玻璃基板产业趋势明确。台积电董事长魏哲家6月4日股东会上发言，台积电已建立CoPoS先导产线，预计两至三年内实现有意义的产能提升。台积电的入场，进一步确认了玻璃基板从实验室走向量产的商业化路径正在提速。此外，英特尔宣布拟在美国新墨西哥州里奥兰乔建设首个玻璃基板量产制造基地，且印度政府宣布，英特尔与3DGS计划在印度东部奥里萨邦投资约33亿美元，建设一座基板制造工厂，聚焦先进封装玻璃基板、高密度互连基板及相关半导体技术，该工厂建成后预计年产玻璃基板约7万片、约5000万个组装单元及近1.3万个先进3D异构集成模块。相较于有机基板，玻璃基板在热性能、电气性能、物理结构方面占优，从厂商情况来看，英特尔、三星电机、SKC旗下Absolics、LGInnotek等多方加速布局，我们认为当前节点来看，玻璃基板产业趋势明确，重视供应链。
　　Rubin进入全面量产阶段。在COMPUTEX期间举办的NVIDIAGTC台北大会上，黄仁勋宣布NVIDIAVera Rubin正在加速进入全面量产阶段，黄仁勋表示为Vera Rubin打造的供应链规模是Grace Blackwell的两倍，需要所有产能来支撑当前的需求。当前Rubin进入量产阶段，我们认为Rubin的正式量产将带动供应链需求，此外，新料号的量产出货，厂商将重新议价，有助于传导上游涨价带来的成本压力，进一步提高供应链盈利能力。此外，PC领域，黄仁勋发布了NVIDIARTXSpark，让轻薄Windows笔记本与紧凑型桌面主机都能具备1 Petaflop的AI性能。由MediaTek联合打造，运行微软Windows系统，NVIDIARTXSpark将为首个专为个人智能体打造的PC提供动力—始终在线、始终本地运行。物理AI领域，NVIDIACosmos 3全模态模型，Alpamayo 2 Super自动驾驶推理模型以及NVIDIAIsaac GR00T参考人形机器人等解决方案更新，帮助企业和开发者加速部署物理AI应用。
　　存储涨价趋势延续，预计HBM合约价格大幅上涨。根据TrendForce，自2H25以来，一般型DRAM价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的HBM年度议价机制，导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。
　　海外大厂正加速扩产。据THEELEC 6月5日报道，SK海力士正式披露中长期扩产规划，计划于2030~2031年将DRAM晶圆月投料产能从当前55万片提升至约100万片，新增产能全部布局韩国龙仁半导体产业园。龙仁一期工厂首间设备进场时间已由2027年5月提前至2027年2月。据财联社6月3日报道，铠侠社长太田裕雄在2日举办的业绩说明会上称，针对在北上工厂新建厂房一事，已启动相关评估工作，项目计划2029至2030年之后投产，通过扩产投资来应对旺盛的市场需求。铠侠的NAND闪存由四日市工厂与北上工厂负责生产，现阶段北上工厂已建成两座厂房。存储需求旺盛，当前节点来看，我们认为涨价或将延续，此外各家存储厂扩产将带动对设备、材料、洁净室等上游扩产必需项需求，供应链高度受益。
　　周观点：见相关标的。
　　风险提示：下游需求不及预期、研发进展不及预期、地缘政治风险。