主要观点
　　N型扩产速度加快，预计TOPCon22年底产能超过90GW，异质结22年产能近6GW。22年是N型量产元年，TOPCon与HJT产能规划与投产进展超预期。目前TOPCon规划产能近230GW，预计22年底超过90GW建成/投产。HJT规划产能超170GW，预计22年量产近6GW。
　　TOPCon电池成本高出PERC约5分/W，降本需求迫切。经我们测算，TOPCon电池总成本高出PERC5分/W，非硅成本高于PERC约3分/W，异质结与PERC成本差距更大。由于硅片和银浆成本占比较高，我们认为未来薄片化和降低银浆耗量是降本主要方向。
　　薄片化难点在于需要平衡成本、效率与良率。硅片厚度下降，单KG硅棒出片数提升，摊薄硅片成本。但是硅片减薄导致电池开路电压（Voc）和填充因子（FF）有所提高，同时短路电流（Isc）下降，转换效率也有可能降低。而钝化可以降低薄片化对短路电流的影响，所以异质结出色的双面对称钝化结构可以支撑更薄的硅片，甚至薄片化同时实现效率提高。另外，薄片化同时需要关注碎片率提高以及硅片隐裂问题，保证组件可靠性。目前PERC主流硅片厚度在150μm左右，TOPCon和异质结均可以应用130μm硅片。
　　银浆降本包括接触式金属化工艺：MBB、SMBB、0BB。MBB通过降低细栅的截面积和线长降低银耗。MBB技术可节省异质结25%-35%正面银浆耗量，同时提升转换效率约0.2%。SMBB技术让焊带和细栅直接汇联，降低主栅宽度，增加栅线数量，减少银浆耗量约8mg/W。无主栅技术印制细栅而不印制主栅，可以降低80%银浆耗量。
　　非接触式金属化工艺：（1）激光转印：在柔性透光材料上涂覆浆料，采用高功率激光束高速图形化扫描，将浆料从柔性透光材料上转移至电池表面，形成栅线。栅线宽度可达15-25μm，减少银浆30-45%。
　　（2）铜电镀：铜电镀过程类似于半导体中光刻工艺。铜电镀可以取代银浆，同时缩短线宽、增加光照面积，提高转换效率。
　　采用低成本金属浆料：银包铜浆料用银覆盖铜，既保留白银的优点又防止铜氧化和复合物产生。因为银包铜在高温环境下活性失效，所以只能用于低温异质结路线，可以降低电池成本约30%。
　　投资建议
　　（1）薄片化：薄片化趋势驱动金刚线细线化发展。建议关注头部企业，推荐高测股份。
　　（2）金属化：我们建议关注光伏激光设备龙头：帝尔激光；直写光刻技术领军企业：芯碁微装；电镀设备龙头：东威科技。
　　（3）低成本浆料：我们建议关注苏州固锝、帝科股份。
　　风险提示
　　光伏行业政策波动风险，行业竞争加剧，技术进步不及预期。