核心观点
　　后摩尔时代来临，先进封装大放异彩。随着AI、HPC等高算力需求日新月异，作为算力载体的高性能芯片的需求也随之水涨船高。然而，先进制程的进阶之路已困难重重，一方面，摩尔定律迭代进度的放缓使芯片性能增长的边际成本急剧上升；另一方面，受限于光刻机瓶颈，前段制程的微缩愈发困难。在此背景下，先进封装因能提升芯片的集成密度与互联速度、降低芯片设计门槛，并增强功能搭配的灵活性，故而已成为超越摩尔定律、提升芯片系统性能的关键途径。据Yole数据，全球先进封装市场规模将从2024年的460亿美元大幅跃升至2030年的794亿美元，先进封装将成为全球封装市场的主要增长极。
　　在AI大模型和高性能计算驱动下，CoWoS已成为主流的AI芯片封装方案，HBM为其中存储芯片的封装形式，两者成为AI算力芯片标配，正驱动先进封装市场高速增长。CoWoS是台积电主推的2.5D封装技术，已成为全球高性能AI芯片的关键支撑工艺，产能供不应求。根据半导体产业纵横数据，台积电的CoWoS封装产能在2022-2026年将大概以50%的复合年增长率增长。与此同时，HBM能够有效解决带宽瓶颈、功耗过高和容量限制等问题，已成为当下AI芯片的主流选择，其核心制作工艺包括TSV、Bumping、临时键合/解键合等，对后道先进封装制造工艺提出极高要求，其需求高升也推动先进封装快速发展。近期，HBM技术仍在快速迭代中，美光科技在财报电话会议上表示，公司已向客户交付了带宽最高提升至11Gbps（千兆位/秒）的HBM4样品，并计划于2026年上半年出货首批产品。
　　先进封装工艺的演进驱动设备和材料持续迭代扩容。先进封装工艺的演进对设备提出更高要求，相较于传统封装其核心差异体现在，一方面，传统封装设备持续升级，如为适应先进封装更精密的结构需求，贴片机精度显著提升，塑封工艺也向压塑演进等；另一方面，新增前道制程设备，由于倒装、RDL重布线层及TSV硅通孔等技术的引入，薄膜沉积、光刻、刻蚀等传统前道装备开始在封装环节应用。而先进封装技术的发展同样正在重构半导体材料的应用边界，先进封装技术从2D封装的Bump和RDL制造，发展到2.5D和3D封装引入的TSV工艺，催生了光刻、电镀、刻蚀、沉积、抛光等工艺环节的材料需求，使应用于晶圆制造的高端材料如光刻胶、CMP抛光液抛光垫、靶材、湿电子化学品等开始大量应用于封装工艺中。封装工艺的不断迭代与演进驱动相关设备与材料进入发展快通道。
　　投资建议：建议关注重点布局先进封装厂、核心封装设备及材料的相关企业，封测厂方面，建议关注通富微电、新芯股份（未上市）等；封测设备方面，建议关注北方华创、中微公司、芯源微、拓荆科技、盛美上海、华海清科、芯碁微装、新益昌、骄成超声、中科飞测、精测电子、长川科技、精智达等；封装材料方面，建议关注兴森科技、深南电路、鼎龙股份、华海诚科、联瑞新材、安集科技、天承科技、飞凯材料、上海新阳等。
　　风险提示：1）供应链风险；2）国产产品性能不及预期的风险；3）市场需求不及预期的风险。