核心观点
　　NAND：TrendForce称受QLC产品热度的外溢效应驱动，预计NANDFlash Q4价格将上涨5-10%。根据DRAMexchange，上周（20250922-0926）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.64%至2.74%，平均涨跌幅为1.12%。其中1个料号价格持平，19个料号价格上涨，2个料号价格下跌。根据科创板日报报道，据TrendForce集邦咨询观察，预估NANDFlash在2025年第四季各类产品合约价将全面上涨，平均涨幅达5-10%。
　　DRAM：美光上调2025年服务器总出货量增长预期，预计2026年行业DRAM供应将趋于紧张。根据DRAMexchange，上周（20250922-0926）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为3.22%至11.07%，平均涨跌幅为7.83%。上周18个料号呈上涨趋势，0个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，在数据中心领域，美光预计2025日历年服务器总出货量将增长约10%，高于之前预期的中等个位数增长。传统服务器和AI服务器的增长正在推动美光DRAM产品的强劲需求增长。
　　HBM：美光科技CEO称HBM芯片供不应求，将成2026年存储板块核心增长动力。根据财联社报道，美光科技CEOSanjay Mehrotra在财报电话会上指出，预计全球存储芯片（尤其HBM）供需不平衡将加剧，因DRAM库存低于目标，而NAND库存持续下降；同时，2026年HBM产能已基本锁定，需求增长显著，2026年HBM出货量增速预计超整体DRAM，成存储板块核心增长动力。
　　市场端：资源涨价叠加需求端询单动作频频，上周嵌入式NAND和LPDDR4X成品迎来普涨行情。根据CFM闪存市场报道，上游供应端涨价的影响下，近期存储现货市场询单动作频频，资源涨价也已逐渐传导至嵌入式成品端，上周eMMC和UFS普遍较大幅度调涨价格。而LPDDR4X也因部分原厂暂停报价，并传出计划将大幅上调LPDDR4X资源价格，市场看涨情绪快速升温，基于一定的涨价预期，高位横盘一月有余的LPDDR4X再次迎来上涨行情。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。