AI数据中心电源功率密度提升拉动SiC功率器件需求，主要催化来自传统供电架构下PSU功率密度升级&SST终极电源管理方案渗透。AI数据中心电源系统升级分为四个阶段：UPS-HVDC-巴拿马电源-SST，服务器电源电压也经历从12V到48V再至800V演变历程，增强对SiC功率器件需求，SIC主要应用在电力转换环节：
　　 UPS：“低压配电-UPS“ A2D-D2A）-PDU-PSU”，其拓扑结构主要由工频变压器、整流器、逆变器、桥式整流、功率因数校正PFC）、谐振变换器LLC）等组成；随着机架功率密度接近1MW，PSU功率可能提升至12KW，PSU的输入电压也从230/277 Vac提高到347 Vac单相），甚至480-600 Vac三相），增加SiC器件需求；
　　HVDC：取消逆变环节，经过隔离降压直接向IT负载输入直流；
　　巴拿马电源：进一步将HVDC前端工频变压器改为移相变压器；
　　SST：重塑供电架构，集成整流、隔离、逆变功能，采用高频变压器，直接将800V直流分发到各个计算节点，同时省去PDU、PSU，SiC的特性天然适配SST对高频、高压需求，防止过压击穿，提高系统安全性。
　　SST架构下SiC器件价值量有望提升，到2030年在全球800V数据中心的潜在市场规模约11.5亿美元。SST核心优势在于高频化和集成化，将原本分散在每个PSU中的AC-DC转换任务集中到前端SST完成，使得SiC的价值密度从分散的低价值PSU转移集中到高价值SST模块，价值量有望提升。根据Navitas，预计2030年全球SiC+GaN”功率器件在800VAI数据中心的SST、800VDC-DC、48VDC-DC的潜在市场规模约为25.6亿美元，其中SiC器件占比约45%，即11.5亿美元。
　　先进封装散热材料&AR眼镜有望成为SiC增长的新晋动力。1）先进封装散热：随着AI芯片功率密度持续提升，散热问题成为难点，SiC具有优异的导热性能，可以应用在中介层和载板，根据科创板日报，英伟达在其新一代Rubin中，CoWoS先进封装的中介层将采用SiC材料，以提升散热性能，并预计2027年开始大规模采用；华为也发布SiC作为导热填料的相关专利。2）AR眼镜：AI+AR眼镜是由大模型技术驱动的新硬件浪潮，AR的硬件核心是光学显示，AR镜片的光学性能会直接影响用户体验和沉浸感。
　　SiC具有高折射率特性，只需要单层波导就可以完成全彩显示任务，更轻薄且视野更广阔，实现更高的成像质量和更清晰的图像。
　　风险提示：技术路线迭代、商业化进展不及预期、竞争格局恶化。