台积电导入SiC中介层，先进封装散热升级打开增量空间
　　台积电已启动12英寸SiC衬底交付，明年需求预期翻倍。随着英伟达GPU功率从H100的700W跃升至Feynman架构的4400W，传统硅中介层散热瓶颈凸显，SiC凭借3倍于硅的热导率（~490 W/m·K）成为关键升级方向。SiC中介层在CoWoS-S/L中的渗透，将为衬底厂商打开先进封装第二增长曲线，建议关注技术领先的SiC衬底企业。
　　存储大厂加速产能转移，利基型DRAM迎结构性机会
　　三星电子已正式停止接收LPDDR4/LPDDR4X新增订单，预计2026年底彻底停产，产线将于2027年Q1全部转向LPDDR5/LPDDR5X及HBM。三星此次计划停产LPDDR4系列，最核心的原因在于HBM和先进DDR5产品的利润率更高。叠加AI浪潮下先进内存供不应求，三星希望将有限晶圆、产能资源全部倾斜到利润率更高的产品线上，不再维持低利润旧代产品产能。三星停产LPDDR4/4X后，原有需求必须寻找替代来源。利基型DRAM市场有望出现市场空隙，中国大陆利基型存储厂有切入机会。
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　　风险提示
　　中美“关税战”加剧风险
　　中美科技竞争加剧风险
　　产先进制程进度不及预期风险
　　AI模型大厂资本开支不及预期风险