本次非公开发行股票数量不超过91,600,874  股，不超过本次发行前上市公司总股本的20%。本次非公开发行股票完成后，认购方所认购的股票自本次非公开发行结束之日起三年内不得转让。本次非公开发行股票募集资金扣除发行费用后将用于“高端集成电路装备研发及产业化项目”和“高精密电子元器件产业化基地扩产项目”的建设。
        资金安排：高端IC  装备与高精密电子元器件的研发与产业化。1）“高端集成电路装备研发及产业化项目”预计总投资额20  亿元，主要为28  纳米以下IC  装备搭建产业化工艺验证环境和实现产业化；建造IC  装备创新中心楼及购置5/7纳米关键测试设备和搭建测试验证平台；开展5/7  纳米关键IC  装备的研发并实现产业化应用。2）“高精密电子元器件产业化基地扩产项目”预计总投资额2.4亿元，主要包括厂房建设、生产设施、辅助动力设施、环保设施、安全设施、消防设施、管理设施等。
        项目目标：项目达产后预计实现年平均销售收入28  亿元，年平均利润总额5.7亿元。1）高端IC  设备项目设计年产能为刻蚀装备30  台、PVD  装备30  台、单片退火装备15  台、ALD  装备30  台、立式炉装备30  台、清洗装备30  台。项目达产后预计年平均销售收入为26.4  亿元，年平均利润总额5.4  亿元；2）高精密电子元器件项目设计年产能为模块电源5.8  万只，项目达产后年平均销售收入为1.6  亿元，年平均利润总额0.32  亿元。
        项目前景：IC  设备市场前景广阔，5/7  纳米技术代是未来IC  技术发展的必然趋势。1）根据SEMI  数据，2017  年全球半导体设备销售额达566.2  亿美元，创历史新高，年增长幅度达37%，增速为近7  年最高水平。同时SEMI  也预估，2018  年半导体设备支出金额将持续成长，其中中国大陆半导体设备销售额增长幅度最大，将达49.30%，中国大陆半导体设备销售额将达113  亿美元，中国大陆有望超过台湾地区成为全球第二大半导体设备支出市场；2）在130  纳米至5纳米技术代，由于特征尺寸微缩，单一12  英寸硅基片的生产成本增加近7  倍，但得益于器件特征尺寸的缩小，硅基片的芯片产量增加近70  倍，单一芯片的成本降低至原来1/10。因此，5  纳米技术代优势明显，将成为集成电路制造技术发展的必然趋势。
        项目实施必要性一：5/7  纳米关键IC  装备应用潜力巨大，投资回报更加客观。1）  刻蚀设备：进入14  纳米及以下技术代后，在芯片制造前道设备投资中，刻蚀机的比重将超过光刻机位居首位；2）PVD  装备：未来几年随着先进封装技术的不断渗透以及半导体前道制程厂商积极扩充先进封装方面的产能，PVD  设备也将获得极大的市场应用；3）ALD  设备：随着芯片特征尺寸的不断减小，ALD  工艺优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力，越来越深受青睐；4）清洗设备：在集成电路制造中清洗工艺数量约占集成电路制造生产工艺总数量的20-25%，未来市场需求增长强劲。如果5/7  纳米关键IC  设备研发成功，设备售价将较以往技术代设备售价更高，投资回报更可观。    
        项目实施必要性二：提高国家IC产业自给率、缩小与国际一流厂商技术差距。1）我国集成电路市场自给率尚不足20%，整个电子产业的芯片需求依然严重依赖进口，2017年我国集成电路进口金额高达2,601.4亿美元，同比增长14.6%，连续多年成为第一大进口商品；2）以台积电、格罗方德、英特尔和三星为代表的世界主要半导体制造厂商均掌握了14  纳米及以下技术节点的量产工艺技术，  部分公司掌握了7  纳米的量产工艺技术，并持续向5  纳米研发，而中国大陆厂商中芯国际，也计划在2018~2019  年实现14  纳米工艺量产，后续也将开展7  纳米先导工艺研发，但整体水平较国际先进水平依然存在"两、三代"的差距。    
        项目实施必要性三：落实国家产业规划的需要、推进供给侧结构性改革。集成电路产业在众多供给侧改革所推进的实体产业中具有首要地