国产DRAM原厂龙头，景气、产能、产品迭代共振驱动成长。长鑫科技成立于2016年，是国内规模最大、技术领先、布局完善的DRAM研发制造一体化企业，专注于DRAM产品的研发、设计、生产与销售。公司采用“跳代研发”技术路线，先后实现第一代至第四代（约16nm级G4）工艺平台量产，完成DDR4、LPDDR4X向DDR5、LPDDR5/5X的产品迭代全覆盖，核心产品与工艺技术达到国际先进水平。依据Omdia数据，结合出货量及销售额口径，公司为国内第一、全球第四大DRAM厂商，以2026年一季度营收测算全球市占率约8%。公司于合肥、北京布局合计3座12英寸DRAM晶圆产线，产能扩张持续推进。
　　AI驱动海量数据需求爆发，DRAM市场上行周期确立。DRAM为主流易失性半导体存储器，市场规模占全球存储市场近六成，广泛应用于服务器、移动终端、PC、智能汽车等领域，2024年四大下游领域合计贡献全球DRAM需求约90%。伴随AI产业需求快速爆发，服务器与高性能计算对内存容量、带宽要求持续抬升；2025年下半年起DRAM供需格局持续优化，合约价格显著回暖，行业上行周期逐步确立。2026年海外原厂资本开支优先投向HBM，传统DRAM新增产能投放有限，供给结构向高端产品倾斜，持续支撑存储价格景气。全球行业形成三星、SK海力士、美光三足鼎立格局，国产存储厂商迎来难得的发展窗口期。
　　全球DRAM市场份额持续提升，自研技术体系推动工艺代际加速追赶。公司采取跨越式工艺路线，跳过部分中间节点，从18nm级G3工艺直接推进至16nm级G4工艺；当前制程与三星、SK海力士、美光海外龙头存在约三年差距。专利布局持续提速，2023年国际专利公开量全球第22位，2024年美国专利授权量全球第42位、国内企业排名第四。公司产品呈现主流领先、高端追赶格局：DDR5实现大规模量产并批量商用，LPDDR5/5X最高速率可达10667Mbps，性能跻身全球第一梯队，主流存储产品优势持续巩固；但HBM等高阶产品领域，相较国际龙头仍存在阶段性差距。伴随DDR5产品持续放量，公司收入结构持续优化，2025年DDR系列营收占比提升至31.87%，同比提高18.61个百分点，增长主要受益于服务器等高价值下游需求拉动。展望未来，行业存储涨价周期延续叠加公司产能持续扩张、高端产品加速迭代，公司份额与盈利结构有望持续双击改善，成长确定性进一步强化。
　　投资建议：长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，产品覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，按2025Q4销售额口径全球市场份额7.67%、位列全球第四、中国第一。公司正处于国产替代、AI算力扩张与存储周期上行三重共振阶段，随着DDR5等高端产品放量、产能爬坡与规模效应释放，业绩增长空间有望持续打开。我们预计公司26–28年实现归母净利润1565.94/2440.18/3153.37亿元，参考可比公司估值并考虑到公司稀缺性以及国产替代空间给予27年20x PE，目标价72.97元，首次覆盖给予"强推"评级。
　　风险提示：经营风险、产品价格波动的风险、人才短缺或流失的风险