核心观点
　　NAND：群联称2025年7月营收创历史同期新高，NAND bit出货同比增长41%。根据DRAMexchange，上周（20250811-0815）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.07%至2.04%，平均涨跌幅为0.01%。其中5个料号价格持平，9个料号价格上涨，8个料号价格下跌。根据科创板日报报道，群联2025年7月合并营收56.88亿新台币，环比减少8.23%，同比增长20.86%。2025年7月PCIe SSD控制芯片出货量同比增长43%，NAND总bit出货同比增长41%。群联执行长潘健成指出，目前NAND市场供应趋紧，公司将聚焦中高阶应用与高附加价值产品，避免陷入价格竞争。
　　DRAM：TrendForce称2025年第三季消费级DDR4合约价或季增85%-90%。根据DRAMexchange，上周（20250811-0815）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.51%至4.74%，平均涨跌幅为0.83%。上周12个料号呈上涨趋势，6个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据TrendForce集邦咨询最新调查，相较PC和Server市场，近期消费级DRAM的供应更加紧张，其终端需求来自工控、网通、电视、消费性电子及控制器等，主要存储器的采用规格为DDR4，但供给排序在PC与Server应用之后，使得该市场供需失衡相对更加严峻。2025年七月消费级DDR4合约价飙涨逾60~85%，因此大幅上修2025年第三季消费级DDR4合约价到季增85%-90%。
　　HBM：SK海力士称预计到2030年定制HBM市场规模将增长到数百亿美元。根据CFM闪存市场报道，SK海力士预计到2030年定制HBM市场规模将增长到数百亿美元。由于SK海力士和三星、美光等竞争对手采用不同的技术构建下一代HBM4，HBM4产品包括客户特定的逻辑芯片或“基础芯片”，有助于管理内存。
　　市场端：资源涨价推动个别低容量eMMC价格大幅走高，未来恐部分嵌入式产品出现倒挂。根据CFM闪存市场报道，嵌入式方面，部分原厂供应主流客户一定数量低容量eMMC产品，同时还面向下游存储厂商释放部分MLCNAND资源，价格均出现较大涨幅，多数存储厂商跟随资源价格而上调相应的低容量eMMC产品价格。未来若低容量MLCNAND价格进一步上涨，8/16/32GB eMMC与64GBeMMC或将出现全面倒挂。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。