事件概述
　　2026年10月17日，长鑫科技集团股份有限公司（688825.SH）发布2026年前三季度业绩预告。公司预计实现营业收入2,650.00–2,700.00亿元，同比增长725.96%–741.54%；预计实现归母净利润1,310.00–1,325.00亿元，上年同期亏损52.80亿元，实现扭亏为盈。上述数据为公司初步测算，未经审计，具体以正式三季报为准。公司表示，AI算力需求快速增长带动全球DRAM供不应求、价格大幅上涨；公司推进产能建设、产品研发和工艺提升，提高单位晶圆产出及产能利用率，规模效应持续显现。按前三季度预告中值测算，第三季度单季营收为1,171.90亿元，归母净利润为541.45亿元。
　　分析判断:
　　营收与利润大幅增长
　　结合前三季度预告、半年报及招股书数据测算，第三季度单季营收为1,146.90–1,196.90亿元，环比增长15.25%–20.28%；归母净利润为533.95–548.95亿元，环比增长1.04%–3.88%。按区间中值计算，单季营收及归母净利润环比分别增长17.77%和2.46%，本次预告中业绩增长核心原因是AI需求带动DRAM供不应求导致价格上涨，同时公司通过提升工艺，提高了单位晶圆产出和产能利用率，叠加公司积极拓展市场推动业务规模不断扩张。我们认为归母净利润环比增速较低的原因是合肥二期和北京厂Q3的利润占比快速提升，少数股东损益增长影响归母净利润的释放。
　　4F2新品计划面向服务器，关注器件与集成工艺协同
　　10月10日，据上海证券报、科创板日报对公司总裁曹堪宇大会演讲的报道，长鑫4F2 DRAM架构研发取得关键进展，预计2026年底推出融合先进器件、4F2架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM，面向服务器内存市场，具体规格及发布日期尚未披露。相较目前主流6F2架构，4F2路线通过调整存储单元结构提升密度；公司自研VSG晶体管采用垂直包围沟道结构，以增强栅控、改善漏电与短沟道问题，并优化字线、位线和结激活等工艺，已公开相关专利族超过300件。混合键合探索则将DRAM与CMOS工艺分开优化，再通过晶圆级键合互联。该路线将公司技术布局从既有工艺微缩延伸至存储单元架构与集成方式创新，若新品顺利推出并通过客户验证，有望增强服务器产品竞争力；目前仍属研发进展和推出计划，量产规模与收入贡献尚待验证。
　　投资建议
　　全球DRAM供需偏紧格局延续，AI算力需求持续支撑高端存储市场景气。供需偏紧有望支撑存储价格维持高位震荡，甚至进一步上行。若存储价格在高位继续上涨，在销量稳定、成本和费用增幅可控的情况下，涨价带来的收入增量有望更多转化为利润，叠加工艺迭代和单位晶圆产出提升，进一步放大公司的利润弹性。结合三季度业绩预告，上调2026 – 2028年盈利预测：预计营收3,946.11/5,692.69/9,602.26亿元（原预测为3,262.05/4,481.24/7,585.82亿元），同比增长538.5%/44.3%/68.7%；归母净利润1,967.19/2,933.59/5,334.05亿元（原预测为1,544.11/2,180.47/4,071.42亿元），同比增长10,392.5%/ 49.1%/81.8%；EPS为2.90/4.32/7.86元。按2026年10月16日收盘价45.02元及当前总股本计算，对应PE约16/10/6倍，维持“买入”评级。
　　风险提示
　　DRAM价格波动、下游需求不及预期、单季利润率回落、4F2等新技术研发和客户验证进度不及预期、资本开支与折旧压力。