产业研究院国海证券研究所注数资料来源Yole观研天下国海证券研究所据总和大于100系资料来源中保留整数所致224发展趋势大尺寸化趋势明显成本优化指日可待衬底尺寸逐步向大发展导电型衬底主流尺寸逐步由6寸发展至8寸目前全球导电型碳化硅衬底主流生产尺寸为6英寸随着技术的突破碳化硅衬底逐步向大尺寸化发展放眼全球Wolfspeed的第一条8英寸碳化硅产线于2022年Q2开始生产标志着全球第一条8英寸碳化硅产线的投产国内方面天岳先进作为行业领军企业已成功生产8英寸样片碳化硅衬底大尺寸技术提升速度较快请务必阅读正文后免责条款部分20