第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势，可实现功率模块小型化、轻量化。主要应用于新能源汽车/充电桩、光伏发电、智能电网、轨道交通、航空航天等领域。
　　凭借性能优势碳化硅功率器件有望迎来快速发展。2021年全球第三代功率半导体市场渗透率约为4.6%-7.3%，较2020年渗透率提升约2%。根据Yole数据，2021年全球碳化硅功率器件市场规模约为10.90亿美元，2027年全球导电型碳化硅功率器件市场空间有望突破至62.97亿美元，六年年均复合增速约为34%。
　　碳化硅器件“上车”加快，800V高压平台蓄势待发。功率器件主要应用于新能源车的主驱逆变器、车载充电机、DC/DC转换器和非车载充电桩等关键电驱电控部件。尽管SiCMOSFET价格相比于Si IGBT价格仍然较高，但碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面具备明显优势。新能源汽车已成为碳化硅功率器件最主要的市场。在目前各大主流车厂积极布局800V电压平台的背景下，碳化硅的性价比突出，市场前景广阔。配套的直流充电桩市场将进一步加速碳化硅需求增长。
　　碳化硅“追光”，拓展光伏储能新应用场景。碳化硅功率模块可使逆变器转换效率提升至99%以上，能量损耗降低30%以上，同时具备缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低系统散热要求等优势。根据CASA数据，2021年中国光伏领域第三代功率半导体的渗透率超过13%，市场规模约4.78亿元，预计2026年光伏用第三代半导体市场空间将接近20亿元，五年CAGR超过30%。另外，随着可再生能源发电占比提高以及智能电网的应用，储能系统与电力电子变压器进一步拓宽了碳化硅的市场。
　　风险提示：国产替代不及预期；800V技术渗透不及预期；成本下降不及预期；行业竞争加剧。