投资要点：
　　2025年7月7日，证监会官网披露，长鑫科技集团股份有限公司正式开启IPO辅导备案。长鑫存储成立于2016年，专注于DRAM芯片的设计、研发、生产和销售。
　　我们认为长鑫存储作为国内DRAM龙头，是国内半导体产业重要稀缺标的，其未来成长性主要体现在：
　　中长期看，在人工智能、消费电子创新、（组合）辅助驾驶、机器人等新兴应用场景的驱动下，全球DRAM市场规模将持续增长，预计到2029年将达到8934亿元，2024-2029年复合年增速约5.1%。地区上看，中国DRAM市场需求占到全球市场的30%以上，预计2024-2029年复合年增速将达7.6%，高于全球增速。
　　当前行业格局，三星、海力士、美光三家全球龙头合计市占率超90%，行业集中效应显著。存储具备比较显著的大宗商品属性，遵循价格周期，依赖中国强大的终端市场，我们认为，未来长鑫存储凭借持续的产品迭代和中国大陆的成本和规模优势，将非常有望在全球DRAM市场中大展拳脚，实现市占率稳步提升。根据Trendforce数据，长鑫存储2025年底产能将达到30万片/月，同比增长近50%。出货端，2024年长鑫存储推出新一代16Gb DDR5产品，跳过17nm（（D1y）节点直接采用16nm（（D1z）节点，当前也正在从DDR4/LPDDR4加速向DDR5/LPDDR5转移，根据Counterpoint预测，预计其年底DDR5份额将从年初的1%提升至7%，LPDDR5份额将从2025Q1的0.5%提升至年底9%。
　　AI时代，内存瓶颈愈加显著，因此高带宽存储（HBM）应运而生。HBM是一种基于堆叠技术的内存产品，其将多层DRAM芯片堆叠在基板芯片（Base Die）上，Base Die负责控制和通信功能，多层DRAMDie负责拓展容量。根据Yole数据，2024年全球HBM出货约12Eb，预计2025年出货将达到22Eb，主要以HBM3E为主，到2030年，产品迭代进入HBM4E、HBM5及以上代际，整体出货量达到60Eb，2025-2030年复合年增速约22%。相比全球，目前国产HBM仍处于早期验证开拓阶段，我们预计随着AI需求持续增长，未来国产HBM产业也将迎来新的成长机遇，芯片制造以外的上游设备、材料产业链也将同步受益。
　　投资建议：因此，基于长鑫存储产业地位和中长期成长性，我们看好相关上下游产业链机会，建议关注：
　　1）国产HBM产业链，关注精智达、芯源微、上海新阳、华海诚科、联瑞新材；
　　2） DRAM端，关注受益中长期产能布局的前道设备公司：北方华创、中微公司、华海清科、拓荆科技、中科飞测、芯源微、盛美上海等，以及受益新产能释放EPS高增速的半导体材料公司：安集科技、鼎龙股份、广钢气体、雅克科技。
　　风险提示：终端需求不及预期风险，下游资本开支不及预期，HBM开发和良率提升不及预期，中美科技博弈影响新产品迭代、产线扩产、供应链风险。