>> 方正证券-电子行业事件点评报告:存储行业涨价持续超预期,看好模组环节核心受益-251118
| 上传日期: |
2025/11/19 |
大小: |
212KB |
| 格式: |
pdf 共2页 |
来源: |
方正证券 |
| 评级: |
推荐 |
作者: |
马天翼,金晶 |
| 行业名称: |
电子 |
| 下载权限: |
此报告为加密报告 |
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存储行业涨价持续超预期,有望迎来超级大周期。1)从产业报价来看,9月起美光通知客户,DDR4、DDR5等存储产品全部停止报价,价格或将调涨20%-30%。闪迪于11月第三次调涨NAND闪存合约价格,涨幅高达50%,三星也于11月宣布内存芯片的价格较9月上调了30%-60%。2)从存储指数及现货价格来看,DRAM和NAND指数今年3月11日为年内最低点,9月底较最低点DRAM/NAND指数涨幅分别为99%/19%,截至11月18日,较9月底仅1个半月时间DRAM/NAND指数涨幅分别为90%/70%,从现货价格来看,以DDR516Gb为例,截至11月18日价格为24.83美元,相较于9月30日价格7.68美元涨幅为224%,以512Gb TLC wafer为例,截至11月10日为6.46美元,相较于9月29日价格3.12美元涨幅为107%。 AI点燃下游需求,供给错配周期持续性超预期。与以往主要依赖于消费端需求的3至4年周期性波动不同,当前的存储市场增长主要由企业级人工智能相关的资本支出所驱动。TrendForce将2025年全球八大主要CSPs资本支出(CapEx)总额年增率从原本的61%上修至65%,合计资本支出超出4300亿美元,约为2023年与2024年资本支出相加的水平,预期2026年CSPs仍将维持积极的投资节奏,合计资本支出将进一步推升至6,000亿美元以上,年增长40%。供给侧,三星、SK海力士、美光等存储原厂资本开支与产线继续向HBM/DDR5/QLC倾斜,并已宣布DDR4产线停产,计划于2025年下半年集体削减NANDFlash晶圆产量,以推动市场价格回升。 存储模组库存铸造业绩底,持续缺货看保供能力。存储模组环节在周期上行时具备囤低价库存持续释放利润的商业模式特点,使得模组环节释放出超预期利润,以德明利为例24Q1单季度毛利率/净利率高达37.3%/24.1%。本轮周期自3月见底,模组厂佰维存储、德明利、江波龙持续加大库存,截至25Q3,存货分别为57/59/85亿元,随着周期上行存储价格持续上涨有望铸造业绩底。持续缺货行情下,具备原厂保供能力厂商有望脱颖而出,江波龙、佰维存储均表示公司与主要存储晶圆原厂签订LTA(长期供应合约),德明利已与包括长江存储、长鑫存储在内的多家核心原厂建立深度合作。 周期上行,内生外延模组厂商打造穿越周期的内功。佰维存储布局松山湖晶圆级封装厂、存储测试设备产品,并投资GPU公司北京行云,江波龙品牌及全球化布局,德明利高度重视企业级存储业务发展,已与多家头部互联网及服务器厂商达成深度合作,模组厂有望持续内生外延深化内功穿越周期。 投资建议:通过对产业链主要企业减产动作、库存及价格逐渐见底等观测,我们认为当前存储行业上行持续性有望超预期,叠加AI持续催化,我们在当前时点看好存储产业尤其是国产化进程加速,建议重点关注企业级存储相关厂商及端侧AI拉动存储需求: 1)存储模组:佰维存储、德明利、江波龙、香农芯创、联芸科技、天山电子、帝科股份、朗科科技、开普云等;2)端侧AI存储:兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、恒烁股份等;3)存储接口芯片:澜起科技、聚辰股份等。 风险提示:AI技术进展不及预期风险,下游需求复苏不及预期风险,存储周期上行持续性不及预期风险
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